High-performance zinc oxide transistors and circuits fabricated by spray pyrolysis in ambient atmosphere

Advanced Materials

Volumn 21, Issue 21, 2009, Pages 2226-2231

  Bashir, Aneeqa ^a   Wöbkenberg, Paul H ^a   Smith, Jeremy ^a   Ball, James M ^a   Adamopoulos, George ^a   Bradley, Donal D C ^a   Anthopoulos, Thomas D ^a  

^a IMPERIAL COLLEGE LONDON   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMBIENT ATMOSPHERE; DEPOSITION TECHNIQUE; HIGH MOBILITY; HIGH QUALITY; LARGE-AREA DEPOSITION; LOW VOLTAGES; MANUFACTURING COST; N-CHANNEL; OPERATING VOLTAGE; SEMICONDUCTOR DEPOSITION; SUBSTRATE TEMPERATURE; ZNO; ZNO FILMS; ZNO TRANSISTORS;

MONOLAYERS; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; THIN FILM TRANSISTORS; TRANSISTORS; ZINC; ZINC OXIDE;

SPRAY PYROLYSIS;

EID: 67649252663     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200803584     Document Type: Article

References (40)

1. S. Allard, M. Forster, B. Souharce, H. Thiem, U. Scherf, Angew. Chem. Int. Ed. 2008, 47, 4070.
2. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Nature 2004, 432, 488.
3. E. M. C. Fortunato, R M. C. Barquinha, A. C. M. B. Pimentel, A. M. F. Goncalves, A. J. S. Marques, R. F. P Martins, L. M. N. Pereira, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 2541.
4. P Görrn, M. Sander, J. Meyer, M. Kroger, E. Becker, H.-H. Johannes, W. Kowalski, T. Riedl, Adv. Mater. 2006, 8, 738.
5. S. Ju, A. Facchetti, Y. Xuan, J. Liu, F. Ishikawa, P. Ye, C. Zhou, T. J. Marks, D. B. Janes, Nat. Nanotechnol. 2007, 2, 378.
6. J. F. Wager, Science 2003, 300, 1245.
7. U. Özgür, C Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S. J. Cho, H. Morkoc, J. Appl. Phys. 2005, 98, 041301.
8. P. F. Carcia, R. S. McLean, M. H. ReIIIy, Jr, G. Nunes, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1117.
9. E. Fortunato, A. Pimentel, L. Pereira, A. Goncalves, G. Lavareda, H. Aguas, I. Ferreira, C. N. Carvalho, R. MartinsJ. Non-Cryst. Solids 2004, 338, 806.
10. H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, J. Jeong, D. A. Keszler, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 013503.
11. J. Nishii, F. M. Hossain, A. Takagi, T. Aita, K. Saikusa, Y. Ohmaki, I. Ohkubo, S. Kishimoto, A. Ohtomo, T. Fukumura, F. Matsukura, Y. Ohno, H. Koinuma, H. Ohno, M. Kawasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, 347.
12. J. Jo, O. Seo, E. Jeong, H. eo, B. ee, Y.-I. hoi jpn. j. Appl. Phys. 2007, 46, 2493.
13. J. Jo, O. Seo, H. Choi, B. Lee, Appl. Phys. Express 2008, 7, 041202.
14. Y. Ohya, T. Niwa, T. Ban, Y. TakahashiJpn.J. Appl. Phys. 2001, 40, 297.
15. Y.-J. Chang, D.-H. Lee, G. S. Herman, C-H. Chang, Electrochem. Solid-State Lett. 2007, 70, H135.
16. B. Norris,J. Anderson, J. F. Wager, D. A. Keszler, J. Phys. D: Appl. Phys. 2003, 36, L105.
17. S. K. Volkmann, B. A. Mattis, S. E. Molesa, B. J. Lee, A. d. I. F. Vornbrack, T. Bakhishev, V. Subramanian, Proc. IEEE 2004, 769.
18. B. S. Ong, C. S. Li, Y. N. Li, Y. L Wu, R. J. Loutfy, J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 2750.
19. D. Paraguay, L. Estrada, N. Acosta, E. Andrade, M. Miki-Yoshida, Thin Solid Films 1999, 350, 192.
20. S. A. Studenikin, N. Golego, M. Cocivera, J. Appl. Phys. 1998, 83, 2104.
21. M. Krunks, E. Mellinkov, Thin Solid Films 1995, 270, 33.
22. R. E. Presley, C. L. Munsee, C.-H. Park, D. Hong, J. F. Wager, D. A. Keszler, j. Phys. F, Met. Phys. 2004, 37, 2810.
23. L. Wang, M. H. Yoon, G. Lu, Y. Yang, A. Facchetti, T. J. Marks, Not. Mater. 2006, 5, 893.
24. Y. Vygranenko, K. Wang, A. Nathan, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 263508.
25. R. L. Hoffman, B. J. Norris, J. F. Wager, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 733.
26. S. Masuda, K. Kitamura, Y. Okumura, S. Miyatake, H. Tabata, T. Kawai J. Appl. Phys. 2003, 93, 1624.
27. E. Fortunato, P. Barquinha, A. Pimentel, A. Goncalves, A. Marques, L. Pereira, R. Martins, Thin Solid Films 2005, 487, 205.
28. R. Navamathavan, C. K. Choi, E. J. Yang, J. H. Lim, D. K. Hwang, S. J. Park, Solid-State Electron. 2008, 52, 813.
29. B. Sun, H. Sirringhaus, Nono Lett. 2005, 5, 2408.
30. B. Sun, R. L. Peterson, H. Sirringhaus, K. Mori J. Phys. Chem. C2007, 111, 18831.
31. Y. Y. Noh, X. Cheng, H. Sirringhaus, J. I. Sohn, M. E. Weiland, D. J. Kang, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 043109.
32. D. Perednis, L. J. Gauckler, J. Electroceramics 2005, 14, 103.
33. S. Lee, S. Jeong, D. Kim, B. K. Park, J. Moon, Superlattices Microstruct. 2007, 42, 361.
34. H. S. Kim, P. D. Byrne, A. Facchetti, T. J. Marks J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 12580.
35. D. H. Lee, Y.-J. Chang, G. S. Herman, C.-H. Chang, Adv. Mater. 2007, 19, 843.
36. W. Göpel, L. J. Brillson, C. F. Brucker, J. Vac. Sci. Technol. 1980, 77, 894.
37. H. Klauk, U. Zschieschang, J. Pflaum, M. Halik, Nature 2007, 445, 745.
38. U. Zschieschang, M. Halik, H. Klauk, Langmuir 2008, 24, 1665.
39. P. H. Wöbkenberg, J. Ball, F. B. Kooistra, J. C. Hummelen, D. M. de Leeuw, D. D. C. Bradley, T. D. Anthopoulos, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 013303.
40. D. Hong, G. Yerubandi, H. Q. Chiang, M. C. Spiegelberg, J. F. Wager, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 2007, 32, 111.