Study of [formula omitted] thin films for gate oxide applications

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 19, Issue 4, 2001, Pages 1720-1724

  Nam, Seok Woo ^a   Yoo, Jung ho ^a   Kim, Hae Young ^a   Kang, Sung Kwan ^a   ko, Dae Hong ^a   Yang, Cheol Woong ^b   Lee, Hoo Jeong ^c   Cho, Mann ho ^d   ku, ja Hum ^d  

^a Yonsei University   (South Korea)

^b Sungkyunkwan University   (South Korea)

^c STANFORD UNIVERSITY   (United States)

^d R D Center Semiconductor Samsung Electronics Co   (South Korea)

Author keywords

ZrO2

Indexed keywords

EID: 84865239109     PISSN: 07342101     EISSN: 15208559     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1351802     Document Type: Conference Paper

References (28)

1. H. S. Momose et al., IEEE Trans. Electron Devices IETDAI 43, 1233 (1996).IETDAI
2. B. Cheng et al., IEEE Trans. Electron Devices IETDAI 46, 1537 (1999).IETDAI
3. P. M. Zeizoff, Semiconductor Fabtech, 10th ed. (1999), 275.
4. D. Wristers, L. K. Han, T. Chen, H. H. Hwang, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. APPLAB 68, 2094 (1996).APPLAB
5. C. Lin, A. I. Chou, K. Kumar, P. Chindhury, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. APPLAB 69, 1591 (1996).APPLAB
6. J. Yan et al., Appl. Phys. Lett. APPLAB 68, 2666 (1996).APPLAB
7. M. Cao, P. Vande Voorde, M. Cox, and W. Greene, IEEE Electron Device Lett. EDLEDZ 19, 291 (1998).EDLEDZ
8. G. Lucovsky, A. Banerjee, B. Claflin, K. Koh, and H. Yang, Microelectron. Eng. MIENEF 36, 207 (1997).MIENEF
9. S. C. Choi, M. H. Cho, S. W. Whangbo, C. N. Whang, S. B. Kang, S. I. Lee, and M. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. APPLAB 71, 903 (1997).APPLAB
10. S. Park, C. S. Park, S. I. Lee, and M. Y. Lee, Symp. VLSI Tech. 52 (1998).
11. H. S. Kim, D. C. Gilmer, and D. L. Polla, Appl. Phys. Lett. APPLAB 69, 3860 (1996).APPLAB
12. S. A. Campbell et al., IEEE Trans. Electron Devices IETDAI 44, 104 (1997).IETDAI
13. K. A. Son, A. Y. Mao, B. Y. Kim, F. Liu, E. D. Pylant, D. A. Hess, J. M. White, D. L. Kwong, D. A. Roberts, and R. N. Vrtis, J. Vac. Sci. Technol. A JVTAD6 16, 1670 (1998).JVTAD6
14. I. Asano et al., IEDM Tech. Dig. 755 (1998).
15. Q. Lu et al., IEEE Electron Device Lett. EDLEDZ 19, 341 (1998).EDLEDZ
16. P. K. Roy and I. C. Kizilyalli, Appl. Phys. Lett. APPLAB 72, 2835 (1998).APPLAB
17. R. A. Mckee, F. J. Walker, and M. F. Chisholm, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 81, 3014 (1998).PRLTAO
18. H. D. Chen, K. R. Udayakumar, and L. C. Niles, J. Appl. Phys. JAPIAU 77, 3349 (1995).JAPIAU
19. A. S. Kao, J. Appl. Phys. JAPIAU 69, 3309 (1991).JAPIAU
20. W. J. Qi, R. Nieh, B. H. Lee, L. Kang, Y. Jeon, K. Onish, T. Ngai, S. Banerjee, and J. C. Lee, IEDM Tech. Dig. 145 (1999).
21. M. Copel, M. Gribelyuk, and E. Gusev, Appl. Phys. Lett. APPLAB 76, 436 (2000).APPLAB
22. J. Aarik, A. Aidla, A. A. Kiisler, T. Uustare, and V. Sammelselg, Thin Solid Films THSFAP 340, 110 (1999).THSFAP
23. B. H. Lee, L. Kang, W.-J. Qi, R. Nieh, Y. Jeon, K. Onish, and J. Lee, IEDM Tech. Dig. 133 (1999).
24. G. D. Wilk and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. APPLAB 74, 2854 (1999).APPLAB
25. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. JAPIAU 87, 484 (2000).JAPIAU
26. K. J. Hubbard and D. G. Schlom, J. Mater. Res. JMREEE 11, 2757 (1996).JMREEE
27. J. H. Yoo, S. W. Nam, S. K. Kang, D. H. Ko, and H. J. Lee, Microelectron. Eng. (submitted).
28. S. K. Kang, D. H. Ko, E. H. Kim, M. H. Cho, and C. N. Whang, Thin Solid Films THSFAP 353, 8 (1999).THSFAP