Tunable electronic transport characteristics of surface-architecture- controlled ZnO nanowire field effect transistors

Nano Letters

Volumn 8, Issue 3, 2008, Pages 950-956

  Hong, Woong Ki ^a   Sohn, Jung Inn ^b   Hwang, Dae Kue ^a   Kwon, Soon Shin ^a   Jo, Gunho ^a   Song, Sunghoon ^a   Kim, Seong Min ^c   Ko, Hang Ju ^c   Park, Seong Ju ^a   Weiland, Mark E ^b   Lee, Takhee ^a  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

^b UNIVERSITY OF CAMBRIDGE   (United Kingdom)

^c Korea Photonics Technology Institute (KOPTI)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CORUNDUM; ELECTRIC WIRE; ELECTRON MULTIPLIERS; GOLD; MESFET DEVICES; NANOWIRES; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; SURFACE MORPHOLOGY; THRESHOLD VOLTAGE; TRANSPORT PROPERTIES; ZINC OXIDE;

AU CATALYSTS; BUFFER FILMS; C-PLANE SAPPHIRE SUBSTRATES; DEEP-LEVEL EMISSIONS; DEVICE STRUCTURES; ELECTRONIC TRANSPORT PROPERTIES; ELECTRONIC TRANSPORTS; ENHANCEMENT MODES; GEOMETRIC PROPERTIES; MORPHOLOGY AND SIZES; N CHANNELS; VAPOR TRANSPORT METHODS; ZNO; ZNO NANOWIRES;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 45149123823     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl0731116     Document Type: Article

References (62)

1. (a) Wang, Z. L J. Phys.: Condens. Matter 2004, 16, R829.
2. (b) Goldberger, J.; Sirbuly, D. J.; Law, M.; Yang, P. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 9.
3. Dorfman, A.; Kumar, N.; Hahm, J. Adv. Mater. 2006, 18, 2685.
4. Bao, J.; Zimmler, M. A.; Capasso, F. Nano Lett. 2006, 6, 1719.
5. Law, M.; Greene, L. E.; Johnson, J. C.; Saykally, R.; Yang, P. D. Nat. Mater. 2005, 4, 455.
6. Wang, J.; Polizzi, E.; Ghosh, A.; Datta, S.; Lundstrom, M. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 043101.
7. Hastas, N. A.; Dimitriadis, C. A.; Kamarinos, G. J. Appl. Phys. 2002, 92, 4741.
8. (a) Dayeh, S. A.; Soci, C.; Yu, P. K. L.; Yu, E. T.; Wang, D. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 162112.
9. (b) Dayeh, S. A.; Soci, C.; Yu, P. K. L.; Yu, E. T.; Wang, D. J. Vac. Sci. Technol, B 2007, 25, 1432.
10. Wang, D.; Chang, Y.-L.; Wang, Q.; Cao, J.; Farmer, D. B.; Gordon, R. G.; Dai, H. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 11602.
11. (a) Lieber, C. M. Solid State Commun. 1998, 107, 607.
12. (b) Calarco, R.; Marso, M.; Richter, T.; Akanat, A. I.; Meijers, R.; Hart, A. d.; Stoica, T.; Lüth, H. Nano Lett. 2005, 5, 981.
13. (c) Elfström, N.; Juhasz, R.; Sychugov, I.; Engfeldt, T.; Karlstrom, A. E.; Linnros, J. Nano Lett. 2007, 7, 2608.
14. (d) Chen, C. Q.; Shi, Y.; Zhang, Y. S.; Zhu, J.; Yan, Y. J. Phys. Rev. Lett. 2006, 96, 075505.
15. (e) Hsu, Y.-J.; Lu, S.-Y.; Lin, Y.-F Small 2006, 2, 268.
16. (a) Zhou, X. T.; Sham, T. K.; Shan, Y. Y.; Duan, X. F.; Lee, S. T.; Rosenberg, R. A. J. Appl. Phys. 2005, 97, 104315.
17. (b) Nam, C. Y.; Tham, D.; Fischer, J. E. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5676.
18. Peng, H.; Meister, S.; Chan, C. K.; Zhang, X. F.; Cui, Y. Nano Lett. 2007, 7, 199.
19. (a) Xu, L.; Su, Y.; Chen, Y.; Xiao, H.; Zhu, L.; Zhou, Q.; Li, S. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 6637.
20. (b) Fan, H. J.; Fuhrmann, B.; Scholz, R.; Himcinschi, C.; Berger, A.; Leipner, H.; Dadgar, A.; Krost, A.; Christiansen, S.; Gösele, U.; Zacharias, M. Nanotechnology 2006, 17, S231.
21. (c) Glushenkov, A. M.; Zhang, H. Z.; Zou, J.; Lu, G. Q.; Chen, Y. Nanotechnology 2007, 18, 175604.
22. (d) Hughes, W. L.; Wang, Z. L. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 6703.
23. (a) Ju, S.; Lee, K.; Yoon, M.-H.; Facchetti, A.; Marks, T. J.; Janes, D. B Nanotechnology 2007, 18, 155201.
24. (b) Chang, P.-C.; Fan, Z.; Chien, C. J.; Stichtenoth, D.; Ronning, C.; Lu, J. G. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 133113.
25. (c) Fan, Z.; Wang, D.; Chang, P.-C.; Tseng, W.-Y.; Lu, J. G Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5923.
26. (d) Li, Q. H.; Wan, Q.; Liang, Y. X.; Wang, T. H. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 4556.
27. (e) Soci, C.; Zhang, A.; Xiang, B.; Dayeh, S. A.; Aplin, D. P. R.; Park, J.; Bao, X. Y.; Lo, Y. H.; Wang, D. Nano Lett. 2007, 7, 1003.
28. Shalish, I.; Temkin, H.; Narayanamurti, V. Phys. Rev. B 2004, 69, 245401.
29. (a) Chiou, J. W.; Kumar, K. P. K.; Jan, J. C.; Tsai, H. M.; Bao, C. W.; Pong, W. F.; Chien, F. Z.; Tsai, M.-H.; Hong, I.-H.; Klauser, R.; Lee, J. F.; Wu, J. J.; Liu, S. C. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 3220.
30. (b) Ozawa, K.; Sawada, K.; Shirotori, Y.; Edamoto, K. Phys. Rev. B 2003, 68, 125417.
31. (a) Hanrath, T.; Korgel, B. A. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 5518.
32. (b) Liao, Z.-M.; Liu, K.-J.; Zhang, J.-M.; Xu, J.; YuD. -P., Phys. Lett. A 2007, 367, 207.
33. (c) Jones, F; Léonard, F.; Talin, A. A.; Bell, N. S J. Appl. Phys. 2007, 102, 014305.
34. Hong, W.-K.; Hwang, D.-K.; Park, I.-K.; Jo, G.; Song, S.; Park, S.-J.; Lee, T.; Kim, B.-J.; Stach, E. A. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 243103.
35. (a) Hong, W.-K.; Kim, B.-J.; Kim, T.-W.; Jo, G.; Song, S.; Kwon, S.-S.; Yoon, A.; Stach, E. A.; Lee, T. Colloids Surf., A 2008, 313-314, 378.
36. (a) Wunnicke, O. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 083102.
37. (b) Khanal, D. R.; Wu, J. Nano Lett. 2007, 7, 2778.
38. (a) Park, D. J.; Lee, J. Y.; Kim, D. C.; Mohanta, S. K.; Cho, H. K. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 143115.
39. (b) Park, S.-H.; Han, S.-W. J. Nanosci. Nanotechnol 2007, 7, 2526.
40. (c) Park, S.-H.; Seo, S.-Y.; Kim, S.-H.; Han, S.-W. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 251903.
41. (d) Cong, G. W.; Wei, H. Y.; Zhang, P. F.; Wu, J. J.; Liu, X. L.; Jia, C. M.; Hu, W. G.; Zhu, Q. S.; Wang, Z. G. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 231903.
42. (e) Chen, Y.; Ko; H. -J.; Hong, S.-K.; Yao, T.; Segawa, Y. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 1358.
43. (f) Kumar, R. T. R.; McGlynn, E.; McLoughlin, C.; Chakrabarti, S.; Smith, R. C.; Carey, J. D.; Mosnier, J. P.; Henry, M. O. Nanotechnology 2007, 18, 215704.
44. (a) Djurišić, A. B.; Choy, W. C. H.; Roy, V. A. L.; Leung, Y. H.; Kwong, C. Y.; Cheah, K. W.; Rao, T. K. G.; Chan, W. K.; Lui, H. F.; Surya, C. Adv. Funct. Mater. 2004, 14, 856.
45. (b) Djurišić, A. B.; Leung, Y. H. Small 2006, 2, 944.
46. (c) Zhou, X.; Kuang, Q.; Jiang, Z.-Y.; Xie, Z.-X.; Xu, T.; Huang, R.-B.; Zheng, L.-S. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 12091.
47. (d) Pan, N.; Wang, X. P.; Li, M.; Li, F. Q.; Hou, J. G. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 17265.
48. (a) Lin, B.; Fu, Z.; Jia, Y. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 943.
49. (b) Kohan, A. F.; Ceder, G.; Morgan, D. Phys. Rev. B 2000, 61, 15019.
50. (c) Oh, D. C.; Suzuki, T.; Kim, J. J.; Makino, H.; Hanada, T.; Cho, M. W.; Yao, T. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 032909.
51. (d) Auret, F. D.; Goodman, S. A.; Legodi, M. J.; Meyer, W. E.; Look, D. C. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 1340.
52. Arora, N. MOSFET models for VLSI circuit simulation; Springer-Verlag: Wien and New York, 1993.
53. Wang, D.; Seo, H. W.; Tin, C.-C.; Bozack, M. J.; Williams, J. R.; Park, M.; Sathitsuksanoh, N.; Cheng, A.-j.; Tzeng, Y. H. J. Appl. Phys. 2006, 99, 113509.
54. (a) Ikeda, H. J. Appl. Phys. 2002, 91, 4637.
55. (b) Hossain, F. M.; Nishii, J.; Takagi, S.; Ohtomo, A.; Fukumura, T.; Fujioka, H.; Ohno, H.; Koinuma, H.; Kawasaki, M. J. Appl. Phys. 2003, 94, 7768.
56. (c) Yoon, Y.; Lin, J.; Pearton, S. J.; Guo, J. J. Appl. Phys. 2007, 101, 024301.
57. Mora-Seró, I.; Fabregat-Santiago, F.; Denier, B.; Bisquert, J.; TenaZaera, R.; Elias, J.; Lévy-Clément, C. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 203117.
58. Kolmakov, A.; Moskovits, M. Annu. Rev. Mater. Res. 2004, 34, 151.
59. Dehuff, N. L.; Kettenring, E. S.; Hong, D.; Chiang, H. Q.; Wager, J. F.; Hoffman, R. L.; Park, C.-H.; Keszler, D. A. J. Appl. Phys. 2005, 97, 064505.
60. (a) Yu, P. Y.; Cardona, M. Fundamentals of Semiconducotors: Physics and materials properties; Springer-Verlag: Berlin, 2001.
61. (b) Taur, Y.; Ning, T. H. Fundamentals of Modern VLSI Devices; Cambridge University Press: Cambridge, 1998.
62. Fan, Z.; Lu, J. G. J. Nanosci. Nanotechnol. 2005, 5, 1561.