Chemical and electrical passivation of single-crystal silicon(100) surfaces Through a two-step chlorination/alkylation process

Journal of Physical Chemistry B

Volumn 110, Issue 30, 2006, Pages 14770-14778

  Nemanick, E Joseph ^a   Hurley, Patrick T ^a   Webb, Lauren J ^a   Knapp, David W ^a   Michalak, David J ^a   Brunschwig, Bruce S ^a   Lewis, Nathan S ^a  

^a CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALKYLATION; CHLORINATION; OXIDATION; PASSIVATION; PHOTOCONDUCTIVITY; SILICON; SURFACE STRUCTURE; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

ELECTRICAL PASSIVATION; METHYLATION; SURFACE RECOMBINATION VELOCITY;

SINGLE CRYSTALS;

EID: 33748296164     PISSN: 15206106     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp056773x     Document Type: Article

References (42)

1. Buriak, J. M. Chem. Rev. 2002, 102, 1271.
2. Buriak, J. Chem. Commun. 1999, 1051-1060.
3. Haber, J. A.; Lauermann, I.; Michalak, D.; Vaid, T. P.; Lewis, N. S. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 9947-9950.
4. Stewart, M. P.; Robins, E. G.; Geders, T. W.; Allen, M. J.; Choi, H. C.; Buriak, J. M. Phys. Status Solidi A 2000, 182, 109-115.
5. Linford, M. R.; Chidsey, C. E. D. J. Am. Chem. Soc. 1993, 115, 12631-12632.
6. Linford, M. R.; Fenter, P.; Eisenberger, P. M.; Chidsey, C. E. D. J. Am. Chem. Soc. 1995, 117, 3145-3155.
7. Terry, J.; Linford, M. R.; Wigren, C.; Cao, R. Y.; Pianetta, P.; Chidsey, C. E. D. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 1056-1058.
8. Terry, J.; Mo, R.; Wigren, C.; Cao, R. Y.; Mount, G.; Pianetta, P.; Linford, M. R.; Chidsey, C. E. D. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B 1997, 133, 94-101.
9. Effenberger, F.; Gotz, G.; Bidlingmaier, B.; Wezstein, M. Angew. Chem., Int. Ed. 1998, 37, 2462-2464.
10. Stewart, M. P.; Buriak, J. M. Angew. Chem., Int. Ed. 1998, 23, 3257.
11. Sieval, A. B.; Demirel, A. L.; Nissink, J. W. M.; Linford, M. R.; van der Maas, J. H.; de Jeu, W. H.; Zuilhof, H.; Sudholter, E. J. R. Langmuir 1998, 14, 1759-1768.
12. Sung, M. M.; Kluth, G. J.; Yauw, O. W.; Maboudian, R. Langmuir 1997, 13, 6164-6168.
13. Zazzera, L. A.; Evans, J. F.; Deruelle, M.; Tirrell, M.; Kessel, C. R.; Mckeown, P. J. Electrochem. Soc. 1997, 144, 2184-2189.
14. Buriak, J. M.; Allen, M. J. J. Am. Chem. Soc. 1998, 120, 1339-1340.
15. Buriak, J. M.; Allen, M. J. J Lumin. 1998, 80, 29-35.
16. Holland, J. M.; Stewart, M. P.; Allen, M. J.; Buriak, J. M. J. Solid State Chem. 1999, 147, 251-258.
17. Henry de Villeneuve, C.; Pinson, J.; Ozanam, F.; Chazalviel, J. N.; Allongue, P. In Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1997, 451, 185-195.
18. Vieillard, C.; Warntjes, M.; Ozanam, F.; Chazalviel, J.-N. Proc. Electrochem. Soc. 1996, 95, 250.
19. Bansal, A.; Li, X.; Lauermann, I.; Lewis, N. S.; Yi, S. I.; Weinberg, W. H. J. Am. Chem. Soc. 1996, 118, 7225-7226.
20. Juang, A.; Scherman, O. A.; Grubbs, R. H.; Lewis, N. S. Langmuir 2001, 17, 1321-1323.
21. Royea, W. J.; Juang, A.; Lewis, N. S. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 1988-1990.
22. Chabal, Y. J.; Higashi, G. S.; Ragahavchari, K.; Burrows, V. A. J. Vac. Sci. Technol. A 1989, A7, 2104.
23. Niwano, M.; Takeda, Y.; Ishibashi, K.; Kurita, K.; Miyamoto, N. J. Appl. Phys. 1992, 71, 5646.
24. Webb, L. J.; Lewis, N. S. J. Phys. Chem. B 2003, 107, 5404-5412.
25. Bansal, A.; Lewis, N. S. J. Phys. Chem. B 1998, 102, 1067-1070.
26. Chyan, O. M. R.; Wu, J.; Chen, J.-J. Appl. Spectrosc. 1997, 51, 1905.
27. Nemanick, E. J.; Hurley, P. T.; Brunschwig, B. S.; Lewis, N. S. J. Phys. Chem. B, in press.
28. Bansal, A.; Li, X. L.; Yi, S. I.; Weinberg, W. H.; Lewis, N. S. J. Phys. Chem. B 2001, 105, 10266-10277.
29. Seah, M. P. In Practical Surface Analysis, 2nd ed.; Briggs, D., Seah, M. P., Eds.; John Wiley & Sons: Chichester, UK, 1990; Vol. 1, pp 201-255.
30. Terry, J.; Linford, M. R.; Wigren, C.; Cao, R. Y.; Pianetta, P.; Chidsey, C. E. D. J. Appl. Phys. 1999, 85, 213-221.
31. Liu, H. B.; Hamers, R. J. Surf. Sci. 1998, 416, 354-362.
32. Webb, L. J.; Nemanick, E. J.; Biteen, J. S.; Knapp, D. W.; Michalak, D. J.; Traub, M. C.; Chan, A. S. Y.; Brunschwig, B. S.; Lewis, N. S. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 3930-3937.
33. Sze, S. M. The Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed.; Wiley: New York, 1981.
34. Dabrowski, J.; Mussig, H. J. Silicon Surfaces and Formation of Interfaces; World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd.: London, UK, 2000.
35. Durbin, T. D.; Simpson, W. C.; Chakarian, V.; Shuh, D. K.; Varekamp, P. R.; Lo, C. W.; Yarmoff, J. A. Surf. Sci. 1994, 316, 257-266.
36. Hunger, R.; Fritsche, R.; Jaeckel, B.; Jaegermann, W.; Webb, L. J.; Lewis, N. S. Phys. Rev. B 2005, 72.
37. Rivillon, S.; Chabal, Y.; Webb, L. J.; Michalak, D. J.; Lewis, N. S.; Halls, M. D.; Ragahavchari, K. J. Vac. Sci. Technol. A 2005, 23, 1100-1106.
38. Yablonovitch, E.; Allara, D. L.; Chang, C. C.; Gmitter, T.; Bright, T. B. Phys. Rev. Lett. 1986, 57, 249-252.
39. Laibinis, P. E.; Whitesides, G. M. J. Am. Chem. Soc. 1992, 114, 1990-1995.
40. Bjorkman, C. H.; Alay, J. L.; Nishimura, H.; Fukuda, M.; Yamazaki, T.; Hirose, M. Appl Phys. Lett. 1995, 67, 2049-2051.
41. Karlsson, C. J.; Owman, F.; Landemark, E.; Chao, Y. C.; Marstensson, P.; Uhrberg, R. I. G. Phys. Rev. Lett. 1994, 72, 4145-4148.
42. Thanh, V. L.; Bouchier, D.; Hincelin, G. J. Appl. Phys. 2000, 87, 3700.