Effect of growth stoichiometry on the electrical activity of screw dislocations in GaN films grown by molecular-beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 25, 2001, Pages 3980-3982

  Hsu, J W P ^a   Manfra, M J ^a   Chu, S N G ^b   Chen, C H ^a   Pfeiffer, L N ^a   Molnar, R J ^c  

^a LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

^b AGERE SYSTEMS   (United States)

^c MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0038974576     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1379789     Document Type: Article

References (22)

1. M. J. Manfra, L. N. Pfeiffer, K. West, H. L. Stormer, K. W. Baldwin, J. W. P. Hsu, D. V. Lang, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 77, 2888 (2000).
2. E. Frayssinet, W. Knap, P. Lorenzini, N. Grandjean, J. Massies, C. Skierbiszewski, T. Suzuki, I. Grzegory, S. Porowski, G. Simin, X. Hu, M. Asif Khan, M. S. Shur, R. Gaska, and D. Maude, Appl. Phys. Lett. 77, 2551 (2000).
3. I. P. Smorchkova, C. R. Elsass, J. P. Ibbetson, R. Vetury, B. Heying, P. Fini, E. Haus, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 86, 4520 (1999).
4. M. J. Manfra, presented at 2000 Fall Mater. Res. Soc. Meeting, 17 November-1 December, Boston, MA.
5. H. M. Ng, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, N. G. Weimann, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 73, 821 (1998); D. Jena, A. C. Gossard, U. K. Mishra, ibid. 76, 1707 (2000).
6. H. M. Ng, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, N. G. Weimann, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 73, 821 (1998); D. Jena, A. C. Gossard, U. K. Mishra, ibid. 76, 1707 (2000).
7. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
8. C. Gmachl, H. M. Ng, S.-N. G. Chu, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 77, 3722 (2000).
9. B. Heying, E. J. Tarsa, C. R. Elsass, P. Fini, S. P. DenBaars, J. S. Speck, J. Appl. Phys. 85, 6470 (1999).
10. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, D. V. Lang, K. W. Balwin, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, J. Electron. Mater. 30, 110 (2001).
11. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, D. V. Lang, S. Richter, S. N. G. Chu, A. M. Sergent, R. N. Kleiman, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 78, 1685 (2001).
12. J. W. P. Hsu, D. V. Lang, S. Richter, R. N. Kleinman, A. M. Sergent, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 77, 2873 (2000).
13. T. Hino, S. Tomiya, T. Miyajima, K. Yanashima, S. Hashimoto, and M. Ikeda, Appl. Phys. Lett. 76, 3421 (2000).
14. E. G. Brazel, M. A. Chin, and V. Narayanamurti, Appl. Phys. Lett. 74, 2367 (1999).
15. J. Elsner, R. Jone, P. K. Sitch, V. D. Prezag, M. Elsner, Th. Frauenheim, M. I. Heggie, S. Oberg, and P. R. Briddon, Phys. Rev. Lett. 79, 3672 (1997).
16. A. F. Wright and U. Grossner, Appl. Phys. Lett. 73, 2751 (1998).
17. Y. Xin, S. J. Pennycook, N. D. Browning, P. D. Nellist, S. Sivananthan, F. Omnes, B. Beaumont, J. P. Faurie, and P. Gibart, Appl. Phys. Lett. 72, 2680 (1998); P. Ruterana, V. Potin, G. Nouet, R. Bonnet, and M. Loubradou, Mater. Sci. Eng., B 59, 177 (1999).
18. Y. Xin, S. J. Pennycook, N. D. Browning, P. D. Nellist, S. Sivananthan, F. Omnes, B. Beaumont, J. P. Faurie, and P. Gibart, Appl. Phys. Lett. 72, 2680 (1998); P. Ruterana, V. Potin, G. Nouet, R. Bonnet, and M. Loubradou, Mater. Sci. Eng., B 59, 177 (1999).
19. J. Elsner, R. Jones, M. I. Heggie, P. K. Sitch, M. Haugk, Th. Frauenheim, S. Oberg, and P. R. Briddon, Phys. Rev. B 58, 12571 (1998); K. Leung, A. F. Wright, and E. B. Stechel, Appl. Phys. Lett. 74, 2495 (1999).
20. J. Elsner, R. Jones, M. I. Heggie, P. K. Sitch, M. Haugk, Th. Frauenheim, S. Oberg, and P. R. Briddon, Phys. Rev. B 58, 12571 (1998); K. Leung, A. F. Wright, and E. B. Stechel, Appl. Phys. Lett. 74, 2495 (1999).
21. D. Cherns, W. T. Young, J. W. Steeds, F. A. Ponce, and S. Nakamura, J. Crystal Growth 178, 201 (1997).
22. J. E. Northrup, Appl. Phys. Lett. 78, 2288 (2001).