-
1
-
-
34248397564
-
-
Menard, E.; Meitl, M. A.; Sun, Y.; Park, J.-U.; Shir, D. J.-L.; Nam, Y.-S.; Jeon, S.; Rogers, J. A. Chem. Rev. 2007, 107, 1117-1160.
-
(2007)
Chem. Rev.
, vol.107
, pp. 1117-1160
-
-
Menard, E.1
Meitl, M.A.2
Sun, Y.3
Park, J.-U.4
Shir, D.J.-L.5
Nam, Y.-S.6
Jeon, S.7
Rogers, J.A.8
-
3
-
-
18044384992
-
-
Gates, B. D.; Xu, Q.; Stewart, M.; Ryan, D.; Willson, C. G.; Whitesides, G. M. Chem. Rev. 2005, 105, 1171-1196.
-
(2005)
Chem. Rev.
, vol.105
, pp. 1171-1196
-
-
Gates, B.D.1
Xu, Q.2
Stewart, M.3
Ryan, D.4
Willson, C.G.5
Whitesides, G.M.6
-
5
-
-
0032166781
-
-
Andricacos, P. C.; Uzoh, C.; Dukovic, J. O.; Horkans, J.; Deligianni, H. IBM J. Res. Dev. 1998, 42, 567-574.
-
(1998)
IBM J. Res. Dev.
, vol.42
, pp. 567-574
-
-
Andricacos, P.C.1
Uzoh, C.2
Dukovic, J.O.3
Horkans, J.4
Deligianni, H.5
-
7
-
-
0034818468
-
-
Nguyen, V. H.; Hof, A. J.; van Kranenburg, H.; Woerlee, P. H.; Weimar, F. Microelectron. Eng. 2001, 55, 305-312.
-
(2001)
Microelectron. Eng.
, vol.55
, pp. 305-312
-
-
Nguyen, V.H.1
Hof, A.J.2
Van Kranenburg, H.3
Woerlee, P.H.4
Weimar, F.5
-
10
-
-
0037202575
-
-
Lanckmans, F.; Brongersma, S. H.; Varga, I.; Poortmans, S.; Bender, H.; Conard, T.; Maex, K. Appl. Surf. Sci. 2002, 201, 20-34.
-
(2002)
Appl. Surf. Sci.
, vol.201
, pp. 20-34
-
-
Lanckmans, F.1
Brongersma, S.H.2
Varga, I.3
Poortmans, S.4
Bender, H.5
Conard, T.6
Maex, K.7
-
11
-
-
55049137719
-
-
Youn, S.-W.; Ueno, A.; Takahashi, M.; Maeda, R. Jpn. J. Appl. Phys. 2008, 47, 5189-5196.
-
(2008)
Jpn. J. Appl. Phys.
, vol.47
, pp. 5189-5196
-
-
Youn, S.-W.1
Ueno, A.2
Takahashi, M.3
Maeda, R.4
-
12
-
-
0345446708
-
-
Kawahara, J.; Nakano, A.; Kinoshita, K.; Harada, Y.; Tagami, M.; Tada, M.; Hayashi, Y. Plasma Sources Sci. Technol. 2003, 12, S80-S88.
-
(2003)
Plasma Sources Sci. Technol.
, vol.12
-
-
Kawahara, J.1
Nakano, A.2
Kinoshita, K.3
Harada, Y.4
Tagami, M.5
Tada, M.6
Hayashi, Y.7
-
13
-
-
31544482389
-
-
Nomura, Y.; Ota, F.; Kurino, H.; Koyanagi, M. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 7876-7882.
-
(2005)
Jpn. J. Appl. Phys.
, vol.44
, pp. 7876-7882
-
-
Nomura, Y.1
Ota, F.2
Kurino, H.3
Koyanagi, M.4
-
14
-
-
0036537214
-
-
Geer, R. E.; Kolosov, O. V.; Briggs, G. A. D.; Shekhawat, G. S. J. Appl. Phys. 2002, 91, 4549-4555.
-
(2002)
J. Appl. Phys.
, vol.91
, pp. 4549-4555
-
-
Geer, R.E.1
Kolosov, O.V.2
Briggs, G.A.D.3
Shekhawat, G.S.4
-
15
-
-
33744786540
-
-
Schmid, G. M.; Stewart, M. D.; Wetzel, J.; Palmieri, F.; Hao, J.; Nishimura, Y.; Jen, K.; Kim, E. K.; Resnick, D. J.; Liddle, J. A.; Willson, C. G. J. Vac. Sci. Technol., B 2006, 24, 1283-1291.
-
(2006)
J. Vac. Sci. Technol. B
, vol.24
, pp. 1283-1291
-
-
Schmid, G.M.1
Stewart, M.D.2
Wetzel, J.3
Palmieri, F.4
Hao, J.5
Nishimura, Y.6
Jen, K.7
Kim, E.K.8
Resnick, D.J.9
Liddle, J.A.10
Willson, C.G.11
-
16
-
-
67650895582
-
-
69210C-1-69210C-14
-
Chao, B. H.; Palmieri, F.; Jen, W.-L.; McMichael, D. H.; Willson, C. G.; Owens, J.; Berger, R.; Sotoodeh, K.; Wilks, B.; Pham, J.; Carpio, R.; LaBelle, E.; Wetzel, J. Proc. SPIE 2008, 6921, 69210C-1-69210C-14.
-
(2008)
Proc. SPIE
, vol.6921
-
-
Chao, B.H.1
Palmieri, F.2
Jen, W.-L.3
McMichael, D.H.4
Willson, C.G.5
Owens, J.6
Berger, R.7
Sotoodeh, K.8
Wilks, B.9
Pham, J.10
Carpio, R.11
LaBelle, E.12
Wetzel, J.13
-
18
-
-
75649125962
-
-
Sanders, D. P. Chem. Rev. 2010, 110, 321-360.
-
Chem. Rev.
, vol.2010
, Issue.110
, pp. 321-360
-
-
Sanders, D.P.1
-
19
-
-
2942752061
-
-
Owa, S.; Nagasaki, H.; Ishii, Y.; Hirakawa, O.; Yamamoto, T. Solid State Technol. 2004, 47, 43-48.
-
(2004)
Solid State Technol.
, vol.47
, pp. 43-48
-
-
Owa, S.1
Nagasaki, H.2
Ishii, Y.3
Hirakawa, O.4
Yamamoto, T.5
-
20
-
-
0034206444
-
-
Cerrina, F.; Bollepalli, S.; Khan, M.; Solak, H.; Li, W.; He, D. Microelectron. Eng. 2000, 53, 13-20.
-
(2000)
Microelectron. Eng.
, vol.53
, pp. 13-20
-
-
Cerrina, F.1
Bollepalli, S.2
Khan, M.3
Solak, H.4
Li, W.5
He, D.6
-
21
-
-
13144281787
-
-
van Kan, J. A.; Bettiol, A. A.; Ansari, K.; Teo, E. J.; Sum, T. C.; Watt, F. Int. J. Nanotechnol. 2004, 1, 464-479.
-
(2004)
Int. J. Nanotechnol.
, vol.1
, pp. 464-479
-
-
Van Kan, J.A.1
Bettiol, A.A.2
Ansari, K.3
Teo, E.J.4
Sum, T.C.5
Watt, F.6
-
22
-
-
4043173302
-
-
Ansari, K.; van Kan, J. A.; Bettiol, A. A.; Watt, F. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 476-478.
-
(2004)
Appl. Phys. Lett.
, vol.85
, pp. 476-478
-
-
Ansari, K.1
Van Kan, J.A.2
Bettiol, A.A.3
Watt, F.4
-
25
-
-
33746574549
-
-
Bilenberg, B.; Scholer, M.; Shi, P.; Schmidt, M. S.; Boggild, P.; Fink, M.; Schuster, C.; Reuther, F.; Gruetzner, C.; Kristensen, A. J. Vac. Sci. Technol., B 2006, 24, 1776-1779.
-
(2006)
J. Vac. Sci. Technol. B
, vol.24
, pp. 1776-1779
-
-
Bilenberg, B.1
Scholer, M.2
Shi, P.3
Schmidt, M.S.4
Boggild, P.5
Fink, M.6
Schuster, C.7
Reuther, F.8
Gruetzner, C.9
Kristensen, A.10
-
26
-
-
0030570065
-
-
Chou, S. Y.; Krauss, P. R.; Renstrom, P. J. Science 1996, 272, 85-87.
-
(1996)
Science
, vol.272
, pp. 85-87
-
-
Chou, S.Y.1
Krauss, P.R.2
Renstrom, P.J.3
-
27
-
-
0031947320
-
-
Xia, Y.; Whitesides, G. M. Angew. Chem., Int. Ed. 1998, 37, 550-575.
-
(1998)
Angew. Chem., Int. Ed.
, vol.37
, pp. 550-575
-
-
Xia, Y.1
Whitesides, G.M.2
-
28
-
-
4143141855
-
-
Jung, G. Y.; Ganapathiappan, S.; Ohlberg, D. A. A.; Olynick, D. L.; Chen, Y.; Tong, W. M.; Williams, R. S. Nano Lett. 2004, 4, 1225-1229.
-
(2004)
Nano Lett.
, vol.4
, pp. 1225-1229
-
-
Jung, G.Y.1
Ganapathiappan, S.2
Ohlberg, D.A.A.3
Olynick, D.L.4
Chen, Y.5
Tong, W.M.6
Williams, R.S.7
-
29
-
-
33947355430
-
-
Lu, Y.; Chen, X.; Hu, W.; Lu, N.; Sun, J.; Shen, J. Langmuir 2007, 23, 3254-3259.
-
(2007)
Langmuir
, vol.23
, pp. 3254-3259
-
-
Lu, Y.1
Chen, X.2
Hu, W.3
Lu, N.4
Sun, J.5
Shen, J.6
-
30
-
-
33847731541
-
-
Truong, T. T.; Lin, R.; Jeon, S.; Lee, H. H.; Maria, J.; Gaur, A.; Hua, F.; Meinel, I.; Rogers, J. A. Langmuir 2007, 23, 2898-2905.
-
(2007)
Langmuir
, vol.23
, pp. 2898-2905
-
-
Truong, T.T.1
Lin, R.2
Jeon, S.3
Lee, H.H.4
Maria, J.5
Gaur, A.6
Hua, F.7
Meinel, I.8
Rogers, J.A.9
-
32
-
-
54249123118
-
-
Matsumura, Y.; Enomoto, Y.; Sugiyama, M.; Akamatsu, K.; Nawafune, H. J. Mater. Chem. 2008, 18, 5078-5082.
-
(2008)
J. Mater. Chem.
, vol.18
, pp. 5078-5082
-
-
Matsumura, Y.1
Enomoto, Y.2
Sugiyama, M.3
Akamatsu, K.4
Nawafune, H.5
-
33
-
-
4444236725
-
-
Akamatsu, K.; Ikeda, S.; Nawafune, H.; Yanagimoto, H. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 10822-10823.
-
(2004)
J. Am. Chem. Soc.
, vol.126
, pp. 10822-10823
-
-
Akamatsu, K.1
Ikeda, S.2
Nawafune, H.3
Yanagimoto, H.4
-
34
-
-
0344514054
-
-
Akamatsu, K.; Ikeda, S.; Nawafune, H. Langmuir 2003, 19, 10366-10371.
-
(2003)
Langmuir
, vol.19
, pp. 10366-10371
-
-
Akamatsu, K.1
Ikeda, S.2
Nawafune, H.3
-
35
-
-
84855639722
-
-
0, at approximately 1:0.75 ratio
-
0, at approximately 1:0.75 ratio.
-
-
-
-
36
-
-
56949097878
-
-
Ikeda, A.; Sakamoto, A.; Hattori, R.; Kuroki, Y. Thin Solid Films 2009, 517, 1740-1745.
-
(2009)
Thin Solid Films
, vol.517
, pp. 1740-1745
-
-
Ikeda, A.1
Sakamoto, A.2
Hattori, R.3
Kuroki, Y.4
-
37
-
-
27644438381
-
-
Yoshino, M.; Nonaka, Y.; Sasano, J.; Matsuda, I.; Shacham-Diamand, Y.; Osaka, T. Electrochim. Acta 2005, 51, 916-920.
-
(2005)
Electrochim. Acta
, vol.51
, pp. 916-920
-
-
Yoshino, M.1
Nonaka, Y.2
Sasano, J.3
Matsuda, I.4
Shacham-Diamand, Y.5
Osaka, T.6
-
38
-
-
34248570480
-
-
Ikeda, S.; Yanagimoto, H.; Akamatsu, K.; Nawafune, H. Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 889-897.
-
(2007)
Adv. Funct. Mater.
, vol.17
, pp. 889-897
-
-
Ikeda, S.1
Yanagimoto, H.2
Akamatsu, K.3
Nawafune, H.4
-
39
-
-
0032022235
-
-
Faupel, F.; Willecke, R.; Thran, A. Mater. Sci. Eng., R 1998, 22, 1-55.
-
(1998)
Mater. Sci. Eng. R
, vol.22
, pp. 1-55
-
-
Faupel, F.1
Willecke, R.2
Thran, A.3
|