Characterization of GaN and InxGa1-xN films grown by MOCVD and MBE on free-standing GaN templates and quantum well structures

Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Volumn 14, Issue 4, 2003, Pages 233-245

  Ramaiah, K S ^a   Huang, D ^a   Reshchikov, M A ^a   Yun, F ^a   Morkoc H ^a   Jasinski, J ^b   Liliental Weber, Z ^b   Sone, C ^c   Park, S S ^c   Lee, K Y ^c  

^a Virginia Commonwealth University   (United States)

^b LAWRENCE BERKELEY NATIONAL LABORATORY   (United States)

^c Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; BINDING ENERGY; ELECTRON DIFFRACTION; INTERFACES (MATERIALS); METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

GALLIUM NITRIDE TEMPLATES; HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY; QUANTUM WELL STRUCTURES;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0038582592     PISSN: 09574522     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1023/A:1022938114450     Document Type: Article

References (48)

1. S. Strite and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 10 (1992) 1237.
2. S. Nakamura and G. Fasol, "The Blue Laser Diode" (Springer, Berlin, 1997).
3. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, Hai Lu, W. J. Schaff, Yoshiki Saito and Yasushi Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 3967.
4. N. A. El-Masry, E. L. Piner, S. X. Liu and S. M. Bedair, ibid. 72 (1998) 40.
5. S. F. Leboef, M. E. Aumer and S. M. Bedair, ibid. 77 (2000) 97.
6. J. A. Freitas, Jr., G. C. B. Braga, W. J. Moore, J. G. Tischler, J. C. Culbertson, M. Fatemi, S. S. Park, S. K. Lee and Y. Park, J. Cryst. Growth 231 (2001) 322.
7. M. K. Kelly, R. P. Vaudo, V. M. Phanse, L. Gorgens, O. Ambacher and M. Stutzmann, Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L217.
8. J. Jasinski, W. Swider, Z. Liliental-Weber, P. Visconti, K. M. Jones, M. A. Reshchikov, F. Yun, H. Morkoç, S. S. Park and K. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 2297.
9. C. R. Miskys, M. K. Kelly, O. Ambacher, G. Martínez-Criado and M. Stutzmann, ibid. 77 (2000) 1858.
10. M. A. Reshchikov, D. Huang, F. Yun, L. He, H. Morkoç, D. C. Reynolds, S. S. Park and K. Y. Lee, ibid. 79 (2001) 3779.
11. M. Leszczynski, B. Beaumont, E. Frayssinet, W. Knap, P. Prystawko, T. Suski, I. Grzegory and S. Porowski, ibid. 75 (1999) 1276.
12. B. Heying, I. Smorchkova, C. Poblenz, C. Elsass, P. Fini, S. Den Baars, U. Mishra and J. S. Speck, ibid. 77 (2000) 2885.
13. N. Grandjean and J. Massies, CHREA-CNRS, Valbonne, France, private communication.
14. M. J. Manfra, L. N. Pfeiffer, K. W. West, H. L. Stormer, K. W. Baldwin, J. W. P. Hsu, D. V. Lang and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 2888.
15. M. J. Manfra, N. G. Weimann, J. W. P. Hsu, L. N. Pfeiffer, K. W. West, S. Syed, H. L. Stormer. W. Pan, D. V. Lang, S. N. G. Chu, G. Kowach, A. M. Sergent, J. Caissie, K. M. Molvar and R. J. Molnar. J. Appl. Phys. 92 (2002) 338.
16. D. Huang, P. Visconti, K. M. Jones, M. A. Reshchikov, F. Yun, A. A. Baski, T. King and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 4145 (see references therein).
17. N. Sumiya, K. Yoshimura, N. Ogusu, S. Fuke, K. Mizuno, M. Yoshimoto, H. Koinuma and L. T. Romano, J. Vac. Sci. Technol. A 20 (2002) 456
18. M. Sumiya, M. Tanaka, K. Ohtsuka, S. Fuka, T. Ohnishi, I. Ohkubo, M. Yoshimoto, H. Koinuma and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 674.
19. K. Xu, N. Yano, A. W. Jia, A. Yoshikawa and K. Takahashi, J. Cryst. Growth 237-239 (2002) 1003.
20. S. Fuke, H. Teshigawara, K. Kuwahara, Y. Takano, T. Ito, M. Yanagihara and K. Ohtsuka, J. Appl. Phys. 83 (1998) 764.
21. D. Huang, P. Visconti, M. A. Reshchikov, F. Yun, T. King, A. A. Baski, C. W. Litton, J. Jasinski, Z. Liliental-Weber and H. Morkoç, Phys. Stat. Sol. (a) 188 (2001) 571.
22. Z. Liliental-Weber, C. Kisielowski, S. Ruvimov, Y. Chen, J. Washburn, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun and S. Porowski, J. Electron. Mater. 25 (1996) 1545.
23. J. Jasinski, Z. Liliental-Weber, D. Huang, M. A. Reshchikov, F. Yun, H. Morkoç, C. Sone, S. S. Park and K. Y. Lee, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 722 (2002) K3.1.
24. J. Jasinski and Z. Liliental-Weber, J. Electron. Mater. 31 (2002) 429.
25. Z. Liliental-Weber, J. Jasinski, J. Washburn and M. A. O'Keefe, Microscopy and Microanalysis 2002. Quebec City, Canada, August 4-8.
26. F. Yun, M. A. Reshchikov, K. Jones, P. Visconti, H. Morkoç, S. S. Park and K. Y. Lee, Solid State Electron. 44 (2000) 2225.
27. H. Morkoç, Mater. Sci. Eng. Rep. 259 (2001) 1, and references therein.
28. B. K. Meyer, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449 (1997) 497.
29. V. Kirilyuk, A. R. Zauner, P. C. Christianen, L. J. Weyher, P. R. Hageman and P. K. Larsen, Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 2355.
30. J. M. Baranowski, Z. Liliental-Weber, K. Korona, K. Pakula, R. Stepniewski, A. Wysmolek, I. Grzegory, G. Nowak, S. Porowski, B. Monemar and P. Bergman, in "III-V Nitrides", edited by F. A. Ponce, T. D. Moustakas, I. Akasaki and B. Monemar 449 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1997) 393.
31. B. J. Scromme, J. Jayapalan, R. P. Vaudo and V. M. Phanse, Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 2358.
32. K. Kornitzer, M. Grehl, K. Thonke, R. Sauer, C. Kirchner, V. Schwegler, M. Kamp, M. Leszczynski, I. Grzegory and S. Porowski, Physica B 273-374 (1999) 66.
33. B. Monemar, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 10 (1999) 227.
34. -3, as has been found previously for one of the similarly grown GaN templates.)
35. Y. J. Wang, R. Kaplan, H. K. Ng, K. Doverspike, D. K. Gaskill, T. Ikedo, I. Akasaki and H. Amano, J. Appl. Phys. 79 (1996) 8007.
36. F. Mireles and S. E. Ulloa, Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 248.
37. J. Jayapalan, B. J. Skromme, R. P. Vaudo and V. M. Phanse, ibid. 73 (1998) 1188.
38. J. Neugebauer and C. G. Van De Walle, ibid. 69 (1996) 503.
39. M. A. Reshchikov, P. Visconti and H. Morkoç, ibid. 78 (2001) 177.
40. M. A. Reshchikov, F. Shahedipour, R. Y. Korotkov, B. W. Wessels and M. P. Ulmer, J. Appl. Phys. 87 (2000) 3351.
41. P. J. Dean, J. D. Cuthbert, D. G. Thomas and R. T. Lynch, Phys. Rev. Lett. 18 (1967) 122.
42. D. Volm, K. Oettinger, T. Streibl, D. Kovalev, M. Ben-Chorin, J. Diener, B. K. Meyer, J. Majewski, L. Eckey, A. Hoffmann, H. Amano, I. Akasaki, K. Hiramatsu and T. Detchprohm, Phys. Rev. B 53 (1996) 16543.
43. B. Damilano, N. Grandjean, S. Dalmasso and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 3751.
44. S. Chichibu, T. Sota, K. Wada and S. Nakamura, J. Vac. Sci. Tech. B 16 (1998) 2004.
45. Y. Cho, G. H. Gainer, A. J. Fischer, J. J. Song, S. Keller, U. K. Mishra and S. P. Denbaars, Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 1370.
46. W. Shan, B. D. Little, J. J. Song, Z. C. Feng, M. Schurman and R. A. Stall, ibid. 69 (1996) 3315.
47. T. Makino, C. H. Chia, N. T. Tuan, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, K. Tamura and H. Koinuma, ibid. 77 (2000) 1632.
48. P. Waltereit, M. D. Craven, S. P. Denbaars and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 92 (2002) 456.