Pt/ZnO nanowire Schottky diodes

Applied Physics Letters

Volumn 85, Issue 15, 2004, Pages 3107-3109

  Heo, Y W ^a   Tien, L C ^a   Norton, D P ^a   Pearton, S J ^a   Kang, B S ^a   Ren, F ^a   LaRoche, J R ^a  

^a University of Florida   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRONIC CHARGE; NANOWIRES DEVICES; PHOTORESPONSE; ULTRAVIOLET ILLUMINATION;

COATED MATERIALS; CURRENT DENSITY; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY; ELECTRON TRANSITIONS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SEMICONDUCTOR QUANTUM WIRES; SILICA;

SCHOTTKY BARRIER DIODES;

EID: 8644268157     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1802372     Document Type: Article

References (31)

1. D.C. Look, Mater. Sci. Eng., B 80, 383 (2001).
2. M. Wraback, H. Shen, S. Liang, C. R. Gorla, and Y. Lu, Appl. Phys. Lett. 76, 507 (1999).
3. S. Krishnamoorthy, A. A. Iliadis, A. Inumpudi, S. Choopun, R. D. Vispute, and T. Venkatesan, Solid-State Electron. 46, 1631 (2002).
4. S. Liang, H. Sheng, Y. Liu, Z. Huo, Y. Lu, and H. Shen, J. Cryst. Growth 225, 110 (2001).
5. S. O. Kucheyev, J. E. Bradley, J. S. Williams, C. Jagadish, and M. V. Swain, Appl. Phys. Lett. 80, 956 (2002).
6. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
7. Q. H. Li, Q. Wan, Y. X. Liang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 84, 4556 (2004).
8. K. Keem, H. Kim, G. T. Kim, J. S. Lee, B. Min, K. Cho, M. Y. Sung, and S. Kim, Appl. Phys. Lett. 84, 4376 (2004).
9. B. H. Kind, H. Yan, B. Messer, M. Law, and P. Yang, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 158 (2002).
10. C. H. Liu, W. C. Liu, F. C. K. Au, J. X. Ding, C. S. Lee, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 83, 3168 (2003).
11. W. I. Park, G. C. Yi, J. W. Kim, and S. M. Park, Appl. Phys. Lett. 82, 4358 (2003).
12. J. J. Wu and S. C. Liu, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 215 (2002).
13. H. T. Ng, J. Li, M. K. Smith, P. Nguygen, A. Cassell, J. Han, and M. Meyyappan, Science 300, 1249 (2003).
14. J. Q. Hu and Y. Bando, Appl. Phys. Lett. 82, 14019 (2003).
15. W. I. Park, G. C. Yi, M. Y. Kim, and S. J. Pennycook, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 15, 526 (2003).
16. Y. W. Heo, V. Varadarjan, M. Kaufman, K. Kim, D. P. Norton, F. Ren, and P. H. Fleming, Appl. Phys. Lett. 81, 3046 (2002).
17. P. J. Poole, J. Lefebvre, and J. Fraser, Appl. Phys. Lett. 83, 2055 (2003).
18. M. He, M. M. E. Fahmi, S. Noor Mohammad, R. N. Jacobs, L. Salamanca-Riba, F. Feit, M. Jah, A. Sharma, and D. Lakins, Appl. Phys. Lett. 82, 3749 (2003).
19. X. C. Wu, W. H. Song, W. D. Huang, M. H. Pu, B. Zhao, Y. P. Sun, and J. J. Du, Chem. Phys. Lett. 328, 5 (2000).
20. M. J. Zheng, L. D. Zhang, G. H. Li, X. Y. Zhang, and X. F. Wang, Appl. Phys. Lett. 79, 839 (2001).
21. S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh, H. J. Lee, H. W. Shim, E. K. Suh, and C. J. Lee, Chem. Phys. 80, 414 (2001).
22. B. P. Zhang, N. T. Binh, Y. Segawa, K. Wakatsuki, and N. Usami, Appl. Phys. Lett. 83, 1635 (2003).
23. W. I. Park, Y. H. Jun, S. W. Jung, and G. Yi, Appl. Phys. Lett. 82, 964 (2003).
24. B. D. Yao, Y. F. Chan, and N. Wang, Appl. Phys. Lett. 81, 757 (2002).
25. Z. W. Pan, Z. R. Dai, and Z. L. Wang, Science 291, 1947 (2001).
26. X. W. Sun, S. F. Yu, C. X. Xu, C. Yuen, B. J. Chen, and S. Li, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L1229 (2003).
27. J. F. Chang, H. H. Kuo, I. C. Leu, and M. H. Hon, Sens. Actuators B 84, 258 (1994).
28. Q. Wan, Q. H. Li, Y. J. Chen, T. H. Wang, X. L. He, J. P. Li, and C. L. Lin, Appl. Phys. Lett. 84, 3654 (2004).
29. Q. Wan, Q. H. Li, Y. J. Chen, T. H. Wang, X. L. He, X. G. Gao, and J. P. Li, Appl. Phys. Lett. 84, 3654 (2004).
30. C. A. Mead, Phys. Lett. 18, 218 (1965).
31. K. Ip, Y. W. Heo, K. H. Baik, D. P. Norton, S. J. Pearton, S. Kim, J. R. LaRoche, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 84, 2835 (2004).