Deep traps in unpassivated and Sc2O3-passivated AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 13, 2003, Pages 2608-2610

  Polyakov, A Y ^a   Smirnov, N B ^a   Govorkov, A V ^a   Danilin, V N ^b   Zhukova, T A ^b   Luo, B ^c   Ren, F ^c   Gila, B P ^c   Onstine, A H ^c   Abernathy, C R ^c   Pearton, S J ^c  

^a INSTITUTE OF RARE METALS   (Russian Federation)

^b Pulsar Enterprise   (Russian Federation)

^c J Crayton Pruitt Family Department of Biomedical Engineering   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEGRADATION; GALLIUM NITRIDE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PASSIVATION; PLASMA APPLICATIONS; SCANDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; THIN FILMS;

DEEP TRAPS;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 0142089023     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1614839     Document Type: Article

References (32)

1. R. J. Trew, Microwaves 46, 271 (2000).
2. Y.-F. Wu, D. Kapolnek, J. Ibbetson, N.-Q. Zhang, P. Parikh, B. P. Keller, and U. K. Mishra, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 925 (1999).
3. V. Tilak, B. Green, V. Kaper, H. Kim, T. Prunty, J. Smart, J. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 22(11), 504 (2001).
4. I. Daumiller, D. Theron, C. Gaquiere, A. Vescan, R. Dietrich, A. Wieszt, H. Leier, R. Vetury, U. K. Mishra, I. P. Smorchkova, S. Keller, C. Nguyen, and E. Kohn, IEEE Electron Device Lett. 22, 62 (2001).
5. U. K. Mishra, P. Parikh, and Y.-F. Wu, Proc. IEEE 90, 1022 (2002).
6. C. Lee, H. Wang, J. Yang, L. Witkowski, M. Muir, M. Asif Khan, and P. Saunier, Electron. Lett. 38, 924 (2002).
7. S. C. Binari, P. B. Klein, and T. E. Kazior, Proc. IEEE 90, 1048 (2002).
8. J. S. Moon, M. Micovic, P. Janke, P. Hashimoto, W. S. Wong, R. D. Widman, L. McCray, A. Kurdoghlian, and C. Nguyen, Electron. Lett. 37, 528 (2001).
9. N. G. Weimann, M. J. Manfra, and T. Wachtler, IEEE Electron Device Lett. 24, 57 (2003).
10. O. Mitrofanov, M. Manfra, and N. G. Weimann, Appl. Phys. Lett. 82, 4361 (2003).
11. A. P. Zhang, L. B. Rowland, E. B. Kaminsky, V. Tilak, J. C. Grande, J. Teetsov, A. Vertiatchikh, and L. F. Eastman, J. Electron. Mater. 32, 388 (2003).
12. A. P. Zhang, L. B. Rowland, E. B. Kaminsky, J. B. Tucker, J. W. Kretchmer, A. F. Allen, J. Cook, and B. J. Edward, Electron. Lett. 39, 245 (2003).
13. S. J. Pearton, F. Ren, A. P. Zhang, and K. P. Lee, Mater. Sci. Eng., R. 30, 55 (2000).
14. P. B. Klein, S. C. Binari, K. Ikossi, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, and R. L. Henry, Appl. Phys. Lett. 79, 3527 (2001).
15. S. C. Binari, K. Ikossi, J. A. Roussos, W. Kruppa, D. Park, H. B. Dietrich, D. D. Koleske, A. E. Wickenden, and R. L. Henry, IEEE Trans. Electron Devices 48, 465 (2001).
16. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 21, 268 (2000).
17. B. Luo, J. W. Johnson, J. Kim, R. M. Mehandru, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, A. G. Baca, R. D. Briggs, R. J. Shul, C. Monier, and J. Han, Appl. Phys. Lett. 80, 1661 (2002).
18. A. Vertiatchik, L. F. Eastman, W. J. Schaff, and T. Prunty, Electron. Lett. 38, 388 (2002).
19. L. F. Eastman, V. Tilak, J. Smart, B. M. Green, E. M. Chumbes, R. Dimitrov, H. Kim, O. S. Ambacher, N. Weimann, T. Prunty, M. Murphy, W. J. Schaff, and J. R. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices 48, 479 (2001).
20. G. Simin, X. Hu, N. Ilinskaya, A. Kumar, A. Koudymov, J. Zhang, M. Asif Khan, R. Gaska, and M. S. Shur, Electron. Lett. 36, 2043 (2000).
21. E. Kohn, I. Daumiller, P. Schmid, N. X. Nguyen, and C. N. Nguyen, Electron. Lett. 35, 1022 (1999).
22. J.-S. Lee, A. Vescan, A. Wieszt, R. Dietrich, H. Leier, and Y.-S. Kwon, Electron. Lett. 37, 130 (2001).
23. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2832 (2001).
24. N. X. Nguyen, C. Nguyen, and D. E. Grider, Electron. Lett. 35, 1356 (1999).
25. I. Daumiller, C. Kirchner, M. Kamp, K. J. Ebeling, and E. Kohn, IEEE Electron Device Lett. 20, 448 (1999).
26. A. Tarakji, G. Simin, N. Ilinskaya, X. Hu, A. Kumar, A. Koudymov, J. Yang, M. Asif Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 78, 2169 (2001).
27. B. Luo, J. W. Johnson, F. Ren, K. K. Allums, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. Dwivedi, T. N. Fogarty, R. Wilkins, A. M. Dabiran, A. M. Wowchack, C. J. Polley, P. P. Chow, and A. G. Baca, Appl. Phys. Lett. 79, 2196 (2001).
28. J. K. Gillespie, R. C. Fitch, J. Sewell, R. Dettmer, G. D. Via, A. Crespo, T. J. Jenkins, B. Luo, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, IEEE Electron Device Lett. 23, 505 (2002).
29. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, M. Shin, M. Skowronski, and D. W. Greve, J. Appl. Phys. 84, 870 (1998).
30. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. S. Usikov, A. V. Govorkov, and B. V. Pushniy, Solid-State Electron. 42, 1959 (1998).
31. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, and J. M. Redwing, Solid-State Electron. 42, 831 (1998).
32. L. S. Berman, Purity Control of Semiconductors by the Method of Capacitance Transient Spectroscopy (Electronic Integral Systems, St. Petersburg, 1995).