Base quencher effects in chemically amplified resist at sub-30-nm fabrication

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering

Volumn 6923, Issue , 2008, Pages

  Kozawa, Takahiro ^a   Tagawa, Seiichi ^a   Santillan, Julius Joseph ^b   Toriumi, Minoru ^b   Itani, Toshiro ^b  

^a OSAKA UNIVERSITY   (Japan)

^b SEMICONDUCTOR LEADING EDGE TECHNOLOGIES INC   (Japan)

Author keywords

Acid; Chemically amplified resist; Diffusion constant; EUV lithography; Quencher

Indexed keywords

ACIDS; DIFFUSION; ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY; PHOTORESISTORS; QUENCHING; ROUGHNESS MEASUREMENT; SEMICONDUCTOR DOPING; ULTRAVIOLET DEVICES;

ACID DIFFUSIONS; BASE QUENCHERS; CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST; CHEMICALLY AMPLIFIED RESISTS; DIFFUSION CONSTANT; DIFFUSION CONSTANTS; EUV LITHOGRAPHY; EUV RESISTS; EXTREME ULTRAVIOLETS; HIGH MOBILITIES; LATENT IMAGES; LINE EDGE ROUGHNESSES; LINE WIDTHS; PATTERN DEPENDENCES; PATTERN FORMATIONS; QUENCHER; REACTION MECHANISMS; RESIST PROCESSES; SIMULATION BASED;

PHOTORESISTS;

EID: 57349117873     PISSN: 0277786X     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1117/12.772154     Document Type: Conference Paper

References (33)

1. G. M. Gallatin, Proc. SPIE 5754, 38 (2005).
2. Y. Kawai, A. Otaka, A. Tanaka, and T. Matsuda, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 7023 (1994).
3. K. Asakawa, T. Ushirogouchi, and M. Nakase, Proc. SPIE 2438, 563 (1995).
4. W. D. Hinsberg, F. A. Houle, M. I. Sanchez, M. E. Morrison, G. M. Wallraff, C. E. Larson, J. A. Hoffnagle, P. J. Brock, and G. Breyta, Proc. SPIE 3999, 148 (2000).
5. T. Ushirogouchi, K. Asakawa, M. Nakase, and A. Hongu, Proc. SPIE 2438, 609 (1995).
6. T. B. Michaelson, A. R. Pawloski, A. Acheta, Y. Nishimura, and C. G. Willson, Proc. SPIE 5753, 368 (2005).
7. B. D. Vogt, S. Kang, V. M. Prabhu, A. Rao, E. K. Lin, W. Wu, S. K. Satija, and K. Turnquest, J. Vac. Sci. Technol. B 25, 175 (2007).
8. T. Itani, H. Yoshino, S. Hashimoto, M. Yamana, N. Samoto, and K. Kasama, Microelectronic Eng. 35, 149 (1997).
9. K. Hattori, J. Abe, and H. Fukuda, Proc. SPIE 4691, 1243 (2002).
10. W. D. Hinsberg, F. A. Houle, M. I. Sanchez, and G. M. Wallraff, IBM J. Res. Dev. 45, 667 (2001).
11. J. Nakamura, H. Ban, and A. Tanaka, in Microelectronics Technology: Polymers for Advanced Imaging and Packaging, ed. J. L. Brash and T. A. Horbett (American Chemical Society, Washington, D.C., 1995) ACS Symp. Ser., No. 614, p. 69.
12. X. Shi, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 350 (1999).
13. S. Nagahara, L. Yuan, W. J. Poppe, A. Neureuther, Y. Kono, A. Sekiguchi, K. Fujiwara, T. G. Watanabe, K. Taira, S. Kusumoto, T. Nakano, and T. Shimokawa, Proc. SPIE 5753, 338 (2005).
14. H. Yamamoto, T. Kozawa, A. Nakano, K. Okamoto, Y. Yamamoto, T. Ando, M. Sato, H. Komano, and S. Tagawa, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L848 (2004).
15. A. Nakano, K. Okamoto, T. Kozawa, and S. Tagawa, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 3981 (2004).
16. A. Nakano, K. Okamoto, T. Kozawa, and S. Tawaga, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 4363 (2004).
17. K. Natsuda, T. Kozawa, K. Okamoto, and S. Tagawa, Jpn. J. Appl. Phys. 45, L1256 (2006).
18. K. Natsuda, T. Kozawa, K. Okamoto, and S. Tagawa, Jpn. J. Appl. Phys. 46, 7285 (2007).
19. T. Kozawa, S. Tagawa, H. Oizumi, and I. Nishiyama, J. Vac. Scei. Technol. B 24, L27 (2006).
20. W. Hinsberg, F. A. Houle, J. Hoffnagle, M. Sanchez, G. Wallraff, M. Morrison, and S. Frank, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 3689 (1998).
21. S. C. Palmateer, S. G. Cann, J. E. Curtin, S. P. Doran, L. M. Eriksen, A. R. Forte, R. R. Kunz, T. M. Lyszczarz, and M. B. Stern, Proc. SPIE 3333, 634 (1998).
22. G. W. Reynolds and J. W. Taylor, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 334 (1999).
23. T. Kozawa, S. Tagawa, J. J. Santillan, M. Toriumi, and T. Itani, submitted to Jpn. J. Appl. Phys.
24. T. Kozawa, S. Tagawa, J. J. Santillan, M. Toriumi, and T. Itani, J. Vac. Sci. Technol. B 25, 2295 (2007).
25. S. Tanuma, C. J. Powell, and D. R. Penn, Surf. Interface Anal. 21, 165 (1993).
26. T. Kozawa, A. Saeki, and S. Tagawa, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 3489 (2004).
27. T. Kozawa and S. Tagawa, J. Appl. Phys. 99, 054509 (2006).
28. T. Kozawa, S. Tagawa, J. J. Santillan, M. Toriumi, and T. Itani, submitted to Jpn. J. Appl. Phys.
29. A. M. Goethals, R. Jonckheere, G. F. Lorusso, J. Hermans, F. Van Roey, A. Myers, A. Niroomand, I. Kim, F. Iwamoto, N. Stepanenko, and K. Ronse, J. Photopolym. Sci. Technol. 20, 383 (2007).
30. H. Oizumi, Y. Tanaka, T. Kumise, D. Shiono, T. Hirayama, H. Hada, J. Onodera, A. Yamaguchi, and I. Nishiyama, J. Photopolym. Sci. Technol. 20, 403 (2007).
31. J. W. Thackeray, R. A. Nassar, K. S.- Alfonso, R. Brainard, D. Goldfarb, T. Wallow, Y. Wei, W. Montgomery, K. Petrillo, O. Wood, C. Koay, J. Mackey, P. Naulleau, B. Pierson, and H. H. Solak, J. Photopolym. Sci. Technol. 20, 411 (2007).
32. D. Shimizu, K. Maruyama, A. Saitou, T. Kai, T. Shimokawa, K. Fujiwara, Y. Kikuchi, and I. Nishiyama, J. Photopolym. Sci. Technol. 20, 423 (2007).
33. S. Masuda, S. Tarutani, S. Kamimura, S. Hirano, W. Hoshino, and K. Mizutani, J. Photopolym. Sci. Technol. 20, 437 (2007).