Strong affinity of hydrogen for the GaN(000-1) surface: Implications for molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition

Applied Physics Letters

Volumn 85, Issue 16, 2004, Pages 3429-3431

  Northrup, J E ^a   Neugebauer, J ^b  

^a PALO ALTO RESEARCH CENTER   (United States)

^b UNIVERSITY OF PADERBORN   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL POTENTIAL; DENSITY FUNCTIONAL THEORY; HYDROGEN PRESSURE; SURFACE RECONSTRUCTIONS;

EPITAXIAL GROWTH; HYDROGEN; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MONOLAYERS; PROBABILITY DENSITY FUNCTION; ULTRAHIGH VACUUM;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 9744284193     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1808227     Document Type: Article

References (24)

1. A. Munkholm, G. B. Stephensen, J. A. Eastman, C. Thompson, P. Fini, J. S. Speck, O. Auciello, P. H. Fuoss, and S. P. DenBaars, Phys. Rev. Lett. 83, 741 (1999).
2. C. Cobet, T. Schmidtling, M. Drago, N. Wollschläger, N. Esser, W. Richter, R. M. Feenstra, and T. U. Kampen, J. Appl. Phys. 94, 6997 (2003).
3. F. Widmann, B. Daudin, G. Feuillet, N. Pelekanos, and J. L. Rouviere, Appl. Phys. Lett. 73, 2642 (1998).
4. J. E. Northrup, J. Neugebauer, R. M. Feenstra, and A. R. Smith, Phys. Rev. B 61, 9932 (2000).
5. C. G. Van de Walle and J. Neugebauer, Phys. Rev. Lett. 88, 066103 (2002).
6. F.-H. Wang, P. Kruger, and J. Pollmann, Phys. Rev. B 64, 035305 (2001).
7. J. Neugebauer, T. Zywietz, M. Scheffler, J. E. Northrup, H. Chen and R. M. Feenstra, Phys. Rev. Lett. 90, 056101 (2003).
8. M. Sumiya, K. Yoshimura, T. Ito, K. Ohtsuka, S. Fuke, K. Mizuno, M. Yoshimoto, H. Koinuma, A. Ohtomo, and M. Kawasaki, J. Appl. Phys. 88, 1158 (2000).
9. M. M. Sung, J. Ahn, V. Bykov, J. W. Rabalais, D. D. Koleske, and A. E. Wickenden, Phys. Rev. B 54, 14652 (1996).
10. R. Held, D. E. Crawford, A. M. Johnston, A. M. Dabiran, and P. I. Cohen, Surf. Rev. Lett. 5, 913 (1998).
11. T. H. Myers, L. S. Hirsch, L. T. Romano, and M. R. Richards-Babb, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2261 (1998).
12. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, Phys. Rev. Lett. 79, 3934 (1997); A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, M. S. Shin, M. Skowronski, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2242 (1998).
13. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, Phys. Rev. Lett. 79, 3934 (1997); A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, M. S. Shin, M. Skowronski, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2242 (1998).
14. U. Starke, S. Sloboshanin, F. S. Tautz, A. Seubert, and J. A. Schaefer, Phys. Status Solidi A 177, 5 (2000).
15. M. D. Craven, S. H. Lim, F. Wu, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 81, 1201 (2002).
16. M. Seelmann-Eggbert, J. L. Weyher, H. Obloh, H. Zimmermann, A. Rar, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 71, 2635 (1997).
17. W. Kohn and L. J. Sham, Phys. Rev. 140, 1133 (1965).
18. R. Stumpf and M. Scheffler, Comput. Phys. Commun. 79, 447 (1994).
19. N. Troullier and J. L. Martins, Phys. Rev. B 43, 1993 (1991).
20. J. P. Perdew and A. Zunger.Phys. Rev. B 23, 5048 (1981).
21. H. Monkhorst and J. Pack, Phys. Rev. B 13, 5188 (1976).
22. G.-X. Qian, R. M. Martin, and D. J. Chadi, Phys. Rev. B 38, 7649 (1988).
23. J. E. Northrup, R. Di Felice, and J. Neugebauer, Phys. Rev. B 56, R4325 (1997).
24. K. Rapcewicz, M. B. Nardelli, and J. Bernholc, Phys. Rev. B 56, 12725 (1997).