Integration of molecular components into silicon memory devices

Electrochemical Society Interface

Volumn 13, Issue 1, 2004, Pages 34-38

  Kuhr, Werner G ^a,b  

^a ZettaCore Inc   (United States)

^b UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHARGE STORAGE; MOLECULAR COMPONENTS; MOLECULAR PARAMETERS;

CAPACITORS; DIELECTRIC MATERIALS; DYNAMIC RANDOM ACCESS STORAGE; LEAKAGE CURRENTS; MOLECULAR DYNAMICS; PROCESS ENGINEERING; SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON; STATIC RANDOM ACCESS STORAGE; TRANSISTORS;

DATA STORAGE EQUIPMENT;

EID: 1942503920     PISSN: 10648208     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Review

References (15)

1. K. S. Kwok and J. C. Ellenbogen, Materials Today, p. 28 (2002).
2. R. F Service, Science, 302, 556 (2003).
3. International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), Semiconductor Industry Association, San Jose, CA (2002).
4. Z. Liu, A. A. Yasseri, J. S. Lindsey, and D. F. Bocian, Science, 302, 1543 (2003).
5. K. M. Roth, N. Dontha, R. B. Dabke, D. T. Gryko, C. Clausen, J. S. Lindsey, D. F. Bocian, and W. G. Kuhr, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 2359 (2000).
6. C. Clausen, D. T. Gryko A. A. Yasseri, J. R. Diers, D. F. Bocian, W. G. Kuhr, and J. S. Lindsey, J. Org. Chem., 65, 7371 (2000).
7. D. T. Gryko, P. C. Clausen, and J. S. Lindsey, J. Org. Chem., 64, 8635 (1999).
8. D. T. Gryko, J. Li, J. R. Diers, K. M. Roth, D. F. Bocian, W. G. Kuhr, and J. S. Lindsey, J. Mater. Chem., 11, 1162 (2001); K-H. Schweikart, V. L. Malinovskii, J. R. Diers, A. A. Yasseri, D. R Bocian, W. G. Kuhr, and.J. S. Lindsey, J. Mater. Chem., 12, 808 (2002).
9. D. T. Gryko, J. Li, J. R. Diers, K. M. Roth, D. F. Bocian, W. G. Kuhr, and J. S. Lindsey, J. Mater. Chem., 11, 1162 (2001); K-H. Schweikart, V. L. Malinovskii, J. R. Diers, A. A. Yasseri, D. R Bocian, W. G. Kuhr, and.J. S. Lindsey, J. Mater. Chem., 12, 808 (2002).
10. K. M. Roth, Z. Liu, D. T. Gryko, C. Clausen, J. S. Lindsey, D. F. Bocian, and W. G. Kuhr, A. C. S. Symp. Series, 844, 51 (2003); K. M. Roth, J. S. Lindsey, D. F. Bocian, and W. G. Kuhr, Langmuir, 18, 4030 (2002); K. M. Roth, D. T. Gryko, C. Clausen, J. Li, J. S. Lindsey, W. G. Ruhr, and D. F. Bocian, J. Phys. Chem. B., 106, 8639 (2002).
11. K. M. Roth, Z. Liu, D. T. Gryko, C. Clausen, J. S. Lindsey, D. F. Bocian, and W. G. Kuhr, A. C. S. Symp. Series, 844, 51 (2003); K. M. Roth, J. S. Lindsey, D. F. Bocian, and W. G. Kuhr, Langmuir, 18, 4030 (2002); K. M. Roth, D. T. Gryko, C. Clausen, J. Li, J. S. Lindsey, W. G. Ruhr, and D. F. Bocian, J. Phys. Chem. B., 106, 8639 (2002).
12. K. M. Roth, Z. Liu, D. T. Gryko, C. Clausen, J. S. Lindsey, D. F. Bocian, and W. G. Kuhr, A. C. S. Symp. Series, 844, 51 (2003); K. M. Roth, J. S. Lindsey, D. F. Bocian, and W. G. Kuhr, Langmuir, 18, 4030 (2002); K. M. Roth, D. T. Gryko, C. Clausen, J. Li, J. S. Lindsey, W. G. Ruhr, and D. F. Bocian, J. Phys. Chem. B., 106, 8639 (2002).
13. K. M. Roth, A. A. Yasseri, Z. Liu, V. Malinovskii, K.-H. Schweikart, L Yu, H. Tiznado, F Zaera, J. S. Lindsey, W. G. Kuhr, and D. F. Bocian, J. Amer. Chem. Soc., 125, 505 (2003).
14. Q. Li, G. Mathur, M. Homsi, S. Surthi, V. Misra, V. Malinovskii, K.-H. Schwelkart, L. Yu, J. S. Lindsey, Z. Liu, R. B. Dabke, A. Yasseri, D. F. Bocian, and W. G. Kuhr, Appl. Phys. Lett., 81, 1494 (2002); Q. Li, S. Surthi, G. Mathur, S. Gowda, M. Kannan, S. Tamaru, J. S. Lindsey, Z. Liu, R. B. Dabke, A. Yasseri, D. F. Bocian, W. G. Kuhr, T. A. Sorenson, R. C. Tenent, and V. Misra, Appl. Phys. Lett., 83, 198 (2003).
15. Q. Li, G. Mathur, M. Homsi, S. Surthi, V. Misra, V. Malinovskii, K.-H. Schwelkart, L. Yu, J. S. Lindsey, Z. Liu, R. B. Dabke, A. Yasseri, D. F. Bocian, and W. G. Kuhr, Appl. Phys. Lett., 81, 1494 (2002); Q. Li, S. Surthi, G. Mathur, S. Gowda, M. Kannan, S. Tamaru, J. S. Lindsey, Z. Liu, R. B. Dabke, A. Yasseri, D. F. Bocian, W. G. Kuhr, T. A. Sorenson, R. C. Tenent, and V. Misra, Appl. Phys. Lett., 83, 198 (2003).