Microstructure and properties of epitaxial antimony-doped p -type ZnO films fabricated by pulsed laser deposition

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 24, 2007, Pages

  Guo, W ^a   Allenic, A ^a   Chen, Y B ^a   Pan, X Q ^a   Che, Y ^b   Hu, Z D ^b   Liu, B ^b  

^a UNIVERSITY OF MICHIGAN   (United States)

^b IMRA AMERICA INC   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; EPITAXIAL GROWTH; HALL MOBILITY; IONIZATION POTENTIAL; MICROSTRUCTURE; PULSED LASER DEPOSITION; SAPPHIRE; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; ZINC OXIDE;

ACCEPTOR COMPLEXES; DENSITY OF DEFECTS; SHALLOW DONORS; THERMAL ACTIVATION ENERGY;

THIN FILMS;

EID: 34250640767     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2747669     Document Type: Article

References (23)

1. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nat. Mater. 4, 42 (2005).
2. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
3. J. G. Lu, Z. Z. Ye, F. Zhuge, Y. J. Zeng, B. H. Zhao, and L. P. Zhu, Appl. Phys. Lett. 85, 3134 (2004).
4. H. W. Liang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, Y. C. Liu, J. F. Yan, C. X. Shan, B. H. Liu, Z. Z. Zhang, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, Phys. Status Solidi A 202, 1060 (2005).
5. K. K. Kim, H. S. Kim, D. K. Hwang, J. H. Lim, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 83, 63 (2003).
6. F. X. Xiu, Z. Yang, L. J. Mandalapu, J. L. Liu, and W. P. Beyermann, Appl. Phys. Lett. 88, 052106 (2006).
7. Y. R. Ryu, S. Zhu, D. C. Look, J. M. Wrobel, H. M. Jeong, and H. W. White, J. Cryst. Growth 216, 330 (2000).
8. Y. R. Ryu, T. S. Lee, and H. W. White, Appl. Phys. Lett. 83, 87 (2003).
9. D. C. Look, G. M. Renlund, R. H. Burgener II, and J. R. Sizelove, Appl. Phys. Lett. 85, 5269 (2004).
10. V. Vaithianathan, B. T. Lee, and S. S. Kim, Appl. Phys. Lett. 86, 062101 (2005).
11. T. Aoki, Y. Shimizu, A. Miyake, A. Nakamura, Y. Nakanishi, and Y. Hatanaka, Phys. Status Solidi B 229, 911 (2002).
12. L. J. Mandalapu, Z. Yang, F. X. Xiu, D. T. Zhao, and J. L. Liu, Appl. Phys. Lett. 88, 092103 (2006).
13. F. X. Xiu, Z. Yang, L. J. Mandalapu, D. T. Zhao, J. L. Liu, and W. P. Beyermann, Appl. Phys. Lett. 87, 152101 (2005).
14. S. Limpijumnong, S. B. Zhang, S. H. Wei, and C. H. Park, Phys. Rev. Lett. 92, 155504 (2004).
15. S. Choopun, R. D. Vispute, W. Noch, A. Balsamo, R. P. Sharma, T. Venkatesan, A. lliadis, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 75, 3947 (1999).
16. D. C. Look, Semicond. Sci. Technol. 20, S55 (2005).
17. D. C. Look, Electrical Characterization of GaAs Materials and Devices (Wiley, New York, 1989), Chap., p. 116.
18. B. Claflin, D. C. Look, S. J. Park, and G. Cantwell, J. Cryst. Growth 287, 16 (2006).
19. W. Siegel, G. Kühnel, H. Kor, and W. Gerlach, Phys. Status Solidi A 95, 309 (1986).
20. B. Pödör, Proc. SPIE 4412, 299 (2001).
21. F. X. Xiu, Z. Yang, L. J. Mandalapu, D. T. Zhao, and J. L. Liu, Appl. Phys. Lett. 87, 252102 (2005).
22. G. K. Williamson and W. H. Hall, Acta Metall. 1, 22 (1953).
23. V. Srikant, J. S. Speck, and D. R. Clarke, J. Appl. Phys. 82, 4286 (1997).