Temperature and injection current dependent optical and thermal characteristics of InGaN-based green large-area light-emitting diodes

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 210, Issue 11, 2013, Pages 2479-2484

  Lee, Soo Hyun ^a   Lee, Hee Kwan ^a   Bae, Sungbum ^b   Kim, Jongbae ^b   Kim, Sung Bock ^b   Yu, Jae Su ^a  

^a Kyung Hee University   (South Korea)

^b Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)   (South Korea)

Author keywords

device characteristics; finite element methods; InGaN; light emitting diodes

Indexed keywords

CHARACTERISTIC TEMPERATURE; DEVICE CHARACTERISTICS; INGAN; JUNCTION TEMPERATURES; OPTICAL OUTPUT POWER; PATTERNED SAPPHIRE SUBSTRATE; TEMPERATURE DEPENDENT; THERMAL CHARACTERISTICS;

DIODES; FINITE ELEMENT METHOD; SAPPHIRE; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 84888198242     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.201228256     Document Type: Article

References (25)

1. M. Koike, N. Shibata, H. Kato, and, Y. Takahashi, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 271 (2002).
2. D. A. Steigerwald, J. C. Bhat, D. Collins, R. M. Fletcher, M. O. Holcomb, M. J. Ludowise, P. S. Martin, and, S. L. Rudaz, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 310 (2002).
3. S. Muthu, F. J. P. Schuurmans, and, M. D. Pashley, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 333 (2002).
4. M. R. Krames, O. B. Shchekin, R. M. Mach, G. O. Muller-Mach, L. Zhou, G. arbers, and, M. G. Craford, J. Display Technol. 3, 160 (2007).
5. Y. D. Qi, H. Liang, D. Wang, Z. D. Lu, W. Tang, and, K. M. Lau, Appl. Phys. Lett. 86, 101903 (2005).
6. H. K. Cho, J. Y. Lee, C. S. Kim, G. M. Yang, N. Sharma, and, C. Humphreys, J. Cryst. Growth 231, 446 (2001).
7. H. M. Kim, Y. H. Cho, H. S. Lee, S. I. Kim, S. R. Ryu, D. Y. Kim, T. W. Kang, and, K. S. Chung, Nano Lett. 4, 1059 (2004).
8. N. Tansu, R. A. Arif, H. Zhao, G. S. Huang, and, Y. K. Ee, Proc. SPIE 7058, 705812 (2008).
9. M. H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. Q. Kim, and, E. F. Schubert, Appl. Phys. Lett. 91, 183507 (2007).
10. Y. Li, S. You, M. Zhu, L. Zhao, W. Hou, T. Detchprohm, Y. Taniguchi, N. Tamura, S. Tanaka, and, C. Wetzel, Appl. Phys. Lett. 98, 151102 (2011).
11. K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Imada, M. Kato, and, T. Taguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L583 (2001).
12. S. Chhajed, Y. Xi, Y. L. Li, Th. Gessmann, and, E. F. Schubert, J. Appl. Phys. 97, 054506 (2005).
13. P. Fischer, J. Christen, M. Zacharias, V. Schwegler, C. Kirchner, and, M. Kamp, Appl. Phys. Lett. 75, 3440 (1999).
14. J. Senawiratne, W. Zhao, T. Detchprohm, A. Chatterjee, Y. Li, M. Zhu, Y. Xia, J. L. Plawsky, and, C. Wetzel, Phys. Status Solidi C 5, 2247 (2008).
15. F. Jiang, W. Liu, Y. Li, W. Fang, C. Mo, M. Zhou, and, H. Liu, J. Lumin. 122-123, 693 (2007).
16. H. K. Lee, D. H. Lee, Y. M. Song, Y. T. Lee, and, J. S. Yu, Sol. State Electron. 56, 79 (2011).
17. G. I. Hatakoshi, M. Onomura, M. Yamamoto, S. Y. Nunoue, K. Itaya, and, M. Ishikawa, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 2764 (1999).
18. J. Piprek, Nitride Semiconductor Devices: Principles and Simulation (Wiley-VCH, Weinheim, 2007).
19. L. Piskorski, R. P. Sazała, and, W. Nakwaski, Semicond. Sci. Technol. 22, 593 (2007).
20. X. Shao, H. Lu, D. Chen, Z. Xie, R. Zhang, and, Y. Zheng, Appl. Phys. Lett. 95, 163504 (2009).
21. D. S. Meyaard, Q. Shan, J. H. Cho, E. F. Schubert, S. H. Han, M. H. Kim, C. S. Sone, S. J. Oh, and, J. K. Kim, Appl. Phys. Lett. 100, 081106 (2012).
22. C. B. Chung, and, L. C. Chen, Appl. Surf. Sci. 254, 6586 (2008).
23. T. Mukai, M. Yamada, and, S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 3976 (1999).
24. S. Chhajed, J. Cho, E. F. Schubert, J. K. Kim, D. D. Koleske, and, M. H. Crawford, Phys. Status Solidi A 208, 947 (2011).
25. J. Cho, E. Yoon, Y. Park, W. J. Ha, and, J. K. Kim, Electron. Mater. Lett. 6, 51 (2010).