Pulsed-laser deposition of high- k titanium silicate thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 98, Issue 5, 2005, Pages

  Brassard, D ^a   El Khakani, M A ^a  

^a INRS EMT   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEPOSITION TEMPERATURE (TD); DISSIPATION FACTORS; TITANIUM SILICATES; VACUUM DEPOSITED FILMS;

CRYSTAL GROWTH; FOURIER TRANSFORM INFRARED SPECTROSCOPY; OXIDATION; PERMITTIVITY; POROSITY; PULSED LASER DEPOSITION; STOICHIOMETRY; SURFACE ROUGHNESS; TITANIUM COMPOUNDS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

THIN FILMS;

EID: 25144437862     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2039274     Document Type: Article

References (51)

1. Semiconductor Industry Association, The International Technology Roadmap for Semiconductors, 2003 ed. (International SEMATECH, Austin, TX, 2003).
2. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
3. F. Mondon and S. Blonkowski, Microelectron. Reliab. 43, 1259 (2003).
4. M. Kadoshima, M. Hiratani, Y. Shimamoto, K. Torii, H. Miki, S. Kimura, and T. Nabatame, Thin Solid Films 424, 224 (2003).
5. S. Ramanathan, C. M. Park, and P. C. McIntyre, J. Appl. Phys. 91, 4521 (2002).
6. A. Callegari, E. Cartier, M. Gribelyuk, H. F. Okorn-Schmidt, and T. Zabel, J. Appl. Phys. 90, 6466 (2001).
7. G. B. Alers, D. J. Werder, Y. Chabal, H. C. Lu, E. P. Gusev, E. Garfunkel, T. Gustafsson, and R. Urdahl, Appl. Phys. Lett. 73, 1517 (1998).
8. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 87, 484 (2000).
9. G. D. Wilk and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 76, 112 (2000).
10. J. J. Chambers and G. N. Parsons, J. Appl. Phys. 90, 918 (2001).
11. J. Zhu, Z. G. Liu, and Y. Feng, J. Phys. D 36, 3051 (2003).
12. G. Lucovsky and G. B. Rayner, Jr., Appl. Phys. Lett. 77, 2912 (2000).
13. G. B. Rayner, Jr., D. Kang, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1783 (2003).
14. P. H. Giauque, H. B. Cherry, and M.-A. Nicolet, Microelectron. Eng. 55, 183 (2001).
15. H. Demiryont, Appl. Opt. 24, 2647 (1985).
16. T. Nakayama, K. Onisawa, M. Fuyama, and M. Hanazono, J. Electrochem. Soc. 139, 1204 (1992).
17. D. K. Sarkar, E. Desbiens, and M. A. El Khakani, Appl. Phys. Lett. 80, 294 (2002).
18. D. Brassard, D. K. Sarkar, L. Ouellet, and M. A. El Khakani, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 851 (2004).
19. A. Nishiyama, A. Kaneko, M. Koyama, Y. Kamata, I. Fujiwara, M. Koike, M. Yoshiki, and M. Koike, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 670, K4.8.1 (2001).
20. T. Kamada, M. Kitagawa, M. Shibuya, and T. Hirao, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 30, 3594 (1991).
21. M. J. Alam and D. C. Cameron, J. Sol-Gel Sci. Technol. 25, 137 (2002).
22. X. Gao and I. E. Wachs, Catal. Today 51, 233 (1999).
23. X. Wang, H. Masumoto, Y. Someno, and T. Hirai, Thin Solid Films 338, 105 (1999).
24. S.-M. Lee, J. H. Park, K.-S. Hong, W.-J. Cho, and D.-L. Kim, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 2384 (2000).
25. M. F. Ouellette, R. V. Lang, K. L. Yan, R. W. Bertram, and R. S. Owles, J. Vac. Sci. Technol. A 9, 1188 (1991).
26. Y. Sorek, R. Reisfeld, I. Finkelstein, and S. Ruschin, Appl. Phys. Lett. 63, 3256 (1993).
27. X. Orignac, D. Barbier, X. M. Du, and R. M. Almeida, Appl. Phys. Lett. 69, 895 (1996).
28. D. Brassard, D. K. Sarkar, L. Ouellet, and M. A. El Khakani, Appl. Phys. Lett. 84, 2304 (2004).
29. A. Paskaleva, A. J. Bauer, M. Lemberger, and S. Zürcher, J. Appl. Phys. 95, 5583 (2004).
30. H. Sankur and W. Gunning, J. Appl. Phys. 66, 4747 (1989).
31. H. Sankur and W. Gunning, J. Appl. Phys. 66, 807 (1989).
32. N. S. Gluck, H. Sankur, J. Heuer, J. DeNatale, and W. J. Gunning, J. Appl. Phys. 69, 3037 (1990).
33. R. C. Smith, N. Hoilien, C. D. Stehpen, A. Campbell, J. T. Roberts, and W. L. Gladfelter, Chem. Vap. Deposition 9, 79 (2003).
34. M. Atik and J. Zarzycki, J. Mater. Sci. Lett. 13, 1301 (1994).
35. A. M. Seco, M. C. Goņalves, and R. M. Almeida, Mater. Sci. Eng., B B76, 193 (2000).
36. M. A. El Khakani, B. Le Drogoff, and M. Chaker, J. Mater. Res. 14, 3241 (1999) and references therein.
37. J. V. Grahn, M. Linder, and E. Fredriksson, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 2495 (1998).
38. S. Bordiga, J. Phys. Chem. 98, 4125 (1994).
39. T. Nakayama, J. Electrochem. Soc. 141, 237 (1994).
40. I. Montero, L. Gal̀n, O. Najmi, and J. M. Albella, Phys. Rev. B 50, 4884 (1994).
41. R. P. Netterfield, P. J. Martin, C. G. Pacey, and W. G. Sainty, J. Appl. Phys. 66, 1805 (1989).
42. B. Gallas, A. Brunet-Bruneau, S. Fisson, G. Vuye, and J. Rivory, J. Appl. Phys. 92, 1922 (2002).
43. H. El. Omari, J. P. Boyeux, A. Errkik, M. Lemiti, and A. Laugier, J. Appl. Phys. 93, 9803 (2003).
44. S. P. Murarka, J. Vac. Sci. Technol. 17, 775 (1980).
45. P. Martin, M. Dufour, A. Ermolieff, S. Marthon, F. Pierre, and M. Dupuy, J. Appl. Phys. 72, 2907 (1992).
46. C. Leung, M. Weinert, P. B. Allen, and R. M. Wentzcovitch, Phys. Rev. B 54, 7857 (1996).
47. J. V. Mantese, W. A. Curtin, and W. W. Webb, Phys. Rev. B 33, 7897 (1986).
48. S. Elliot, The Physics and Chemistry of Solids (Wiley, New York, 1998).
49. S.-J. Lee, K.-Y. Kang, and S.-K. Han, Appl. Phys. Lett. 75, 1784 (1999).
50. A. Gutina, T. Antropova, E. Rysiakiewick-Pasek, K. Virnik, and Yu. Feldman, Microporous Mesoporous Mater. 58, 237 (2003).
51. D. J. Taylor, P. F. Fleig, and S. L. Hietala, Thin Solid Films 332, 257 (1998).