High-efficiency green-yellow light-emitting diodes grown on sapphire (0001) substrates

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics

Volumn 10, Issue 11, 2013, Pages 1529-1532

  Hashimoto, Rei ^a   Hwang, Jongil ^a   Saito, Shinji ^a   Nunoue, Shinya ^a  

^a TOSHIBA CORPORATION   (Japan)

Author keywords

C plane sapphire substrates; Green yellow gap; Green yellow InGaN LED; High efficiency

Indexed keywords

C-PLANE SAPPHIRE SUBSTRATES; EMISSION WAVELENGTH; EXTERNAL QUANTUM EFFICIENCY; GREEN-YELLOW GAP; HIGH OUTPUT POWER; HIGH-EFFICIENCY; INGAN LED; INGAN QUANTUM WELLS;

EFFICIENCY; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SAPPHIRE; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 84887626848     PISSN: 18626351     EISSN: 16101642     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssc.201300238     Document Type: Article

References (18)

1. M. H. Crawford, IEEE Sel. Top. Quantum Electron. 15, 1028 (2009).
2. J.-H. Ryou, P. D. Yoder, J. Liu, Z. Lochner, H. Kim, S. Choi, H. J. Kim, and R. D. Dupuis, IEEE Sel. Top. Quantum Electron. 15, 1080 (2009).
3. T. Paskova, R. Kroeger, S. Figge, D. Hommel, V. Darakchieva, B. Monemar, E. Preble, A. Hanser, N. M. Williams, and M. Tutor, Appl. Phys. Lett. 89, 051914- 1(2006).
4. K. Okamoto, H. Ohta, D. Nakagawa, M. Sonobe, J. Ichihara, and H. Takasu, Jpn. J. Appl. Phys. 45, L1197 (2006).
5. K. Fujito, K. Kiyomi, T. Mochizuki, H. Oota, H. Namita, S. Nagao, and I. Fujimura, Phys. Status Solidi A 205, 1056 (2008).
6. M. Funato, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Kosugi, M. Takahashi, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 45, L659 (2006).
7. S. Yamamoto, Y. Zhao, C.-C. Pan, R. B. Chung, K. Fujito, J. Sonoda, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Express 3, 122102 (2010).
8. Y. Zhao, S. H. Oh, F. Wu, Y. Kawaguchi, S. Tanaka, K. Fujito, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Express 6, 062102 (2013).
9. T. Shioda, H. Yoshida, K. Tachibana, N. Sugiyama, and S. Nunoue, Phy. Status Solidi A 209, 473 (2012).
10. Y. Chen, T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki, N. Yamada, Y. Kaneko, and S. Y. Wang, Appl. Phys. Lett. 72, 710 (1998).
11. M. D. McCluskey, L. T. Romano, B. S. Krusor, D. P. Bour, N. M. Johnson, and S. Brennan, Appl. Phys. Lett. 72, 1730 (1998).
12. D. Gerthsen, B. Neubauer, A. Rosehnauer, T. Stephan, H. Kalt, O. Schon, and M. Heuken, Appl. Phys. Lett. 79, 2552 (2001).
13. T.Hikosaka, T. Shioda, Y. Harada, K. Tachibana, N. Sugiyama, and S. Nunoue, Phys. Status Solidi C 8, 2016 (2011).
14. F. C.-P. Massabuau, S.-L. Sahonta, L. Trinh-Xuan, S. Rhode, T. J. Puchtler, M. J. Kappers, C. J. Humphreys, and R. A. Oliver, Appl. Phys. Lett. 101, 212107 (2012).
15. S.-L. Sahonta, M. J. Kappers, D. Zhu, T. J. Puchtler, T. Zhu, S. E. Bennett, C. J. Humphreys, and R. A. Oliver. Phys. Status Solidi A 210, 195 (2013).
16. H. K. Cho, J. Y. Lee, G. M. Yang, and C. S. Kim, Appl. Phys. Lett. 79, 215 (2001).
17. N. A. El-Masry, E. L. Piner, S. X. Liu, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 72, 40 (1998).
18. X. H. Wu, C. R. Elsaas, A. Abare, M. Mack, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. J. Rosner, Appl. Phys. Lett. 72, 692 (1998).