Improved photovoltaic effects of a vertical-Type InGaN/GaN multiple quantum well solar cell

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 50, Issue 9 PART 1, 2011, Pages

  Bae, Si Young ^a   Shim, Jae Phil ^a   Lee, Dong Seon ^a   Jeon, Seoung Ran ^b   Namkoong, Gon ^c  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

^b Korea Photonics Technology Institute (KOPTI)   (South Korea)

^c Old Dominion University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FILL FACTOR; FRONT SURFACES; HIGH FILLS; INGAN/GAN; KOH ETCHING; LATERAL STRUCTURES; LIFT-OFF PROCESS; PHOTOVOLTAIC PERFORMANCE; SAPPHIRE SUBSTRATES; SMOOTH SURFACE; TEXTURED SURFACE; VERTICAL-TYPE;

CONVERSION EFFICIENCY; PHOTOVOLTAIC EFFECTS; REFLECTION; SAPPHIRE; SOLAR POWER GENERATION;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 80052991060     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.50.092301     Document Type: Article

References (41)

1. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 4741.
2. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaff: Phys. Rev. B 66 (2002) 201403.
3. V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, R. P. Seisyan, V. V. Emtsev, S. V. Ivanov, F. Bechstedt, J. Furthmüller, H. Harima, A. V. Mudryi, J.Aderhold, O. Semchinova, and J. Graul: Phys. Status Solidi B 229 (2002) R1.
4. J. F. Muth, J. H. Lee, I. K. Shmagin, R. M. Kolbas, H. C. Casey, Jr., B. P. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2572.
5. R. Singh, D. Doppalapudi, T. D. Moustakasa, and L. T. Romano: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 1089.
6. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, W. Shan, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, W. K. Metzger, and S. Kurtz: J. Appl. Phys. 94 (2003) 6477.
7. J. Wu: J. Appl. Phys. 106 (2009) 011101.
8. B. R. Jampana, A. G. Melton, M. Jamil, N. N. Faleev, R. L. Opila, I. T. Ferguson, and C. B. Honsberg: IEEE Electron Device Lett. 31 (2010) 32.
9. S. Zeng, X. Cai, and B. Zhang: IEEE J. Quantum Electron. 46 (2010) 783.
10. J. P. Shim, S. R. Jeon, Y. K. Jeong, and D. S. Lee: IEEE Electron Device Lett. 31 (2010) 1140.
11. R. H. Horng, M. T. Chu, H. R. Chen, W. Y. Liao, M. H. Wu, K. F. Chen, and D. S. Wu: IEEE Electron Device Lett. 31 (2010) 585.
12. M.-T. Chu, W.-Y. Liao, M.-H. Wu, R.-H. Horng, T.-Y. Tsai, and S.-P. Liu: ECS Trans. 35 [6] (2011) 47.
13. E. Matioli, C. Neufeld, M. Iza, S. C. Cruz, A. A. Al-Heji, X. Chen, R. M. Farrell, S. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, S. Nakamura, J. Speck, and C. Weisbuch: Appl. Phys. Lett. 98 (2011) 021102.
14. J. R. Lang, C. J. Neufeld, C. A. Hurni, S. C. Cruz, E. Matioli, U. K. Mishra, and J. S. Speck: Appl. Phys. Lett. 98 (2011) 131115.
15. K. Y. Lai, G. J. Lin, Y.-L. Lai, Y. F. Chen, and J. H. He: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 081103.
16. K.-T. Chen, W.-C. Huang, T.-H. Hsieh, C.-H. Hsieh, and C.-F. Lin: Opt. Express 18 (2010) 23406.
17. R. Dahal, J. Li, K. Aryal, J. Y. Lin, and H. X. Jiang: Appl. Phys. Lett. 97 (2010) 073115.
18. Y. Kawaguchi, M. Shimizu, M. Yamaguchi, K. Hiramatsu, N. Sawaki, W. Taki, H. Tsuda, N. Kuwano, K. Oki, T. Zheleva, and R. F. Davis: J. Cryst. Growth 189-190 (1998) 24.
19. J. T. Kobayashi, N. P. Kobayashi, X. Zhang, P. D. Dapkus, and D. H. Rich: J. Cryst. Growth 195 (1998) 252.
20. C. A. Parker, J. C. Roberts, S. M. Bedair, M. J. Reed, S. X. Liu, and N. A. El-Masry: Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 2776.
21. X. M. Cai, S. W. Zeng, and B. P. Zhang: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 173504.
22. J. Bai, T. Wang, and S. Sakai: J. Appl. Phys. 88 (2000) 4729.
23. S. K. Shee, Y. H. Kwon, J. B. Lam, G. H. Gainer, G. H. Park, S. J. Hwang, B. D. Little, and J. J. Song: J. Cryst. Growth 221 (2000) 373.
24. G. Namkoong, P. Boland, S. Y. Bae, J. P. Shim, D. S. Lee, S. R. Jeon, K. Latimer, and W. A. Doolittle: Phys. Status Solidi: Rapid Res. Lett. 5 (2011) 86.
25. R. H. Horng, S. T. Lin, Y. L. Tsai, M. T. Chu, W. Y. Liao, M. H. Wu, R. M. Lin, and Y. C. Lu: IEEE Electron Device Lett. 30 (2009) 724.
26. J. O. Song, J. S. Ha, and T. Y. Seong: IEEE Trans. Electron Devices 57 (2010) 42.
27. S. Tripathy, A. Ramam, S. J. Chua, J. S. Pan, and A. Huan: J. Vac. Sci. Technol. A 19 (2001) 2522.
28. J. L. Lee, M. Weber, J. K. Kim, J. W. Lee, Y. J. Park, T. Kim, and K. Lynnb: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 2289.
29. J. Sun, K. A. Rickert, J. M. Redwing, A. B. Ellis, F. J. Himpsel, and T. F. Kuech: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 415.
30. P. Campbell and M. A. Green: J. Appl. Phys. 62 (1987) 243.
31. J. Zhao, A. Wang, M. A. Green, and F. Ferrazza: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 1991.
32. A. V. Shah, H. Schade, M. Vanecek, J. Meier, E. Vallat-Sauvain, N. Wyrsch, U. Kroll, C. Droz, and J. Bailat: Prog. Photovoltaics 12 (2004) 113.
33. T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E. L. Hu, S. P. DenBaars, and S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 855.
34. D. H. Kim, C. O. Cho, Y. G. Roh, H. Jeon, Y. S. Park, J. Cho, J. S. Im, C. Sone, Y. Park, W. J. Choi, and Q. H. Park: Appl. Phys. Lett. 87 (2005) 203508.
35. R. Wang, P. P. Ruden, J. Kolnik, I. Oguzman, and F. Brennan: J. Phys. Chem. Solids 58 (1997) 913.
36. M. J. Bergmann, H. C. Casey, Jr., H. O. Everitt, and J. F. Muth: Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 67.
37. A manual for ''One-dimensional device simulation program for the analysis of microelectronic and photonic structures (AMPS-1D) developed from the Pennsylvania state university under the support of the Electric Power Research Institute (EPRI)''.
38. M. J. Jeng, Y. L. Lee, and L. B. Chang: J. Phys. D 42 (2009) 105101.
39. E. A. Berkman, N. A. El-Masry, A. Emara, and S. M. Bedair: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 101118.
40. Q. Zhou, Y. Liu, Y. He, Z. Zhang, and Y. Zhao: Appl. Phys. Lett. 97 (2010) 121902.
41. T. Lopez-Rios, Y. Borensztein, and G. Vuye: Phys. Rev. B 30 (1984) 659.