NiOx Schottky-gated ZnO nanowire metal-semiconductor field effect transistor: Fast logic inverter and photo-detector

Journal of Materials Chemistry C

Volumn 2, Issue 22, 2014, Pages 4428-4435

  Ali Raza, Syed Raza ^a   Hosseini Shokouh, Seyyed Hossein ^a   Lee, Young Tack ^a   Ha, Ryong ^a   Choi, Heon Jin ^a   Im, Seongil ^a  

^a Yonsei University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

NANOWIRES; THRESHOLD VOLTAGE; ZINC OXIDE;

GATE-SOURCE VOLTAGE; HIGH VOLTAGE GAIN; METAL SEMICONDUCTORS; OXIDE-SEMICONDUCTOR INTERFACES; PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY; SEMI-TRANSPARENT NIO; SUPPLY VOLTAGES; ZNO NANOWIRES;

MESFET DEVICES;

EID: 84900837836     PISSN: 20507534     EISSN: 20507526     Source Type: Journal    
DOI: 10.1039/c4tc00266k     Document Type: Article

References (50)

1. S. Ju A. Facchetti Y. Xuan J. Liu F. Ishikawa P. Ye C. Zhou T. J. Marks D. B. Janes Nat. Nanotechnol. 2007 2 378 384
2. D. Kalblein R. T. Weitz H. J. Bottcher F. Ante U. Zschieschang K. Kern H. Klauk Nano Lett. 2011 11 5309 5315
3. S. Ju K. Lee D. B. Janes M. H. Yoon A. Facchetti T. J. Marks Nano Lett. 2005 5 2281 2286
4. W. K. Hong G. Jo J. I. Sohn W. Park M. Choe G. Wang Y. H. Kahng M. E. Welland T. Lee ACS Nano 2010 4 811 818
5. Y. Tack Lee J. Keun Kim R. Ha H.-J. Choi S. Im Appl. Phys. Lett. 2011 99 153507
6. W. K. Hong J. I. Sohn D. K. Hwang S. S. Kwon G. Jo S. Song S. M. Kim H. J. Ko S. J. Park M. E. Welland T. Lee Nano Lett. 2008 8 950 956
7. K. Keem D. Y. Jeong S. Kim M. S. Lee I. S. Yeo U. I. Chung J. T. Moon Nano Lett. 2006 6 1454 1458
8. Y. T. Lee S. R. Ali Raza P. J. Jeon R. Ha H. J. Choi S. Im Nanoscale 2013 5 4181 4185
9. B. Ryu Y. T. Lee K. H. Lee R. Ha J. H. Park H. J. Choi S. Im Nano Lett. 2011 11 4246 4250
10. T. I. Lee W. J. Choi J. P. Kar Y. H. Kang J. H. Jeon J. H. Park Y. S. Kim H. K. Baik J. M. Myoung Nano Lett. 2010 10 3517 3523
11. J. Kim J. H. Yun C. H. Kim Y. C. Park J. Y. Woo J. Park J. H. Lee J. Yi C. S. Han Nanotechnology 2010 21 115205
12. Y. W. Heo L. C. Tien D. P. Norton S. J. Pearton B. S. Kang F. Ren J. R. LaRoche Appl. Phys. Lett. 2004 85 3107 3109
13. G. Cheng X. H. Wu B. Liu B. Li X. T. Zhang Z. L. Du Appl. Phys. Lett. 2011 99 203105
14. Q. Yang Y. Liu C. Pan J. Chen X. Wen Z. L. Wang Nano Lett. 2013 13 607 613
15. W. Y. Weng S. J. Chang C. L. Hsu T. J. Hsueh ACS Appl. Mater. Interfaces 2011 3 162 166
16. Q. Yang X. Guo W. Wang Y. Zhang S. Xu D. H. Lien Z. L. Wang ACS Nano 2010 4 6285 6291
17. S. R. Raza Y. T. Lee Y. G. Chang P. J. Jeon J. H. Kim R. Ha H. J. Choi S. Im Phys. Chem. Chem. Phys. 2013 15 2660 2664
18. H. Kind H. Q. Yan B. Messer M. Law P. D. Yang Adv. Mater. 2002 14 158 160
19. F. Zhang Y. Ding Y. Zhang X. Zhang Z. L. Wang ACS Nano 2012 6 9229 9236
20. A. Menzel K. Subannajui F. Guder D. Moser O. Paul M. Zacharias Adv. Funct. Mater. 2011 21 4342 4348
21. C. W. Na H. S. Woo I. D. Kim J. H. Lee Chem. Commun. 2011 47 5148 5150
22. S. N. Das J. P. Kar J. H. Choi T. Il Lee K. J. Moon J. M. Myoung J. Phys. Chem. C 2010 114 1689 1693
23. X. Pan X. Liu A. Bermak Z. Fan ACS Nano 2013 7 9318 9324
24. Y. T. Lee P. J. Jeon K. H. Lee R. Ha H. J. Choi S. Im Adv. Mater. 2012 24 3020 3025
25. J. I. Sohn S. S. Choi S. M. Morris J. S. Bendall H. J. Coles W. K. Hong G. Jo T. Lee M. E. Welland Nano Lett. 2010 10 4316 4320
26. M. Riaz J. H. Song O. Nur Z. L. Wang M. Willander Adv. Funct. Mater. 2011 21 628 633
27. J. H. He C. L. Hsin J. Liu L. J. Chen Z. L. Wang Adv. Mater. 2007 19 781 784
28. F. J. Klupfel F. L. Schein M. Lorenz H. Frenzel H. von Wenckstern M. Grundmann IEEE Trans. Electron Devices 2013 60 1828 1833
29. S. M. Sze and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, Wiley, 2006
30. S. N. Das J. H. Choi J. P. Kar K. J. Moon T. Il Lee J. M. Myoung Appl. Phys. Lett. 2010 96 092111
31. W. I. Park J. S. Kim G. C. Yi H. J. Lee Adv. Mater. 2005 17 1393 1397
32. P. Wu Y. Ye T. Sun R. Peng X. Wen W. Xu C. Liu L. Dai ACS Nano 2009 3 3138 3142
33. S. Lany A. Zunger Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 2005 72 035215
34. S. A. Fortuna X. L. Li IEEE Electron Device Lett. 2009 30 593 595
35. R. M. Ma L. Dai H. B. Huo W. J. Xu G. G. Qin Nano Lett. 2007 7 3300 3304
36. P. T. Blanchard K. A. Bertness T. E. Harvey L. M. Mansfield A. W. Sanders N. A. Sanford IEEE Trans. Nanotechnol. 2008 7 760 765
37. R. M. Ma L. Dai C. Liu W. J. Xu G. G. Qin Appl. Phys. Lett. 2008 93 053105
38. J.-M. Choi D. K. Hwang J. H. Kim S. Im Appl. Phys. Lett. 2005 86 123505
39. R. M. Ma L. Dai G. G. Qin Nano Lett. 2007 7 868 873
40. Y. Yang W. Guo X. Wang Z. Wang J. Qi Y. Zhang Nano Lett. 2012 12 1919 1922
41. Y. Dai B. Yu Y. Ye P. C. Wu H. Meng L. Dai G. G. Qin J. Mater. Chem. 2012 22 18442 18446
42. A. Janotti C. G. Van de Walle Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 2007 76 165202
43. N. H. Moreira B. Aradi A. L. da Rosa T. Frauenheim J. Phys. Chem. C 2010 114 18860 18865
44. I. Shalish H. Temkin V. Narayanamurti Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 2004 69 245401
45. R. M. Sheetz I. Ponomareva E. Richter A. N. Andriotis M. Menon Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 2009 80 195314
46. Y. Tang J. Chen D. Greiner L. Ae R. Baier J. Lehmann S. Sadewasser M. C. Lux-Steiner J. Phys. Chem. C 2011 115 5239 5243
47. Z. Y. Fan J. G. Lu Appl. Phys. Lett. 2005 86 032111
48. C. A. Aguilar R. Haight A. Mavrokefalos B. A. Korgel S. Chen ACS Nano 2009 3 3057 3062
49. S. Jeon S. E. Ahn I. Song C. J. Kim U. I. Chung E. Lee I. Yoo A. Nathan S. Lee J. Robertson K. Kim Nat. Mater. 2012 11 301 305
50. S. R. Raza Y. T. Lee S. H. Hosseini Shokouh R. Ha H. J. Choi S. Im Nanoscale 2013 5 10829 10834