Development of InGaN-based red LED grown on (0001) polar surface

Applied Physics Express

Volumn 7, Issue 7, 2014, Pages

  Hwang, Jong Il ^a   Hashimoto, Rei ^a   Saito, Shinji ^a   Nunoue, Shinya ^a  

^a TOSHIBA CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

PHASE SEPARATION; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

ACTIVE LAYER; AL CONTENT; BLUE EMISSION; C-PLANE SAPPHIRE SUBSTRATES; DC CURRENT; EXTERNAL QUANTUM EFFICIENCY; LIGHT OUTPUT POWER; POLAR SURFACES;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 84904633708     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.7567/APEX.7.071003     Document Type: Article

References (40)

1. Y. Narukawa, M. Ichikawa, D. Sanga, M. Sano, and T. Mukai, J. Phys. D 43, 354002 (2010).
2. T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 3976 (1999).
3. M. Funato, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Kosugi, M. Takahashi, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 45, L659 (2006).
4. U. Strauß, T. Hager, G. Brüderl, T. Wurm, A. Somers, C. Eichler, C. Vierheilig, A. Löffler, J. Ristic, and A. Avramescu, Proc. SPIE, 8986, 89861L (2014).
5. M. Funato, Y. S. Kim, T. Hira, A. Kaneta, Y. Kawakami, T. Miyoshi, and S. Nagahama, Appl. Phys. Express 6, 111002 (2013).
6. M. H. Crawford, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 15, 1028 (2009).
7. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L382 (1997).
8. A. E. Romanov, T. J. Baker, S. Nakamura, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 100, 023522 (2006).
9. S. Yamamoto, Y. Zhao, C. C. Pan, R. B. Chung, K. Fujito, J. Sonoda, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Express 3, 122102 (2010).
10. A. Avramescu, T. Lermer, J. Müller, C. Eichler, G. Bruederl, M. Sabathil, S. Lutgen, and U. Strauss, Appl. Phys. Express 3, 061003 (2010).
11. S. Ploch, T. Wernicke, M. Frentrup, M. Pristovsek, M. Weyers, and M. Kneissl, Appl. Phys. Lett. 101, 202102 (2012).
12. Y. Zhao, Q. Yan, C. Y. Huang, S. C. Huang, P. S. Hsu, S. Tanaka, C. C. Pan, Y. Kawaguchi, K. Fujito, C. G. Van de Walle, J. S. Speck, S. P. DenBaars, S. Nakamura, and D. Feezell, Appl. Phys. Lett. 100, 201108 (2012).
13. T. Langer, A. Kruse, F. A. Ketzer, A. Schwiegel, L. Hoffmann, H. Jönen, H. Bremers, U. Rossow, and A. Hangleiter, Phys. Status Solidi C 8, 2170 (2011).
14. I. Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701 (1996).
15. K. G. Belyaev, M. V. Rakhlin, V. N. Jmerik, A. M. Mizerov, Ya. V. Kuznetsova, M. V. Zamoryanskaya, S. V. Ivanov, and A. A. Toropov, Phys. Status Solidi C 10, 527 (2013).
16. H. Sekiguchi, K. Kishino, and A. Kikuchi, Appl. Phys. Lett. 96, 231104 (2010).
17. K. Ohkawa, T. Watanabe, M. Sakamoto, A. Hirako, and M. Deura, J. Cryst. Growth 343, 13 (2012).
18. H. Sekiguchi, Y. Takagi, T. Otani, R. Matsumura, H. Okada, and A. Wakahara, Jpn. J. Appl. Phys. 52, 08JH01 (2013).
19. J. I. Hwang, R. Hashimoto, S. Saito, and S. Nunoue, Jpn. J. Appl. Phys. 52, 08JL13 (2013).
20. J. I. Hwang, R. Hashimoto, S. Saito, and S. Nunoue, Proc. SPIE 8625, 86251G (2013).
21. R. Hashimoto, S. Saito, J. I. Hwang, and S. Nunoue, Phys. Status Solidi C 10, 1529 (2013).
22. S. Saito, R. Hashimoto, J. I. Hwang, and S. Nunoue, Appl. Phys. Express 6, 111004 (2013).
23. T. Hikosaka, T. Shioda, Y. Harada, K. Tachibana, N. Sugiyama, and S. Nunoue, Phys. Status Solidi C 8, 2016 (2011).
24. T. Shioda, H. Yoshida, K. Tachibana, N. Sugiyama, and S. Nunoue, Phys. Status Solidi A 209, 473 (2012).
25. C. Tsai, G. Fan, and Y. Lee, Appl. Phys. A 104, 319 (2011).
26. A. V. Lobanova, A. L. Kolesnikova, A. E. Romanov, S. Yu. Karpov, M. E. Rudinsky, and E. V. Yakovlev, Appl. Phys. Lett. 103, 152106 (2013).
27. F. Liu, L. Huang, R. Kamaladasa, Y. N. Picard, E. A. Preble, T. Paskova, K. R. Evans, R. F. Davis, and L. M. Porter, J. Cryst. Growth 387, 16 (2014).
28. T. Doi, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys. 52, 08JB14 (2013).
29. J. P. R. David, T. E. Sale, A. S. Pabla, P. J. Rodríguez- Gironés, J. Woodhead, R. Grey, G. J. Rees, P. N. Robson, M. S. Skolnick, and R. A. Hogg, Appl. Phys. Lett. 68, 820 (1996).
30. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
31. R. Cingolani, A. Botchkarev, H. Tang, H. Morkoç, G. Traetta, G. Coli, M. Lomascolo, A. Di Carlo, F. Della Sala, and P. Lugli, Phys. Rev. B 61, 2711 (2000).
32. D. S. Meyaard, Q. Shan, Q. Dai, J. H. Cho, E. F. Schubert, M. H. Kim, and C. S. Sone, Appl. Phys. Lett. 99, 041112 (2011).
33. S. Chhajed, J. Cho, E. F. Schubert, J. K. Kim, D. D. Koleske, and M. H. Crawford, Phys. Status Solidi A 208, 947 (2011).
34. C. Huh, W. J. Schaff, L. F. Eastman, and S. J. Park, IEEE Electron Device Lett. 25, 61 (2004).
35. D. S. Meyaard, Q. Shan, J. H. Cho, E. F. Schubert, S. H. Han, M. H. Kim, C. S. Sone, S. J. Oh, and J. K. Kim, Appl. Phys. Lett. 100, 081106 (2012).
36. N. L. Ploch, S. Einfeldt, M. Frentrup, J. Rass, T. Wernicke, A. Knauer, V. Kueller, M. Weyers, and M. Kneissl, Semicond. Sci. Technol. 28, 125021 (2013).
37. S. H. Lee, H. K. Lee, S. B. Bae, J. B. Kim, S. B. Kim, and J. S. Yu, Phys. Status Solidi A 210, 2479 (2013).
38. S. Chhajed, Y. Xi, Y.-L. Li, Th. Gessmann, and E. F. Schubert, J. Appl. Phys. 97, 054506 (2005).
39. M. H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. K. Kim, E. F. Schubert, J. Piprek, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 91, 183507 (2007).
40. M. F. Schubert, S. Chhajed, J. K. Kim, E. F. Schubert, D. D. Koleske, M. H. Crawford, S. R. Lee, A. J. Fischer, G. Thaler, and M. A. Banas, Appl. Phys. Lett. 91, 231114 (2007).