Comparison of the electrical properties and chemical stability of crystalline silicon(111) surfaces alkylated using Grignard reagents or Olefins with Lewis acid catalysts

Journal of Physical Chemistry B

Volumn 107, Issue 23, 2003, Pages 5404-5412

  Webb, Lauren J ^a   Lewis, Nathan S ^a  

^a California Institute of Technology   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALKYLATION; ANODIC OXIDATION; CATALYSTS; CHARGE CARRIERS; CHLORINATION; OLEFINS; SILICON; SURFACE TREATMENT; SURFACES; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

CHEMICAL STABILITY;

CRYSTALLINE MATERIALS;

EID: 0038344848     PISSN: 15206106     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp0222752     Document Type: Article

References (43)

1. Royea, W. J.; Juang, A.; Lewis, N. S. Appl Phys. Lett. 2000, 77, 1988-1990.
2. Bent, S. F. Surf. Sci. 2002, 500, 879-903.
3. Mitchell, S. A.; Boukherroub, R.; Anderson, S. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 7668-7676.
4. Yu, H. Z.; Boukherroub, R.; Morin, S.; Wayner, D. D. M. Electrochem. Commun. 2000, 2, 562-566.
5. Bansal, A.; Li, X.; Yi, S. I.; Weinberg, W. H.; Lewis, N. S. J. Phys. Chem. B 2001, 105, 10266-10277.
6. Bansal, A.; Li, X. L.; Lauermann, I.; Lewis, N. S.; Yi, S. I.; Weinberg, W. H. J. Am. Chem. Soc. 1996, 118, 7225-7226.
7. He, J.; Patitsas, S. N.; Preston, K. F.; Wolkow, R. A.; Wayner, D. D. M. Chem. Phys. Lett. 1998, 286, 508-514.
8. Okubo, T.; Tsuchiya, H.; Sadakata, M.; Yasuda, T.; Tanaka, K. Appl. Surf. Sci. 2001, 171, 252-256.
9. Terry, L.; Linford, M. R.; Wigren, C.; Cao, R. Y.; Pianetta, P.; Chidsey, C. E. D. Appl, Phys. Lett. 1997, 71, 1056-1058.
10. Terry, J.; Linford, M. R.; Wigren, C.; Cao, R. Y.; Pianetta, P.; Chidsey, C. E. D. J. Appl. Phys. 1999, 81, 213-221.
11. Boukherroub, R.; Wayner, D. D. M. J. Am. Chem. Soc. 1999, 121, 11513-11515.
12. Cicero, R. L.; Linford, M. R.; Chidsey, C. E. D. Langmuir 2000, 16, 5688-5695.
13. Effenberger, F.; Gotz, G.; Bidlingmaier, B.; Wezstein, M. Angew. Chem., Int. Ed. 1998, 37, 2462-2464.
14. Terry, J.; Mo, R.; Wigren, C.; Cao, R. Y.; Mount, G.; Pianetta, P.; Linford, M. R.; Chidsey, C. E. D. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B 1997, 133, 94-101.
15. Linford, M. R.; Chidsey, C. E. D. J. Am. Chem. Soc. 1993, 115, 12631-12632.
16. Linford, M. R.; Fenter, P.; Eisenberger, P. M.; Chidsey, C. E. D. J. Am. Chem. Soc. 1995, 117, 3145-3155.
17. Sieval, A. B.; Demirel, A. L.; Nissink, J. W. M.; Linford, M. R.; van der Maas, J. H.; de Jeu, W. H.; Zullhof, H.; Sudholter, E. J. R. Langmuir 1998, 14, 1759-1768.
18. Sieval, A. B.; Linke, R.; Heij, G.; Meijer, G.; Zullhof, H.; Sudholter, E. J. R. Langmuir 2001, 17, 7554-7559.
19. Sung, M. M.; Kluth, G. J.; Yauw, O. W.; Maboudian, R. Langmuir 1997, 13, 6164-6168.
20. Boukherroub, R.; Wojtyk, J. T. C.; Wayner, D. D. M.; Lockwood, D. J. J. Electrochtm. Soc. 2002, 149, H59-H63.
21. Boukherroub, R.; Wayner, D. D. M.; Lockwood, D. J.; Canham, L. T. J. Electrochem. Soc. 2001, 148, H91-H97.
22. Boukherroub, R.; Wayner, D. D. M.; Sproule, G. I.; Lockwood, D. J.; Canham, L. T. Nano Lett. 2001, 1, 713-717.
23. Boukherroub, R.; Morin, S.; Bensebaa, P.; Wayner, D. D. M. Langmuir 1999, 15, 3831-3835.
24. Buriak, J. M.; Allen, M. J. J. Am. Chem. Soc. 1998, 120, 1339-1340.
25. Buriak, J. M.; Stewart, M. P.; Geders, T. W.; Allen, M. J.; Choi, H. C.; Smith, J.; Raftery, D.; Canham, L. T. J. Am. Chem. Soc. 1999, 121, 11491-11502.
26. Zazzera, L. A.; Evans, J. F.; Deruelle, M.; Tirrell, M.; Kessel, C. R.; McKeown, P. J. Electrochtm, Soc. 1997, 144, 2184-2189.
27. Schmeltzer, J. M.; Porter, L. A.; Stewart, M. P.; Buriak, J. M. Langmuir 2002, 18, 2971-2974.
28. Cicero, R. L.; Chidsey, C. E. D.; Lopinski, G. P.; Wayner, D. D. M.; Wolkow, R. A. Langmuir 2002, 18, 305-307.
29. Saghatelian, A.; Buriak, J. M.; Lin, V. S. Y.; Ghadiri, M. R. Tetrahedron 2001, 57, 5131-5136.
30. Allongue, P.; de Villeneuve, C. H.; Pinson, J. Electrochem. Acta 2000, 45, 3241-3248.
31. Allongue, P.; de Villeneuve, C. H.; Pinson, J.; Ozanam, F.; Chazalviel, J. N.; Wallart, X. Electrochem. Acta 1998, 43, 2791-2798.
32. Dubois, T.; Ozanam, F.; Chazalviel, J.-N. Electrochem. Soc. Proc. 1997, 97-7, 296-310.
33. Fidélis, A.; Ozanam, F.; Chazalviel, J. N. Surf. Sci. 2000, 444, L7-L10.
34. Gros-Jean, M.; Herino, R.; Chazalviel, J. N.; Ozanam, P.; Lincot, D. Mater. Sci. Eng. B 2000, 69, 77-80.
35. Henry de Villeneuve, C.; Pinson, J.; Bernard, M. C.; Allongue, P. J. Phys. Chem. B 1997, 101, 2415-2420.
36. Haber, J. A.; Lewis, N. S. J. Phys. Chem, B 2002, 106, 3639-3656.
37. Himpsel, F. J.; McFeeley, F. R.; Taleb-Ibrahimi, A.; Yarmoff, J. A.; Hollinger, G. Phys. Rev. B 1988, 38, 6084-6096.
38. Seah, M. P. In Practical Surface Analysis, 2nd ed.; Briggs, D., Seah, M. P., Eds.; Wiley: Chichester, U.K., 1990; Vol. 1, pp 201-255.
39. Sturzenegger, M.; Prokopuk, N.; Kenyon, C. N.; Royea, W. J.; Lewis, N. S. J. Phys. Chem. B 1999, 103, 10838-10849.
40. Sze, S. M. The Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed.; Wiley: New York, 1981.
41. Yablonovitch, E. Gmitter, T. J. Solid-State Electron. 1992, 55, 261-267.
42. Asao, N.; Sudo, T.; Yamamoto, Y. J. Org. Chem, 1996, 61, 7654-7655.
43. Sudo, T.; Asao, N.; Gevorgyan, V.; Yamamoto, Y. J. Org. Chem. 1999, 64, 2494-2499.