Morphology control of hot-wall MOCVD selective area grown hexagonal GaN pyramids

Crystal Growth and Design

Volumn 12, Issue 11, 2012, Pages 5491-5496

  Lundskog, Anders ^a   Forsberg, Urban ^a   Holtz, Per Olof ^a   Janzén, Erik ^a  

^a LINKÖPING UNIVERSITY   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GROWTH CONDITIONS; GROWTH TIME; HEXAGONAL GAN; MORPHOLOGICAL VARIATION; MORPHOLOGY CONTROL; NON-POLAR; SELECTIVE AREAS; SEMIPOLAR;

METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 84868703836     PISSN: 15287483     EISSN: 15287505     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cg301064p     Document Type: Article

References (48)

1. Ejder, E. Phys. Status Solidi A 1971, 6, 445-448
2. Scholz, F.; Wunderer, T.; Neubert, B.; Feneberg, M.; Thonke, K. MRS Bull. 2009, 34, 328-333
3. Kim, H. M.; Cho, Y. H.; Lee, H.; Kim, S. I.; Ryu, S. R.; Kim, D. Y.; Kang, T. W.; Chung, K. S. Nano Lett. 2004, 4, 1059-1062
4. Choi, J. H.; Zoulkarneev, A.; Kim, S. I.; Baik, C. W.; Yang, M. H.; Park, S. S.; Suh, H.; Kim, U. J.; Son, H. B.; Lee, J. S.; Kim, M.; Kim, J. K.; Kim, K. Nat. Photonics 2011, 5, 763-769
5. Ryou, J. H.; Yoder, P. D.; Liu, J.; Lochnerm, Z.; Hyunsoo, K.; Choi, S.; Kim, H. J.; Dupuis, R. D. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2009, 15, 1080-1091
6. Bernardini, F.; Fiorentini, V. Appl. Phys. Lett. 2011, 80, 4145
7. Takeuchi, T.; Sota, S.; Katsuragawa, M.; Komori, M.; Takeuchi, H.; Amano, H.; Akasaki, I. Jpn. J. Appl. Phys. 1997, 36, L382
8. Kozawa, T.; Suzuki, M.; Taga, Y.; Gotoh, Y.; Ishikawa, J. J. Vac. Sci. Technol., B 1998, 16, 833
9. Chattopadhyay, S.; Chen, L. I.; Chen, K. H. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 2006, 31, 15-53
10. Hsu, C. W.; Lundskog, A.; Karlsson, K. F.; Forsberg, U.; Janzén, E.; Holtz, P. O. Nano Lett. 2011, 11, 2415-2418
11. Edwards, P. R.; Martin, R. W.; Watson, I. M.; Liu, C.; Taylor, R. A.; Rice, J. H.; Na, J. H.; Robinson, J. W.; Smith, J. D. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 4281
12. Lundskog, A.; Palisaitis, J.; Hsu, C. W.; Eriksson, M.; Karlsson, K. F.; Hultman, L.; Persson, P. O. Å.; Forsberg, U.; Holtz, P. O.; Janzén, E. Nanotechnology 2012, 23, 305708
13. Hiramatsu, K. J. Phys.: Condens. Matter 2001, 13, 6961
14. Lundin, W. V.; Zavarin, E. E.; Rozhavskaya, M. M.; Troshkov, S. I.; Tsatsulnikov, A. F. Tech. Phys. Lett. 2011, 37, 735-738
15. Akasaka, T.; Kobayashi, Y.; Ando, S.; Kobayashi, N. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 2196
16. Sun, Q.; Yerino, C. D.; Leung, B.; Han, J.; Coltrin, M. E. J. Appl. Phys. 2011, 110, 053517
17. Akasaka, T.; Kobayashi, Y.; Ando, S.; Kobayashi, N.; Kumagai, M. J. Cryst. Growth 1998, 189-190, 72-77
18. Fang, Z. L.; Lin, Y. X.; Kang, J. Y. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 061911
19. Li, S. F.; Fuendling, S.; Wang, X.; Merzsch, S.; Al-Suleiman, M. A. M.; Wei, J. D.; Wehmann, H.-H.; Waag, A.; Bergbauer, W.; Strassburg, M. Cryst. Growth Des. 2011, 11, 1573-1577
20. Chen, X. J.; Gayral, B.; Sam-Giao, D.; Bougerol, C.; Durand, C.; Eymery, J. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 251910
21. Choi, K.; Arita, M.; Arakawa, Y. J. Cryst. Growth 2012, 357, 58-61
22. Hersee, S. D.; Sun, X. Y.; Wang, X. Nano Lett. 2006, 6, 1808-1811
23. Tang, T. Y.; Shiao, W. Y.; Lin, C. H.; Shen, K. C.; Huang, J. J.; Ting, S. Y.; Liu, T. C.; Yang, C. C.; Yao, C. L.; Yeh, J. H.; Hsu, T. C.; Chen, W. C.; Hsu, H. C.; Chen, L. I. J. Appl. Phys. 2009, 105, 023501
24. Bergbauer, W.; Strassburg, M.; Kölper, Ch.; Linder, N.; Roder, C.; Lähnemann, J.; Trampert, A.; Fündling, S.; Li, S. F.; Wehmann, H. H.; Waag, A. J. Cryst. Growth 2011, 315, 164-167
25. Li, S. F.; Fündling, S.; Wang, X.; Erenburg, M.; Al-Suleiman, M. A. M.; Wei, J. D.; Bergbauer, W.; Strassburg, M.; Wehmann, H. H.; Waag, A. Phys. Status Solidi C 2011, 7-8, 2318-2320
26. W Bergbauer, W.; Strassburg, M.; Kolper, C.; Linder, N.; Roder, C.; Lahnemann, J.; Trampert, A.; Fundling, S.; Li, S. F.; Wehmann, H. H.; Waag, A. Nanotechnology 2010, 21, 305201
27. Chen, X. J.; Hwang, J. S.; Perillat-Merceroz, G.; Landis, S.; Martin, B.; Dang, D. L. S.; Eymery, J.; Durand, C. J. Cryst. Growth 2011, 322, 15-22
28. Hiramatsu, K; Nishiyama, K.; Motogaito, A.; Miyake, H.; Iyechika, Y.; Maeda, T. Phys. Status Solidi A 1999, 176, 535-543
29. Akasaka, T.; Kobayashi, Y.; Ando, S.; Kobayashi, N.; Kumagai, M. J. Cryst. Growth 1998, 189-190, 72-77
30. Forsberg, U.; Lundskog, A.; Kakanakova-Georgieva, A.; Ciechonski, R.; Janzén, E. J. Cryst. Growth 2009, 311, 3007-3010
31. Kakanakova-Georgieva, A.; Ciechonski, R.; Forsberg, U.; Lundskog, A.; Janzén, E. Cryst. Growth Des. 2009, 9, 880-884
32. Creighton, J. R.; Wang, G. T.; Breiland, W. G.; Coltrin, M. E. J. Cryst. Growth 2004, 261, 204-213
33. Dauelsberg, M.; Protzmann, C. M. H.; Boyd, A. R.; Thrush, E. J.; Käppeler, J.; Heuken, M.; Talalaev, R. A.; Yakovlev, E. V.; Kondratyev, A. V. J. Cryst. Growth 2007, 298, 418-424
34. Lee, C. D.; Feenstra, R. M.; Northrup, J. E.; Lymperakis, L.; Neugebauer, J. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1793
35. Northrup, J. E.; Neugebauer, J. Phys. Rev. B 1996, 53, R10477-R10480
36. Segev, D.; Van de Walle, C. G. Europhys. Lett. 2006, 76, 305
37. Waltereit, P.; Brandt, O.; Ramsteiner, M.; Trampert, A.; Grahn, H. T.; Menniger, J.; Reiche, M.; Uecker, R.; Reiche, P.; Ploog, K. H. Phys. Status Solidi A 2000, 180, 133-138
38. Bertelli, M.; Loptien, P.; Wenderoth, M.; Rizzi, A.; Ulbrich, R. G.; Righi, M. C.; Ferretti, A.; Martin-Samos, L.; Bertoni, C. M.; Catellani, A. Phys. Rev. B 2009, 80, 115324
39. Du, D.; Srolovitz, D. J.; Coltrin, M. E.; Mitchell, C. C. Phys. Rev. Lett. 2005, 95, 155503
40. Sun, Q.; Yerino, C. D.; Ko, T. S.; Cho, Y. S.; Lee, U. H.; Han, J.; Coltrin, M. E. J. Appl. Phys. 2008, 104, 093523
41. Northrup, J. E.; Neugebauer, J. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 3429
42. Sung, M. M.; Ahn, J.; Bykov, V.; Rabalais, J. W.; Koleske, D. D.; Wickenden, A. E. Phys. Rev. B 1996, 54, 652
43. Feenstra, R. M.; Dong, Y.; Lee, C. D.; Northrup, J. E. J. Vac. Sci. Technol., B 2005, 23, 1174
44. Akiyama, T.; Ammi, D.; Nakamura, K.; Ito, T. Phys. Rev. B 2010, 81, 245317
45. Akiyama, T.; Yamashita, T.; Nakamura, K.; Ito, T. J. Cryst. Growth 2011, 318, 79-83
46. Seigo, A.; Honda, T.; Kobayashi, N. Jpn. J. Appl. Phys. 1993, 32, L104-L106
47. Kumakura, K.; Nakakoshi, K.; Motohisa, M.; Fukui, T.; Hasegawa, H. Jpn. J. Appl. Phys. 1995, 34, 4387-4389
48. Kitamura, S.; Hiramatsu, K.; Sawaki, N. Jpn. J. Appl. Phys. 1995, 34, L1184-L1186