GaN-based light-emitting diodes on selectively grown semipolar crystal facets

MRS Bulletin

Volumn 34, Issue 5, 2009, Pages 328-333

  Scholz, Ferdinand ^a   Wunderer, Thomas ^a   Neubert, Barbara ^a   Feneberg, Martin ^a   Thonke, Klaus ^a  

^a NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EFFICIENCY; EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; INDIUM; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

CRYSTAL FACETS; GAN-BASED DEVICES; GAN-BASED LIGHT-EMITTING DIODES; LARGE-AREA SUBSTRATES; PIEZO-ELECTRIC FIELDS; SELECTIVE AREA EPITAXY; SURFACE FLATNESS; WAVELENGTH RANGES;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 66849129387     PISSN: 08837694     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1557/mrs2009.95     Document Type: Article

References (34)

1. T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 39, 413 (2000).
2. T. Takeuchi, S. Lester, D. Basile, G. Girolami, R. Twist, F. Mertz, M. Wong, R. Schneider, H. Amano, I. Akasaki, IPAP Conf. Series 1, 137 (2000);
3. Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors.
4. K. Nishizuka, M. Funato, Y. Kawakami, S. Fujita, Y. Narukawa, T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 85, 3122 (2004).
5. S. Khatsevich, D.H. Rich, X. Zhang, W. Zhou, P.D. Dapkus, J. Appl. Phys. 95, 1832 (2004).
6. B. Neubert, F. Habel, P. Bruckner, F. Scholz, T. Riemann, J. Christen, Mater. Res. Symp. Proc. 831, E11.32.1 (2005).
7. X. Zhang, P.D. Dapkus, D.H. Rich, I. Kim, J.T. Kobayashi, N.P. Kobayashi, J. Electron. Mat. 29, 10 (2000).
8. J. Hertkorn, P. Brückner, S.B. Thapa, T. Wunderer, F. Scholz, M. Feneberg, K. Thonke, R. Sauer, M. Beer, J. Zweck, J. Cryst. Growth 308, 30 (2007).
9. T. Wunderer, P. Brückner, B. Neubert, F. Scholz, M. Feneberg, F. Lipski, M. Schirra, K. Thonke, Appl. Phys. Lett. 89, 041121 (2006).
10. M. Funato, T. Kondou, K. Hayashi, S. Nishiura, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai, Appl. Phys. Express 1, 011106 (2008).
11. J. Off, A. Krdest, C. Vorbeck, F. Scholz, O. Ambacher, J. Crystal Growth 195, 286 (1998).
12. M. Feneberg, K. Thonke, J. Phys.: Condens. Matter 19, 403201 (2007).
13. M. Feneberg, F. Lipski, M. Schirra, R. Sauer, K. Thonke, T. Wunderer, P. Brückner, F. Scholz, Phys. Status Solidi C 5, 2089 (2008).
14. E.J. Thrush, J.P. Stagg, M.A. Gibbon, R.E. Mallard, B. Hamilton, J.M. Jowett, E.M. Allen, Mater. Sci. Eng. B 21, 130 (1993).
15. B. Neubert, "GalnN/GaN LEDs auf semi-polaren Seitenfacetten mittels selektiver Epitaxie hergestellter GaN-Streifen", PhD thesis, Universitat Ulm, 2008.
16. B. Neubert, P. Brückner, F. Habel, F. Scholz, T. Riemann, J. Christen, M. Beer, J. Zweck, Appl. Phys. Lett. 87, 182111 (2005).
17. K. Hiramatsu, K. Nishiyama, A. Motogaito, H. Miyake, Y. Iyechika, T. Maeda, Phys. Status Solidi A 176, 535 (1999).
18. K. Nishizuka, M. Funato, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 87, 231901 (2005).
19. B. Neubert, F. Habel, P. Brückner, F. Scholz, M. Schirra, M. Feneberg, K. Thonke, T. Riemann, J. Christen, M. Beer, J. Zweck, G. Moutchnik, M. Jetter, Phys. Status Solidi C 3, 1587 (2006).
20. B. Neubert, T. Wunderer, P. Brückner, F. Scholz, M. Feneberg, F. Lipski, M. Schirra, K. Thonke, J. Cryst. Growth 298, 706 (2007).
21. T. Wunderer, F. Lipski, J. Hertkorn, P. Brückner, F. Scholz, M. Feneberg, M. Schirra, K. Thonke, A. Chuvilin, U. Kaiser, Phys. Status Solidi C 5, 2059 (2008).
22. M. Aoki, H. Yamane, M. Shimada, S. Sarayama, H. Iwata, EJ. Disalvo, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 5445 (2003).
23. T. Wunderer, J. Hertkorn, F. Lipski, P. Brückner, M. Feneberg, M. Schirra, K. Thonke, I. Knoke, E. Meissner, A. Chuvilin, U. Kaiser, F. Scholz, Proc. of SPIE 6894, 68940V (2008);
24. Gallium Nitride Materials, Devices III, H. Morkoc, C.W. Litton, J.-I. Chyi, Y. Nanishi, E. Yoon, Eds.
25. RL. Bonanno, S.M. O'Malley, A.A. Sirenko, A. Kazimirov, Z. Cai, T. Wunderer, P. Brückner, F. Scholz, Appl. Phys. Lett. 92, 123106 (2008).
26. J.E. Northrup, L.T. Romano, J. Neugebauer, Appl. Phys. Lett. 74, 2319 (1999).
27. F. Scholz, D. Ottenwälder, M. Eckel, M. Wild, G. Frankowsky, T. Wacker, A. Hangleiter J. Cryst. Growth 145, 242 (1994).
28. T. Takeuchi, Ch. Wetzel, Sh. Yamaguchi, H. Sakai, H. Amano, I. Akasaki, Y. Kaneko, S. Nakagawa, Y. Yamaoka, N. Yamada, Appl. Phys. Lett. 73, 1691 (1998).
29. Yue Jun Sun, O. Brandt, S. Cronenberg, S. Dhar, H.T. Grahn, K.H. Ploog, P. Waltereit, J.S. Speck, Phys. Rev. B 73, 041306(R) (2003).
30. T. Wunderer, P. Brückner, J. Hertkorn, F. Scholz, G.J. Beirne, M. Jetter, P. Michler, M. Feneberg, K. Thonke, Appl. Phys. Lett. 90, 171123 (2007).
31. F. Scholz, Prog. Cryst. Growth Charact. 35, 243 (1997).
32. H. Gotoh, T. Tawara, Y. Kobayashi, N. Kobayashi, T. Saitoh, Appl. Phys. Lett. 83, 4791 (2003).
33. M. Feneberg, F. Lipski, R. Sauer, K. Thonke, T. Wunderer, B. Neubert, P. Brückner, F. Scholz, Appl. Phys. Lett. 86, 242112 (2006).
34. D. Fuhrmann, U. Rossow, C. Netzel, H. Bremers, G. Ade, P. Hinze, A. Hangleiter, Phys. Status Solidi C 3, 1966 (2006).