Acceptor state formation in arsenic-doped ZnO films grown using ozone

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 205, Issue 7, 2008, Pages 1647-1652

  Erie, J M ^a   Ivill, M ^a   Kim, H S ^a   Pearton, S J ^a   Gila, B ^a   Ren, F ^a   Norton, D P ^a  

^a University of Florida   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACCEPTOR STATES; HALL MEASUREMENTS; LASER DEPOSITIONS; LOW TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCES; OPTICAL; PHOTOLUMINESCENCE SPECTRUM; ZNO FILMS;

ARSENIC; BINDING ENERGY; LIGHT EMISSION; LUMINESCENCE; METALLIC FILMS; OZONE; PHOTOLUMINESCENCE; PULSED LASER APPLICATIONS; PULSED LASER DEPOSITION; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; TRANSPORT PROPERTIES; ZINC ALLOYS; ZINC OXIDE;

EPITAXIAL FILMS;

EID: 54249156445     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200723663     Document Type: Article

References (53)

1. R. Hutson, Phys. Rev. 108 (1957).
2. D. C. Look, J. W. Hemsky, and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 2552 (1999).
3. C. G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 85, 1012 (2000).
4. S. J. Pearton, D. P. Norton, K. Ip, Y. W. Heo, and T. Steiner, Superlattices Microstruct. 34, 3 (2003).
5. D. C. Look and B. Claflin, phys. stat. sol. (b) 241, 624 (2004).
6. M. Wraback, H. Shen, S. Liang, C. R. Gorla, and Y. Lu, Appl. Phys. Lett. 74, 507 (1999).
7. Z. K. Tang, G. K. L. Wong, P. Yu, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 3270 (1998).
8. K. K. Kim, J. H. Song, W. K. Choi, S. J. Park, and J. H. Song, J. Appl. Phys. 87, 3573 (2000).
9. K. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, N. Sarukura, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 77, 475 (2000).
10. Y. Kwon, Y. Li, Y. W. Heo, M. Jones, P. H. Holloway, D. P. Norton, Z. V. Park, and S. Li, Appl. Phys. Lett. 84, 2685 (2004).
11. Y. W. Heo, L. C. Tien, Y. Kwon, D. P. Norton, S. J. Pearton, B. S. Kang, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 85, 2274 (2004).
12. Y. W. Heo, L. C. Tien, D. P. Norton, B. S. Kang, F. Ren, B. P. Gila, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 85, 2002 (2004).
13. H. T. Wang, B. S. Kang, F. Ren, L. C. Tien, P. W. Sadik, D. P. Norton, S. J. Pearton, and J. Lin, Appl. Phys. Lett. 86, 243503 (2005).
14. N. A. Theodoropoulou, A. F. Hebard, D. P. Norton, J. D. Budai, L. A. Boatner, J. S. Lee, Z. G. Khim, Y. D. Park, M. E. Overberg, S. J. Pearton, and R. G. Wilson, Solid-State Electron. 47, 2231 (2003).
15. M. Ivill, S. J. Pearton, D. P. Norton, J. Kelly, and A. F. Hebard, J. Appl. Phys. 97, 053904 (2005).
16. T. Yamamoto and H. Katayama-Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L166 (1999).
17. D. P. Norton, Y. Li, Y. W. Kwon, J. M. Erie, H. S. Kim, K. Ip, S. J. Pearton, Y. W. Heo, S. Kim, B. S. Kang, F. Ren, A. F. Hebard, and J. Kelly, Thin Solid Films 496, 160 (2006).
18. S. B. Zhang, S.-H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 63, 075205 (2001).
19. C. H. Park, S. B. Zhang, and S.-H. Wei, Phys. Rev. B 66, 073202 (2002).
20. D. J. Chadi, Phys. Rev. B 59, 15181 (1999).
21. C.-C. Lin, S.-Y. Chen, S.-Y. Cheng, and H.-Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 84, 5040 (2004).
22. D. C. Look, B. Claflin, Y. I. Alivov, and S. J. Park, phys. stat. sol. (a) 201, 2203 (2004).
23. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
24. K.-H. Bang, D.-K. Hwang, M.-C. Park, Y.-D. Ko, I. Yun, and J.-M. Myoung, Appl. Surf. Sci. 210, 177 (2003).
25. H.-S. Kim, D.-K. Hwang, J.-H. Lim, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 83, 63 (2003).
26. D. C. Look, Semicond. Sci. Technol. 20, S55 (2005).
27. S. Limpijumnong, S. B. Zhang, S.-H. Wei, and C. H. Park, Phys. Rev. Lett. 92, 155504 (2004).
28. T. Aoki, Y. Hatanaka, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 76, 3257 (2000).
29. T. Ohshima, T. Ikegami, K. Ebihara, J. Asmussen, and R. K. Thareja, Thin Solid Films 435, 49 (2003).
30. X. Li, Y. Yan, T. A. Gessert, C. DeHart, C. L. Perkins, D. Young, and T. J. Coutts, Electrochem. Solid-State Lett. 6, C56 (2003).
31. Y. R. Ryu, T. S. Lee, and H. W. White, Appl. Phys. Lett. 83, 87 (2003).
32. Y. W. Heo, Y. W. Kwon, Y. Li, S. J. Pearton, and D. P. Norton, Appl. Phys. Lett. 84, 3474 (2004).
33. K. Ip, Y. W. Heo, D. P. Norton, S. J. Pearton, J. R. LaRoche, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 85, 1169 (2004).
34. H. Yang, Y. Li, D. P. Norton, S. J. Pearton, S. Jung, F. Ren, and L. A. Boatner, Appl. Phys. Lett. 86, 172103 (2005).
35. Y. J. Li, Y. W. Heo, Y. Kwon, K. Ip, S. J. Pearton, and D. P. Norton, Appl. Phys. Lett. 87, 72101 (2005).
36. W. J. Lee, J. Kang, and K. J. Chang, Phys. Rev. B 73, 024117 (2006).
37. D. P. Norton, Mater. Sci. Eng. R, Rep. 43, 139 (2004).
38. Y. J. Li, Y. W. Heo, J. M. Erie, H. Kim, K. Ip, S. J. Pearton, and D. P. Norton, J. Electron. Mater. 35, 530 (2006).
39. M. Grundmann, The Physics of Semiconductors (Springer, New York, 2006).
40. K. Thonke, T. Gruber, N. Teofilov, R. Schonfelder, A. Waag, and R. Sauer, Physica B, Condens. Matter 308-310, 945 (2001).
41. B. V. L'vov and A. V. Novichikhin, Thermochim. Acta 290, 239 (1997).
42. Y. R. Ryu, T. S. Lee, J. H. Leem, and H. W. White, Appl. Phys. Lett. 83 (2003).
43. S. So and C. Park, J. Cryst. Growth 285, 606 (2005).
44. V. Vaithianathan, B.-T. Lee, and S. S. Kim, Appl. Phys. Lett. 86, 062101 (2005).
45. Y. R. Ryu, S. Zhu, D. C. Look, J. M. Wrobel, H. M. Jeong, and H. W. White, J. Cryst. Growth 216, 330 (2000).
46. W. Lee, M.-C. Jeong, and J.-M. Myoung, Appl. Phys. Lett. 85, 6167 (2004).
47. D. C. Look, J. Electron. Mater. 35, 1299 (2006).
48. K. Tamura et al., Solid State Commun. 127, 265 (2003).
49. J. M. Erie, Pulsed Laser Deposition of Doped ZnO and (Mg, Zn)O Films for Optoelectronic Applications, Ph. D. Dissertation, University of Florida (2007).
50. Y. W. Heo, S. J. Park, K. Ip, S. J. Pearton, and D. P. Norton, Appl. Phys. Lett. 83, 1128 (2003).
51. Y. W. Heo, K. Ip, S. J. Park, S. J. Pearton, and D. P. Norton, Appl. Phys. A 78, 53 (2004).
52. G. Xiong, J. Wilkinson, B. Mischuck, S. Tüzemen, K. B. Ucer, and R. T. Williams, Appl. Phys. Lett. 80, 1195 (2002).
53. A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 83, 57 (2003).