Measurement of the surface recombination velocity in organically functionalized silicon nanostructures: The case of silicon on insulator

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 115, Issue 45, 2011, Pages 22265-22270

  Coustel, Romain ^a,c   Benoît À La Guillaume, Quentin ^a   Calvo, Vincent ^a   Renault, Olivier ^b   Dubois, Lionel ^a   Duclairoir, Florence ^a   Pauc, Nicolas ^a  

^a UNIV GRENOBLE ALPES   (France)

^b CEA LETI   (France)

^c UNIVERSITÉ DE MONTPELLIER   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER TRAPS; COVALENTLY BONDED; DIRECT DETECTION; FREE CARRIERS; FUNCTIONALIZATIONS; ORGANIC LAYERS; ORGANIC MONOLAYERS; ORGANICALLY FUNCTIONALIZED; PASSIVATING PROPERTIES; PASSIVATION METHODS; PHOTOLUMINESCENCE DECAY; RECOMBINATION VELOCITY; SILICON CRYSTAL; SILICON NANOSTRUCTURES; SILICON ON INSULATOR; SILICON SURFACES; SURFACE OXIDATIONS; SURFACE RECOMBINATION VELOCITIES;

DECAY (ORGANIC); MONOLAYERS; PASSIVATION; PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; SILICA; SILICON; SILICON COMPOUNDS; TWO DIMENSIONAL; VELOCITY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

SILICON OXIDES;

EID: 80955131936     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp207946e     Document Type: Article

References (56)

1. Cummings, S. P.; Savchenko, J.; Ren, T. Coord. Chem. Rev. 2011, 255, 1587
2. De Salvo, B.; Buckley, J.; Vuillaume, D. Curr. Appl. Phys. 2011, 11, e49
3. Aswal, D. K.; Lenfant, S.; Guerin, D.; Yakhmi, J. V.; Vuillaume, D. Anal. Chim. Acta 2006, 568 (1-2) 84
4. Tondelier, D.; Lmimouni, K.; Vuillaume, D.; Fery, C.; Haas, G. Appl. Phys. Lett. 2004, 85 (23) 5763
5. Stewart, M. P.; Buriak, J. M. Adv. Mater. 2000, 12, 859
6. Palestino, G.; Legros, R.; Agarwal, V.; Pérez, E.; Gergely, C. Sens. Actuators, B 2008, 135 (1) 27
7. Trewyn, B. G.; Giri, S.; Slowing, I. I.; Lin, V.S.-Y. Chem. Commun. 2007, 31, 3236
8. Brasola, E.; Mancin, F.; Rampazzo, E.; Tecilla, P.; Tonellato, U. A. Chem. Commun. 2003, 9, 24
9. Li, Q. S.; Zhang, R. Q.; Lee, S. T.; Niehaus, T. A.; Frauenheim, Th. J. Chem. Phys. 2008, 128 (24) 244714
10. Nelles, J.; Sendor, D.; Petrat, F.-M.; Simon, U. J. Nanopart. Res. 2010, 12 (4) 1367
11. Yang, P.; Yan, R.; Fardy, M. Nano Lett. 2010, 10, 1529
12. Yan, R.; Gargas, D.; Yang, P. Nat. Photonics 2009, 3 (10) 569
13. Hochbaum, A. I.; Yang, P. Chem. Rev. 2010, 110 (1) 527
14. Patolsky, F.; Timko, B. P.; Zheng, G.; Lieber, C. M. MRS Bull. 2007, 32, 142
15. Li, Y.; Qian, F.; Xiang, J.; Lieber, C. M. Mater. Today 2006, 9 (10) 18
16. He, T.; Corley, D. A.; Lu, M.; Di Spigna, N. H.; He, J.; Nackashi, D. P.; Franzon, P. D.; Tour, J. M. J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 10023
17. Carcel, C. M.; Laha, J. K.; Loewe, R. S.; Thamyongkit, P.; Schweikart, K.-H.; Misra, V.; Bocian, D. F.; Lindsey, J. S. J. Org. Chem. 2004, 69, 6739
18. Lu, W.; Lieber, C. M. Nanoelectronics from the Bottom Up Nat. Mater. 2007, 6 (11) 841
19. Kuhr, W. G. Electrochem. Soc. Interface 2004, 13, 34
20. Fabre, B. Acc. Chem. Res. 2010, 43 (12) 1509
21. Jurow, M.; Schuckman, A. E.; Batteas, J. D.; Drain, C. M. Coord. Chem. Rev. 2010, 254 (19-20) 2297
22. Pike, A.; Horrocks, B.; Connolly, B.; Houlton, A. Aust. J. Chem. 2002, 55 (3) 191
23. Bunimovich, Y. L.; Shin, Y. S.; Yeo, W.-S.; Amori, M.; Kwong, G.; Heath, J. R. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128 (50) 16323
24. Williams, F.; George, M.; Yasar, O.; Geddis, D.; Hao, Z. Proc. SPIE 2009, 72910N
25. Buriak, J. M. Chem. Rev. 2002, 102 (5) 1271
26. Ciampi, S.; Harper, J. B.; Gooding, J. J. Chem. Soc. Rev. 2010, 39 (6) 2158
27. Roodenko, K.; Yang, F.; Hunger, R.; Esser, N.; Hinrichs, K.; Rappich, J. Surf. Sci. 2010, 604 (19-20) 1623
28. Güell, A. G.; Roodenko, K.; Yang, F.; Hinrichs, K.; Gensch, M.; Sanz, F.; Rappich, J. Mater. Sci. Eng., B 2006, 134, 273
29. Rappich, J.; Zhang, X.; Rosu, D. M.; Schade, U.; Hinrichs, K. Diffus. Defect Data, Pt. B 2009, 156-158, 363
30. Rappich, J.; Merson, A.; Roodenko, K.; Dittrich, T.; Gensch, M.; Hinrichs, K.; Shapira, Y. J. Phys. Chem. B 2006, 110 (3) 1332
31. Rappich, J.; Zhang, X.; Chapel, S.; Sun, G.; Hinrichs, K. Phys. Status Solidi C 2010, 7 (2) 210
32. Antonova, I. V.; Gulyaev, M. B.; Soots, R. A.; Seleznev, V. A.; Prinz, V. Ya. Diffus. Defect Data, Pt. B 2008, 131-133, 83
33. Antonova, I. V.; Soots, R. A.; Seleznev, V. A.; Prinz, V.Ya. ECS Trans. 2007, 3 (21) 15
34. Antonova, I. V.; Soots, R. A.; Guliaev, M. B.; Prinz, V. Ya.; Kagan, M. S.; Kolodzey, J. Appl. Phys. Lett. 2007, 91 (10) 102116
35. Antonova, I. V.; Soots, R. A.; Seleznev, V. A.; Prints, V.Ya. Semiconductors 2007, 41 (8) 991
36. Webb, L. J.; Lewis, N. S. J. Phys. Chem. B 2003, 107 (23) 5404
37. Allongue, P.; Henry de Villeneuve, C.; Cherouvrier, G.; Cortès, R.; Bernard, M.-C. J. Electroanal. Chem. 2003, 550-551, 161
38. Bashouti, M. Y.; Stelzner, T.; Christiansen, S.; Haick, H. J. Phys. Chem. C 2009, 113 (33) 14823
39. Bashouti, M. Y.; Paska, Y.; Puniredd, S. R.; Stelzner, T.; Christiansen, S.; Haick, H. Phys. Chem. Chem. Phys. 2009, 11 (20) 3845
40. Bashouti, M. Y.; Stelzner, T.; Berger, A.; Christiansen, S.; Haick, H. J. Phys. Chem. C 2008, 112 (49) 19168
41. Avasthi, S.; Qi, Y.; Vertelov, G. K.; Schwartz, J.; Kahn, A.; Sturm, J. C. Appl. Phys. Lett. 2010, 96 (22) 222109
42. Demichel, O.; Calvo, V.; Besson, A.; Noé, P.; Salem, B.; Pauc, N.; Oehler, F.; Gentile, P.; Magnea, N. Nano Lett. 2009, 9 (7) 2575
43. Demichel, O.; Calvo, V.; Besson, A.; Noé, P.; Salem, B.; Pauc, N.; Oehler, F.; Gentile, P.; Magnea, N. Nano Lett. 2010, 10 (7) 2323
44. Webb, L. J.; Michalak, D. J.; Biteen, J. S.; Brunschwig, B. S.; Chan, A. S. Y.; Knapp, D. W.; Meyer, H. M.; Nemanick, E. J.; Traub, M. C.; Lewis, N. S. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 23450
45. Nemanick, E. J.; Hurley, P. T.; Webb, L. J.; Knapp, D. W.; Michalak, D. J.; Brunschwig, B. S.; Lewis, N. S. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 14770
46. Terry, J.; Linford, M. R.; Wigren, C.; Cao, R.; Pianetta, P.; Chidsey, C. E. D. J. Appl. Phys. 1999, 85, 213
47. Hessel, C. M.; Rash, M. R.; Hueso, J. L.; Goodfellow, B. W.; Akhavan, V. A.; Puvanakrishnan, P.; Tunnel, J. W.; Krogel, B. A. Small 2010, 18, 2026
48. Kim, K. J.; Kim, J. W.; Yang, M.-S.; Shin, J. H. Phys. Rev. B 2006, 74, 153305
49. Huang, K.; Duclairoir, F.; Pro, T.; Buckley, J.; Marchand, G.; Martinez, E.; Marchon, J.-C.; De Salvo, B.; Delapierre, G.; Vinet, F. ChemPhysChem 2009, 10, 963
50. Cole, D. A.; Shallenberger, J. R.; Novak, S. W.; Moore, R. L.; Edgell, M. J.; Smith, S. P.; Hitzman, C. J.; Kirchhoff, J. F.; Principe, E.; Nieveen, W.; Huang, F. K.; Biswas, S.; Bleiler, R. J.; Jones, K. J. Vac. Sci. Technol., B: Microelectron. Process. Phenom. 2000, 18, 440
51. Weber, J.; Bauch, H.; Sauer, R. Phys. Rev. B 1982, 25, 7688
52. Keldysh, L. Proc. Int. Conf. Phys. Semicond., 9th 1968, 1307
53. Rice, T. M.; Hensel, J. C.; Phillips, T. G.; Thomas, G. A. Solid States of Physics; Academic: New York, 1977; p 32.
54. Pauc, N.; Calvo, V.; Eymery, J.; Fournel, F.; Magnea, N. Phys. Rev. Lett. 2004, 92, 236802
55. Pauc, N.; Calvo, V.; Eymery, J.; Fournel, F.; Magnea, N. Phys. Rev. B 2005, 72, 205325
56. Demichel, O.; Oehler, F.; Noé, P.; Calvo, V.; Pauc, N.; Gentile, P.; Baron, T.; Peyrade, D.; Magnea, N. Appl. Phys. Lett. 2008, 93 (21) 213104