Domain matching epitaxial growth of high-quality ZnO film using a Y 2O3 buffer layer on Si (111)

Crystal Growth and Design

Volumn 9, Issue 1, 2009, Pages 239-242

  Liu, W R ^a   Li, Y H ^a   Hsieh, W F ^a   Hsu, C H ^a,b   Lee, W C ^c   Lee, Y J ^c   Hong, M ^c   Kwo, J ^c  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH CENTER   (Taiwan)

^c NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 61649117980     PISSN: 15287483     EISSN: 15287505     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cg8003849     Document Type: Article

References (21)

1. Tsukazaki, Á.; Ohtomo, Á.; Onuma, T.; Ohtani, M.; Makino, T.; Sumiya, M.; Ohtani, K.; Chichibu, S. F.; Fuke, S.; Segawa, Y.; Ohno, H.; Koinuma, H.; Kawasaki, M. Nat. Mater. 2005, 4, 42.
2. Yoo, Y. Z.; Sekiguchi, T.; Chikyow, T.; Kawasaki, M.; Onuma, T.; Chichibu, S. F.; Song, J. H.; Koinuma, H. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 502.
3. Nahhas, A.; Kim, H. K.; Blachere, J. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 1511.
4. Cheng, H. M.; Hsu, H. C.; Yang, S.; Wu, C. Y.; Lee, Y. C.; Lin, L. J.; Hsieh, W. F. Nanotechnology 2005, 16, 2882.
5. Wang, X. N.; Wang, Y.; Mei, Z. X.; Dong, J.; Zeng, Z. Q.; Yuan, H. T.; Zhang, T. C.; Du, X. L.; Jia, J. F.; Xue, Q. K.; Zhang, X. N.; Zhang, Z.; Li, Z. F.; Lu, W. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 151912.
6. Hong, M.; Mannaerts, J. P.; Bowers, J. E.; Kwo, J.; Passlack, M.; Hwang, W.-Y.; Tu, L. W. J. Cryst. Growth 1997, 175/176, 422.
7. Nieh, C. W.; Lee, Y. J.; Lee, W. C.; Yang, Z. K.; Kortan, A. R.; Hong, M.; Kwo, J.; Hsu, C.-H. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 061914.
8. Kwo, J.; Hong, M.; Kortan, A. R.; Queeney, K. L.; Chabal, Y. J.; Mannaerts, J. P.; Boone, T.; Krajewski, J. J.; Sergent, A. M.; Rosamilia, J. M. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 130.
9. Liang, J.-J.; Navrotsky, A.; Ludwig, T.; Seifert, H. J.; Aldinger, F. J. Mater. Res. 1999, 14, 1181.
10. Lee, Y. J.; Lee, W. C.; Nieh, C. W.; Yang, Z. K.; Kortan, A. R.; Hong, M.; Kwo, J.; Hsu, C.-H. J. Vac. Sci. Technol., B 2008, 26, 1124.
11. Liu, W.-R.; Hsieh, W. F.; Hsu, C.-H.; Liang Keng, S.; Chien, F. S.-S. J. Appl. Crystallogr. 2007, 40, 924.
12. Tung, R. T.; Bean, J. C.; Gibson, J. M.; Poate, J. M.; Jacobson, D. C. Appl. Phys. Lett. 1982, 40, 684.
13. Naraya, J.; Larson, B. C. J. Appl. Phys. 2003, 93, 278.
14. Shim, E. S.; Kang, H. S.; Rang, J. S.; Kim, J. H.; Lee, S. Y. Appl. Surf. Sci. 2002, 186, 474.
15. Xiu, F. X.; Yang, Z.; Zhao, D. T.; Liu, J. L.; Alim, K. A.; Balandin, A. A.; Itkis, M. E.; Haddon, R. C. J. Cryst. Growth 2006, 286, 61.
16. Chen, Y. F.; Bagnall, D. M.; Koh, H. J.; Park, K. T.; Hiraga, K.; Zhu, Z.; Yao, T. J. Appl. Phys. 1998, 84, 3912.
17. Ko, H. J.; Chen, Y. F.; Zhu, Z.; Yao, T. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1905.
18. Hsu, H. C.; Cheng, C. S.; Chang, C. C.; Yang, S.; Chang, C. S.; Hsieh, W. F. Nanotechnology 2005, 16, 297.
19. Wang, Lijun; Giles, N. C. J. Appl. Phys. 2003, 94, 973.
20. Jiang, D. S.; Jung, H.; Ploog, K. J. Appl. Phys. 1988, 64, 1371.
21. Teke, A.; Özgür, U.; Dogan, S.; Gu, X.; Morkoç, H.; Nemeth, B.; Nause, J.; Everitt, H. O. Phys. Rev. B 2004, 70, 195207.