The growth of an epitaxial ZnO film on Si(111) with a Gd2O 3(Ga2O3) buffer layer

Crystal Growth and Design

Volumn 11, Issue 7, 2011, Pages 2846-2851

  Lin, B H ^a,b   Liu, W R ^b,c   Yang, S ^a   Kuo, C C ^a   Hsu, C H ^a,b   Hsieh, W F ^a,c   Lee, W C ^d   Lee, Y J ^d   Hong, M ^d   Kwo, J ^d,e  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH CENTER   (Taiwan)

^c NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^d NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^e NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BASAL PLANE STACKING FAULTS; DOMAIN MATCHING EPITAXY; EPITAXIAL RELATIONSHIPS; HIGH QUALITY; IN-PLANE; SI (1 1 1); SPECTRAL FEATURE; STRUCTURAL CHARACTERISTICS; TEMPERATURE-DEPENDENT PHOTOLUMINESCENCE; TENSILE BIAXIAL STRAIN; THREADING DISLOCATION; WURTZITES; ZNO; ZNO EPITAXIAL FILMS; ZNO FILMS; ZNO LAYERS;

EDGE DISLOCATIONS; EPITAXIAL FILMS; EPITAXIAL GROWTH; FILM GROWTH; GADOLINIUM; GALLIUM; METALLIC FILMS; OPTICAL PROPERTIES; PULSED LASER DEPOSITION; SILICON; STACKING FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION; ZINC OXIDE; ZINC SULFIDE;

SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

EID: 79960066696     PISSN: 15287483     EISSN: 15287505     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cg1016774     Document Type: Article

References (43)

1. Tsukazaki, A.; Ohtomo, A.; Onuma, T.; Ohtani, M.; Makino, T.; Sumiya, M.; Ohtani, K.; Chichibu, S. F.; Fuke, S.; Segawa, Y.; Ohno, H.; Koinuma, H.; Kawasaki, M. Nat. Mater. 2005, 4, 42
2. Park, J. Y. P.; Je, J. H.; Kim, S. S. J. Cryst. Growth 2010, 312, 3588
3. Kim, J.-H.; Cho, D.-H.; Lee, W.; Moon, B.-M.; Bahng, W.; Kim, S.-C.; Kim, N.-K.; Koo, S.-M. J. Alloys Compd. 2010, 489, 179
4. Du, X.; Mei, Z.; Liu, Z.; Guo, Y.; Zhang, T.; Hou, Y.; Zhang, Z.; Xue, Q.; Kuznetsov, A. Yu. Adv. Mater. 2009, 21, 4625
5. Vigué, F.; Vennéguès, P.; Deparis, C.; Vézian, S.; Laügt, M.; Faurie, J.-P. J. Appl. Phys. 2001, 90, 5115
6. Yang, S.; Lin, B. H.; Liu, W.-R.; Lin, J.-H.; Chang, C.-S.; Hsu, C.-H.; Hsieh, W. F. Cryst. Growth Des. 2009, 9, 5184
7. Fong, D. D.; Eastman, J. A.; Kim, S. K.; Fister, T. T.; Highland, M. J.; Baldo, P. M.; Fuoss, P. H. Appl. Phys. Lett. 2010, 97 191904
8. Gorla, C. R.; Emanetoglu, N. W.; Liang, S.; Mayo, W. E.; Lu, Y. J. Appl. Phys. 1999, 85, 2595
9. Munuera, C.; Zúñiga-Pérez, J.; Rommeluere, J. F.; Sallet, V.; Triboulet, R.; Soria, F.; Muñoz-Sanjosé, V.; Ocal, C. J. Cryst. Growth 2004, 264, 70
10. Takahashi, N.; Kaiya, K.; Nakamura, T.; Momose, Y.; Yamamoto, H. Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 1999, 38, L454
11. Huang, T.-H.; Chang, L.; Chou, M. M. C.; Jahn, U. J. Electrochem. Soc. 2010, 158, H38
12. Lee, S.; Kim, D. Y. Mater. Sci. Eng. B 2007, 137, 80
13. Pécz, B.; El-Shaer, A.; Bakin, A.; Mofor, A.-C.; Waag, A.; Stoemenos, J. J. Appl. Phys. 2006, 100 103506
14. Zhou, H. L.; Shao, P. G.; Chua, S. J.; van Kan, J. A.; Bettiol, A. A.; Osipowicz, T.; Ooi, K. F.; Goh, G. K. L.; Watt, F. Cryst. Growth Des. 2008, 8, 4445
15. Shi, L.; Xu, Y.; Hark, S.; Liu, Y.; Wang, S.; Peng, L.-m.; Wong, K.; Li, Q. Nano Lett. 2007, 7, 3559
16. Ding, Y.; Wang, Z. L. Micron 2009, 40, 335
17. Shi, L.; Bao, K.; Cao, J.; Qian, Y. CrystEngComm 2009, 11, 2009
18. Lin, C. C.; Chen, S. Y.; Cheng, S. Y.; Lee, H. Y. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 5040
19. Yoo, Y. Z.; Sekiguchi, T.; Chikyow, T.; Kawasaki, M.; Onuma, T.; Chichibu, S. F.; Song, J. H.; Koinuma, H. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 502
20. Liu, W.-R.; Li, Y. H.; Hsieh, W. F.; Hsu, C.-H.; Lee, W. C.; Lee, Y. J.; Hong, M.; Kwo, J. Cryst. Growth Des. 2009, 9, 239
21. Liu, W.-R.; Li, Y. H.; Hsieh, W. F.; Hsu, C.-H.; Lee, W. C.; Hong, M.; Kwo, J. J. Phys. D: Appl. Phys. 2008, 41 065105
22. Guo, W.; Allenic, A.; Chen, Y. B.; Pan, X. Q.; Tian, W.; Adamo, C.; Schlom, D. G. Appl. Phys. Lett. 2008, 92 072101
23. Guo, W.; Katz, M. B.; Nelson, C. T.; Heeg, T.; Schlom, D. G.; Liu, B.; Che, Y.; Pan, X. Q. Appl. Phys. Lett. 2009, 94 122107
24. Kwo, J.; Hong, M.; Kortan, A. R.; Queeney, K. T.; Chabal, Y. J.; Mannaerts, J. P.; Boone, T.; Krajewski, J. J.; Sergent, A. M.; Rosamilia, J. M. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 130
25. Lin, T. D.; Hang, M. C.; Hsu, C.-H.; Kwo, J.; Hong, M. J. Cryst. Growth 2007, 301, 386
26. Narayan, J.; Larson, B. C. J. Appl. Phys. 2003, 93, 278
27. Ding, Y.; Wang, Z. L.; Sun, T.; Qiu, J. Appl. Phys. Lett. 2007, 90 153510
28. Fultz, B.; Howe, J. Transmission Electron Microscopy and Diffractometry of Materials; Springer: Berlin, 2000.
29. Liu, W.-R.; Hsieh, W. F.; Hsu, C.-H.; Liang, Keng S.; Chien, F. S.-S. J. Appl. Crystallogr. 2007, 40, 924
30. Liliental-Weber, Z.; Chems, D. J. Appl. Phys. 2001, 89, 7833
31. Guo, W.; Allenic, A.; Chen, Y. B.; Pan, X. Q.; Che, Y.; Hu, Z. D.; Liu, B. Appl. Phys. Lett. 2007, 90 242108
32. Stampfl, C.; Van de Walle, C. G. Phys. Rev. B 1998, 57, R15052
33. Vennéguès, P.; Chauveau, J. M.; Korytov, M.; Deparis, C.; Zuniga-Perez, J.; Morhain, C. J. Appl. Phys. 2008, 103 083525
34. Gerthsen, D.; Litvinov, D.; Gruber, T.; Kirchner, C.; Waag, A. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 3972
35. Komninou, Ph.; Kioseoglou, J.; Dimitrakopulos, G. P.; Kehagias, Th.; Karakostas, Th. Phys. Status Solidi A 2005, 202, 2888
36. Pankove, J. I.; Moustakas, T. D. In Semiconductors and Semimetals; Willardson, R. K.; Weber, E. R., Eds.; Academic Press: New York, 1998; Vols. 50-57.
37. Morkoc, H. In Nitride Semiconductors and Devices; Springer Series in Materials Science, Vol. 32; Springer: Berlin, 1999.
38. Jiang, D. S.; Jung, H.; Ploog, K. J. Appl. Phys. 1998, 64, 1371
39. Teke, A.; Özgür, Ü.; Doǧan, S.; Gu, X.; Morkoc, H.; Nemeth, B.; Nause, J.; Everitt, H. O. Phys. Rev. B 2004, 70 195207
40. Wang, L.; Giles, N. C. J. Appl. Phys. 2003, 94, 973
41. Liu, K. W.; Sakurai, M.; Aono, M. J. Appl. Phys. 2010, 108 043516
42. Ohno, R Y.; Koizumi, H.; Taishi, T.; Yonenaga, I.; Fujii, K.; Goto, H.; Yao, T. J. Appl. Phys. 2008, 104, 073515
43. Dean, P. J. Phys. Status Solidi A 1984, 81, 625