Deposition of SiO2 layers on GaN by photochemical vapor deposition

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 150, Issue 2, 2003, Pages

  Chang, Shoou Jinn ^a   Su, Yan Kuin ^a   Chiou, Yu Zung ^a   Chiou, Jung Ran ^b   Huang, Bohr Ran ^b   Chang, Chia Sheng ^a   Chen, Jone F ^a  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL YUNLIN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY; BIPOLAR TRANSISTORS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; DEUTERIUM; LIGHT EMITTING DIODES; MAGNETRON SPUTTERING; SILICA;

PHOTOCHEMICAL VAPOR DEPOSITION;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0037329129     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1534598     Document Type: Article

References (35)

1. T. Tojyo, T. Asano, M. Takeya, T. Hino, S. Kijima, S. Goto, S. Uchida, and M. Ikeda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 40, 3206 (2001).
2. J. B. Webb, H. Tang, J. A. Bardwell, and P. Coleridge, Appl. Phys. Lett., 78, 3845 (2001).
3. A. Tarakji, G. Simin, N. Ilinskaya, X. Hu, A. Kumar, A. Koudymov, J. Yang, M. Asif Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett., 78, 2169 (2001).
4. S. Yoshida and J. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 38, L851 (1999).
5. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, J. Appl. Phys., 76, 81989 (1994).
6. T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 38, 3976 (1999).
7. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett., 66, 1249 (1995).
8. Y. K. Su, Y. Z. Chiou, F. S. Juang, S. J. Chang, and J. K. She, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 40, 2996 (2001).
9. H. C. Casey, Jr., G. G. Fountain, R. G. Alley, B. P. Keller, and Steven P. DenBaars, Appl. Phys. Lett., 68, 1850 (1996).
10. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett., 73, 809 (1998).
11. D. J. Fu, Y. H. Kwon, T. W. Kang, C. J. Park, K. H. Baek, H. Y. Cho, D. H. Shin, C. H. Lee, and K. S. Chung, Appl. Phys. Lett., 80, 446 (2002).
12. L. H. Peng, C. H. Liao, Y. C. Hsu, C. S. Jong, C. N. Huang, J. K. Ho, C. C. Chiu, and C. Y. Chen, Appl. Phys. Lett., 76, 511 (2000).
13. H. C. Casey, Jr., G. G. Fountain, and R. G. Alley, B. P. Keller, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett., 68, 13 (1996).
14. C. J. Huang and Y. K. Su, J. Appl. Phys., 67, 3350 (1990).
15. S. J. Chang, Y. K. Su, F. S. Juang, C. T. Lin, C. D. Chiang, and Y. T. Cherng, IEEE J. Quantum Electron., 36, 583 (2000).
16. C. T. Lin, Y. K. Su, S. J. Chang, H. T. Huang, S. M. Chang, and T. P. Sun, IEEE Photonics Technol. Lett., 9, 232 (1997).
17. C. T. Lin, Y. K. Su, H. T. Huang, S. J. Chang, G. S. Chen, T. P. Sun, and J. J. Luo, IEEE Photonics Technol. Lett., 8, 676 (1996).
18. C. T. Lin, S. J. Chang, D. K. Nayak, and Y. Shiraki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 34, 72 (1995).
19. J. K. Sheu, J. M. Tsai, S. C. Shei, W. C. Lai, T. C. Wen, C. H. Kou, Y. K. Su, S. J. Chang, and G. C. Chi, IEEE Electron Device Lett., 22, 460 (2001).
20. C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE Photonics Technol. Lett., 13, 848 (2001).
21. W. C. Lai, S. J. Chang, M. Yokoyama, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE Photonics Technol. Lett., 13, 559 (2001).
22. Y. K. Su, Y. Z. Chiou, F. S. Juang, S. J. Chang, and J. K. Sheu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 40, 2996 (2001).
23. C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. K. Sheu, and I. C. Lin, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 40, 2762 (2001).
24. L. W. Wu, S. J. Chang, T. C. Wen, Y. K. Su, W. C. Lai, C. H. Kuo, C. H. Chen, and J. K. Shen, IEEE J. Quantum Electron., 38, 446 (2002).
25. C. H. Kuo, S. J. Chang, Y. K. Su, J. F. Chen, L. W. Wu, J. K. Sheu, C. H. Chen, and G. C. Chi, IEEE Electron Device Lett., 23, 240 (2002).
26. C. H. Ko, Y. K. Su, S. J. Chang, T. M. Kuan, C. I. Chiang, W. H. Lan, W. J. Lin, and J. Webb, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 41, 2489 (2002).
27. J. K. Sheu, C. J. Pan, G. C. Chi, C. H. Kuo, L. W. Wu, C. H. Chen, S. J. Chang, and Y. K. Su, IEEE Photonics Technol. Lett., 14, 450 (2002).
28. S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu, and U. H. Liaw, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 8, 278 (2002).
29. C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 8, 284 (2002).
30. C. H. Chen, Y. K. Su, S. J. Chang, G. C. Chi, J. K. Sheu, J. F. Chen, C. H. Liu, and U. H. Liaw, IEEE Electron Device Lett., 23, 130 (2002).
31. C. H. Ko, S. J. Chang, Y. K. Su, W. H. Lan, J. F. Chen, T. M. Kuan, Y. C. Huang, C. I. Chiang, J. Webb, and W. J. Lin, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 41, L226 (2002).
32. S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. F. Chen, and J. M. Tsai, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron., 8, 744 (2002).
33. J. K. Sheu, C. J. Tun, M. S. Tsai, C. C. Lee, G. C. Chi, S. J. Chang, and Y. K. Su, J. Appl. Phys., 91, 1845 (2002).
34. C. H. Kuo, S. J. Chang, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, C. H. Chen, and G. C. Chi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 41, L112 (2002).
35. E. H. Nicollian and J. R. Brews, MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology, p. 96, Wiley, New York, (1982).