High-temperature electron transport properties in AlGaN/GaN heterostructures

Applied Physics Letters

Volumn 79, Issue 11, 2001, Pages 1634-1636

  Maeda, Narihiko ^a   Tsubaki, Kotaro ^a   Saitoh, Tadashi ^a   Kobayashi, Naoki ^a  

^a Kashino Diverse Brain Research Laboratory of NTT Communication Science Laboratories   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035839827     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1400779     Document Type: Article

References (16)

1. M. A. Khan, Q. Chen, M. S. Shur, B. T. Mcdermott, and J. A. Higgins, IEEE Electron Device Lett. 17, 325 (1996).
2. S. C. Binari, J. M. Redwing, G. Keiner, and W. Kruppa, Electron. Lett. 33, 242 (1997).
3. Y. F. Wu, B. P. Keller, P. Fini, S. Keller, T. J. Jenkins, L. T. Kehias, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 19, 50 (1998).
4. U. K. Mishra, Y. F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, and S. P. Denbaars, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 46, 756 (1998).
5. S. T. Sheppard, K. Doverspike, W. L. Pribble, S. T. Allen, J. W. Palmour, L. T. Kehias, and T. J. Jenkins, IEEE Electron Device Lett. 20, 161 (1999).
6. K. Kunihiro, K. Kasahara, Y. Takahashi, and Y. Ohno, Ext. Abst. Int. Conf. Solid State Devices And Materials, Tokyo, 1999 (Academic Societies Japan, Tokyo, 1999), p. 208.
7. M. A. Khan, M. S. Shur, J. N. Kuznia, Q. Chen, J. Burm, and W. Schaff, Appl. Phys. Lett. 66, 1083 (1995).
8. R. Gaska, Q. Chen, J. Yang, A. Osinsky, M. A. Khan, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 18, 492 (1997).
9. I. Daumiller, C. Kirchner, M. Kamp, K. J. Ebeling, L. Pond, C. E. Weitzel, and E. Kohn, Proceedings of the Device Research Conference, Virginia, 1998 (IEEE, New York, 1998), p. 114.
10. N. Maeda, T. Saitoh, K. Ttsubaki, T. Nishida, and N. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L987 (1999).
11. T. Egawa, H. Ishikawa, M. Umeno, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 76, 121 (2000).
12. M. G. Cheong, K. S. Kim, C. S. Oh, N. W. Namgung. G. M. Yang, C. H. Hong, K. Y. Lim, E. K. Suh, K. S. Nahm, H. J. Lee, D. H. Lim, and A. Yoshikawa, Appl. Phys. Lett. 77, 2557 (2000).
13. M. Shur, B. Gelmont, and M. A. Khan, J. Electron. Mater. 25, 777 (1996).
14. J. D. Albrecht, R. P. Wang, P. P. Ruden, M. Farahmand. and K. F. Brennan, J. Appl. Phys. 83, 4777 (1998).
15. B. K. Ridley, J. Appl. Phys. 84, 4020 (1998).
16. B. K. Ridley, B. E. Foutz, and L. F. Eastman, Phys. Rev. B 61, 16862 (2000).