Correlation between current-voltage characteristics and dislocations evaluated with submicrometer Schottky contacts on n-GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 21, Issue 2, 2003, Pages 698-705

  Shiojima, Kenji ^a   Suemitsu, Tetsuya ^a  

^a NTT CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRIC CONTACTS; ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SEMICONDUCTOR GROWTH;

SCHOTTKY CONTACTS;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0037274076     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1547735     Document Type: Article

References (35)

1. S. T. Sheppard, K. Doverspike, W. L. Pribble, S. T. Allen, J. W. Palmour, L. T. Kehias, and T. J. Jenkins, IEEE Electron Device Lett. 20, 161 (1999).
2. B. J. Thibeault, B. P. Keller, Y.-F. Wu, P. Fini, U. K. Mishra, C. Nguyen, N. X. Nguyen, and M. Le, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 1997, 569 (1997).
3. B. E. Foutz, L. F. Eastman, U. V. Bhapkar, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 70, 2849 (1997).
4. Y. Ohno and M. Kuzuhara, IEEE Trans. Electron Devices 48, 517 (2001).
5. M. Lezczynski, B. Beaumont, E. Frayssinet, W. Knap, P. Prystawko, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 75, 1276 (1999).
6. D. Kapolnek, S. Keller, R. Vetury, R. D. Underwood, P. Kozodoy, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 71, 1204 (1997).
7. T. S. Zheleva, O.-H. Nam, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
8. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, L899 (1997).
9. M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L316 (1998).
10. K. Shiojima, T. Suemitsu, and M. Ogura, Appl. Phys. Lett. 78, 3636 (2001).
11. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981), pp. 245-311.
12. K. Shiojima, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 37 (2000).
13. J. S. Foresi and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 2859 (1993).
14. K. Shiojima, J. M. Woodall, C. J. Eiting, P. A. Grudowski, and R. D. Dupuis, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 2030 (1999).
15. A. C. Schmitz, A. T. Ping, M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, and I. Adesida, J. Electron. Mater. 27, 255 (1998).
16. L. S. Yu, Q. Z. Liu, Q. J. Xing, D. J. Qiao, S. S. Lau, and J. Redwing, J. Appl. Phys. 84, 2099(1998).
17. H. Hasegawa and S. Oyama, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1647 (2002).
18. L. F. Wagner, R. W. Young, and A. Sugerman, IEEE Electron Device Lett. 4. 320 (1983).
19. Z.-Q. Fang, D. C. Reynolds, and D. C. Look, J. Electron. Mater. 29, 448 (2000).
20. J. B. Fedison, T. P. Chow, H. Lu, and I. B. Bhat, Appl. Phys. Lett. 72, 2841 (1998).
21. A. F. Wright and U. Grossner, Appl. Phys. Lett. 73, 2751 (1998).
22. K. Leung, A. F. Wright, and E. B. Stechel, Appl. Phys. Lett. 74, 2495 (1999).
23. J. Elsner, R. Jones, M. I. Heggie, P. K. Sitch, M. Haugk, Th. Frauenheim, S. Öberg, and P. R. Briddon, Phys. Rev. B 58, 12571 (1998).
24. J. Elsner et al., Phys. Rev. Lett. 79, 3672 (1997).
25. H. M. Ng, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, N. G. Weimann, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 73, 821 (1998).
26. S. J. Rosner, E. C. Carr, M. J. Ludowise, G. Girolami, and H. I. Erikson, Appl. Phys. Lett. 70, 420 (1997).
27. E. G. Brazel, M. A. Chin, and V. Narayanamuti, Appl. Phys. Lett. 74, 2367 (1999).
28. A. Olbrich, J. Vanceaq, F. Kreupl, and H. Hoffmann, Appl. Phys. Lett. 70, 2559 (1997).
29. J. W. P. Hsu et al., Appl. Phys. Lett. 78, 1685 (2001).
30. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, S. N. G. Chu, C. H. Chen, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 78, 3980 (2001).
31. B. Keying, E. J. Tarsa, C. R. Elsass, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 85, 6470 (1999).
32. G. S. Rohrer, J. Payne, W. Qian, M. Skowronski, K. Doverspike, L. B. Rowland, and D. K. Gaskill, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 381 (1996).
33. P. J. Hansen et al., Appl. Phys. Lett. 72, 2247 (1998).
34. G. Koley and M. G. Spencer, Appl. Phys. Lett. 78, 2873 (2001).
35. W. Qian, G. S. Rohrer, M. Skowronski, K. Doverspike, L. B. Rowland, and D. K. Gaskill, Appl. Phys. Lett. 67, 2284 (1995).