HBr plasma treatment versus VUV light treatment to improve 193 nm photoresist pattern linewidth roughness

Plasma Processes and Polymers

Volumn 8, Issue 12, 2011, Pages 1184-1195

  Pargon, Erwine ^a   Azarnouche, Laurent ^b   Fouchier, Marc ^a   Menguelti, Kevin ^a   Tiron, Raluca ^c   Sourd, Claire ^c   Joubert, Olivier ^a  

^a CNRS   (France)

^b STMICROELECTRONICS   (France)

^c CEA LETI   (France)

Author keywords

photoresists; plasma treatment; roughness; VUV irradiation

Indexed keywords

193 NM PHOTORESISTS; DENSE LAYER; GRAPHITIZED LAYERS; LINEWIDTH ROUGHNESS; MAIN CHAINS; PATTERNED PHOTORESISTS; PLASMA TREATMENT; POLYMER CHAINS; RESIST PATTERN; VUV IRRADIATION; VUV LIGHT;

BROMINE; CHEMICAL MODIFICATION; CROSSLINKING; GLASS TRANSITION; PHOTORESISTS; PLASMA APPLICATIONS; PLASMAS;

SURFACE ROUGHNESS;

EID: 83455247344     PISSN: 16128850     EISSN: 16128869     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/ppap.201100107     Document Type: Article

References (46)

1. H. Kawahira, N. Matsuzawa, E. Matsui, A. Ando, K. Salam, M. Yoshida, Y. Yamaguchi, K. Kugimiya, T. Tatsumi, H. Nakano, T. Iwai, M. Irie, Proc. SPIE 2006, 6153, 615319.
2. A. P. Mahorowala, K.-J. Chen, R. Sooriyakumaran, A. Clancy, D. Murthy, S. Rasgon, Proc. SPIE 2005, 5753, 380.
3. H. Ito, J. Res. Dev. 1997, 41, 69.
4. M. R. Wertheimer, A. C. Fozza, A. Holländer, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 1999, 151, 65.
5. R. Wilken, A. Holländer, J. Behnisch, Plasmas Polym. 1988, 3, 165.
6. M. J. Titus, D. Nest, D. B. Graves, J. Phys. D: Appl. Phys. 2009, 42, 245205.
7. M. Sumiya, R. L. Bruce, S. Engelmann, F. Weilnboeck, G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol., B 2008, 26, 1647.
8. R. L. Bruce, S. Engelmann, T. Lin, T. Kwon, R. J. Phaneuf, G. S. Oehrlein, B. K. Long, C. G. Willson, J. J. Végh, D. Nest, D. B. Graves, A. Alizadeh, J. Vac. Sci. Technol. B 2009, 27, 1142.
9. K. Kudo, T. Iwabuchi, K. Mutoh, T. Miyata, R. Sano, K. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys. 1990, 29, 2572.
10. D. Nest, D. B. Graves, S. Engelmann, R. L. Bruce, F. Weilnboeck, G. S. Oehrlein, C. Andes, E. A. Hudson, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 153113.
11. F.-E. Truica-Marasescu, M. R. Wertheimer, Macromol. Chem. Phys. 206, 744, 2005.
12. A. C. Fozza, J. E. Klemberg-Sapieha, M. R. Wertheimer, Plasma Polym. 1999, 4, 183.
13. V. E. Skurat, Y. I. Dorofeev, Angew. Makromol. Chem. 1994, 216, 205.
14. F. Weilnboeck, R. L. Bruce, S. Engelmann, G. S. Oehrlein, D. Nest, T.-Y. Chung, D. B. Graves, al, J. Vac. Sci. Technol., B 2010, 28, 993.
15. J. O. Choi, J. A. Moore, J. C. Corelli, J. P. Silverman, H. Bakhru, J. Vac. Sci. Technol., B 1988, 6, 2286.
16. D. Nest, T.-Y. Chung, D. B. Graves, S. Engelmann, R. L. Bruce, F. Weilnboeck, G. S. Oehrlein, D. Wang, C. Andes, E. A. Hudson, Plasma Process. Polym. 2009, 6, 649.
17. S. Engelmann, R. L. Bruce, F. Weilnboeck, M. Sumiya, T. Kwon, R. J. Phaneuf, G. S. Oehrlein, C. Andes, D. Nest, D. B. Graves, E. A. Hudson, J. Vac. Sci. Technol., B 2009, 27, 1165.
18. S. Engelmann, R. L. Bruce, F. Weilnboeck, G. S. Oehrlein, D. Nest, D. B. Graves, C. Andes, E. A. Hudson, Plasma Process. Polym. 2009, 6, 484.
19. E. Pargon, K. Menguelti, M. Martin, A. Bazin, O. Chaix-Pluchery, C. Sourd, S. Derrough, T. Lill, O. Joubert, J. Appl. Phys. 2009, 105, 094902.
20. L. Mininni, J. Foucher, P. Faurie, Proc. SPIE 2007, 6518, 65183O.
21. E. Pargon, M. Martin, J. Thiault, O. Joubert, J. Foucher, T. Lill, JVST B 2008, 1011, 26.
22. th edition, Springer, New York 2002.
23. M. Fouchier, E. Pargon, L. Azarnouche, O. Luere, K. Menguelti, G. Cunges, N. Sadhegi, O. Joubert, Proceedings of the 32nd International Symposium on Dry Process (DPS), G-2, Tokyo, 2010, p. 109.
24. M. Fouchier, E. Pargon, L. Azarnouche, O. Joubert, T. Cardolaccia, Y. C. Bae, Appl. Phys. A, published online August 30, 2011, DOI 10.1007/s00339-011- 6553-3.
25. N. Ueno, T. Mitsuhata, K. Sugita, K. Tanaka, Polym. Mater. Sci. Eng. 1989, 60, 69.
26. J. Y. Lee, P. C. Painter, M. M. Coleman, Macomolecules 1988, 21, 346.
27. G. Vereecke, M. Claes, Q. T. Le, E. Kesters, H. Struyf, R. Carleer, P. Adriansens, Proceedings of 4th International Workshop of Plasma Etch and Strip in Microelectronics, 4-5th May, PESM 2011.
28. T. H. Fedynyshyn, R. R. Kunz, R. F. Sinta, R. B. Goodman, S. P. Doran, J. Vac. Sci. Technol., B 2000, 18, 3332.
29. P. F. Conforti, Y. G. Yingling, B. J. Garrison, J. Phys. 2007, 59, 322.
30. L. J. Bellamy, The Infra-red Spectra of Complex Molecules, John and Wiley and Sons INC, New York 1960.
31. S. H. Kang, V. M. Prabhu, B. D. Vogt, E. K. Lin, K. Turnquest, Polymer 2006, 47, 6293.
32. A. Rao, S. Kang, B. D. Vogt, V. M. Prabhu, E. K. Lin, W. L. Wu, K. Turnquest, D. Hinsberg, Proc. SPIE 2006, 6153, 615310.
33. R. Tiron, E. Pargon, L. Azarnouche, H. Fontaine, S. Cetre, C. Sourd, Proc. SPIE 2011, 7972, 797215.
34. O. Chiantore, L. Trossarelli, M. Lazzari, Polymer 2000, 41, 1657.
35. J. Lacoste, D. J. Carlsson, J. Polym. Sci., Part A: Polym. Chem. 1992, 30, 493.
36. J. Schwan, S. Ulrich, V. Batori, H. Ehrhardt, S. R. P. Silva, J. Appl. Phys. 1996, 80, 440.
37. A. Holländer, J. E. Klemberg-Sapieha, M. R. Wertheimer, Surf. Coat. Technol. 1995, 74, 55.
38. A. Holländer, J. E. Klemberg-Sapieha, M. R. Wertheimer, J. Polym. Sci., Part A: Polym. Chem. 1995, 33, 2013.
39. R. Wilken, A. Holländer, J. Behnisch, Surf. Coat. Technol. 1999, 116-119, 991.
40. M. Lanagan, S. Lindsey, N. S. Viswanathan, Jpn. J. Appl. Phys. 1983, 22, L67-L69.
41. N. Ueno, K. Sugita, Jpn. J. Appl. Phys. 1986, 25, 1455.
42. Y. Koval, J. Vac. Sci. Technol., B 2004, 22, 843.
43. A. R. Pal, R. L. Bruce, F. Weilnboeck, S. Engelmann, T. Lin, M.-S. Kuo, R. J. Phaneuf, G. S. Oehrlein, J. Appl. Phys. 2009, 105, 013311.
44. E. Pargon, M. Martin, K. Menguelti, L. Azarnouche, J. Foucher, O. Joubert, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 103111.
45. R. L. Bruce, F. Weilnboeck, T. Lin, R. J. Phaneuf, G. S. Oehrlein, B. K. Long, C. G. Willson, J. J. Vegh, D. Nest, D. B. Graves, J. Appl. Phys. 2010, 107, 084310.
46. G. S. Oehrlein, R. J. Phaneuf, D. B. Graves, J. Vac. Sci. Technol., B 2011, 29, 010801.