Scanning Kelvin probe microscopy characterization of dislocations in III-nitrides grown by metalorganic chemical vapor deposition

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 19, 2001, Pages 2873-2875

  Koley, G ^a   Spencer, M G ^a  

^a School of Chemical and Molecular Engineering   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035820825     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1369390     Document Type: Article

References (23)

1. Y. F. Wu, S. Keller, P. Kozodoy, B. P. Keller, P. Parikh, D. Kapolnek, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 18, 290 (1997).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).
3. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249 (1995).
4. S. M. Lee, M. A. Belkhir, X. Y. Zhu, Y. H. Lee, Y. G. Hwang, and T. Frauenheim, Phys. Rev. B 61, 16033 (2000).
5. J. Elsner, R. Jones, P. K. Sitch, V. D. Porezag, M. Elstner, Th. Frauenheim, M. I. Heggie, S. Oberg, and P. R. Briddon, Phys. Rev. Lett. 79, 3672 (1997).
6. N. G. Weimann, L. F. Eastman, D. Doppalapudi, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 83, 3656 (1998).
7. F. A. Ponce, D. P. Bour, W. Götz and P. J. Wright, Appl. Phys. Lett. 68, 57 (1996).
8. S. Evoy, H. G. Craighead, S. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 29 (1999).
9. C. Youtsey, L. T. Romano, and I. Adesida, Appl. Phys. Lett. 73, 797 (1998).
10. P. J. Hansen, Y. E. Strausser, A. N. Erickson, E. J. Tarsa, P. Kozodoy, E. G. Brazel, J. P. Ibbetson, U. Mishra, V. Narayanamurti, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 72, 2247 (1998).
11. P. M. Bridger, Z. Z. Bandić, E. C. Piquette, and T. C. McGill, Appl. Phys. Lett. 74, 3522 (1999).
12. J. A. Smart, A. T. Schremer, N. G. Wiemann, O. Ambacher, L. F. Eastman, and J. R. Shealy, Appl. Phys. Lett. 75, 388 (1999).
13. B. Heying, E. J. Tarsa, C. R. Elsass, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 85, 6470 (1999).
14. G. S. Rohrer, J. Payne, W. Qian, M. Skowronski, K. Doverspike, L. B. Rowland, and D. K. Gaskill, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 381 (1996).
15. F. C. Frank, Acta Crystallogr. 4, 497 (1951).
16. J. W. Hong, S. Park, and Z. G. Khim, Rev. Sci. Instrum. 70, 1735 (1999).
17. C. Shi, P. M. Asbeck, and E. T. Yu, Appl. Phys. Lett. 74, 573 (1999).
18. V. M. Bermudez, J. Appl. Phys. 86, 1170 (1999).
19. E. T. Yu, X. Z. Dang, L. S. Yu, D. Qiao, P. M. Asbeck, S. S. Lau, G. J. Sullivan, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 73, 1880 (1998).
20. A. C. Schmitz, A. T. Ping, M. Asif Khan, Q. Chen, J. W. Yang, and I. Adesida, J. Electron. Mater. 27, 255 (1998).
21. S. P. Grabowski, M. Schneider, H. Nienhaus, W. Monch, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, presented at the Fourth European Gallium Nitride Workshop, Nottingham. England, 2000.
22. V. M. Bermudez, J. Appl. Phys. 80, 1190 (1996).
23. W. G. Perry, M. B. Bremser, and R. F. Davis, J. Appl. Phys. 83, 469 (1998).