Optical characteristics of arsenic-doped ZnO nanowires

Applied Physics Letters

Volumn 85, Issue 25, 2004, Pages 6167-6169

  Lee, Woong ^a   Jeong, Min Chang ^a   Myoung, Jae Min ^a  

^a Yonsei University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ARSENIC; BINDING ENERGY; CRYSTALLIZATION; DOPING (ADDITIVES); ELECTRON DIFFRACTION; FERROMAGNETISM; HIGH RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPY; LOW TEMPERATURE EFFECTS; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MORPHOLOGY; NANOSTRUCTURED MATERIALS; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; PHOTONS; SPECTROSCOPIC ANALYSIS;

ARSENIC DOPING; NANOSCALE DEVICES; NANOWIRES; PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY (PL); SELECTED AREA ELECTRON DIFFRACTION (SAED);

ZINC OXIDE;

EID: 20444497346     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1840124     Document Type: Article

References (30)

1. P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He, and H.-J. Choi, Adv. Funct. Mater. 12, 323 (2002).
2. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2002).
3. X. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J. Wang, and C. M. Lieber, Nature (London) 409, 66 (2001).
4. L. Vayssieres, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 15, 464 (2003).
5. W. I. Park, D. H. Kim, S.-W. Jung, and G.-C. Yi, Appl. Phys. Lett. 80, 4232 (2002).
6. Y. Wu, H. Yan, M. Huang, B. Messer, J. H. Song, and P. Yang, Chem.-Eur. J. 8, 1260 (2002).
7. Y. Yan, S. B. Zhang, and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 86, 5723 (2002).
8. F. Oba, S. R. Nishitani, S. Isotani, H. Adachi, and I. Tananka, J. Appl. Phys. 90, 824 (2001).
9. S. B. Zhang, S.-H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 63, 075205 (2001).
10. C. H. Park, S. B. Zhang, and S.-H. Wei, Phys. Rev. B 66, 073202 (2002).
11. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
12. Y. R. Ryu, T. S. Lee, and H. W. White, Appl. Phys. Lett. 83, 87 (2003).
13. Y. Q. Chang, D. B. Wang, X. H. Luo, X. Y. Xu, X. H. Chen, L. Li, C. P. Chen, R. M. Wang, J. Xu, and D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 83, 4020 (2003).
14. K. I. R. M. Frazier, Y. W. Heo, D. P. Norton, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. Kelly, R. Rairigh, A. F. Hebard, J. M. Zavada, and R. G. Wilson, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1476 (2003).
15. D. W. Zeng, C. S. Xie, B. L. Zhu, R. Jiang, X. Chen, W. L. Song, J. B. Wang, and J. Shi, J. Cryst. Growth 266, 511 (2004).
16. Q. Wan, Q. H. Li, Y. J. Chen, T. H. Wang, X. L. He, X. G. Gao, and P. Li, Appl. Phys. Lett. 84, 3085 (2004).
17. B. Y. Geng, G. Z. Wang, Z. Jiang, T. Xie, S. H. Sun, G. W. Meng, and L. D. Zhang, Appl. Phys. Lett. 82, 4791 (2003).
18. W. Lee, M.-C. Jeong, and J.-M. Myoung, Acta Mater. 52, 3949 (2004).
19. Y. Chen, D. M. Bagnall, H. Koh, K. Park, K. Hiraga, Z. Zhu, and T. Yao, J. Appl. Phys. 84, 3912 (1998).
20. A. B. M. A. Ashrafi, A. Ueta, A. Avramescu, H. Kumano, I. Suemune, Y.-W. Ok, and T.-Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 76, 550 (2000).
21. D. W. Hamby, D. A. Lucca, M. J. Klopfstein, and G. Cantwell, J. Appl. Phys. 93, 3214 (2003).
22. W. Y. Liang and A. D. Yoffe, Phys. Rev. Lett. 20, 59 (1968).
23. D. C. Reynolds, D. C. Look, B. Jogai, and T. C. Collins, Appl. Phys. Lett. 79, 3794 (2001).
24. S. W. Jung, W. I. Park, H. D. Cheong, G.-C. Yi, H. M. Jang, S. Hong, and T. Joo, Appl. Phys. Lett. 80, 1924 (2002).
25. D. C. Reynolds, C. W. Litton, and T. C. Collins, Phys. Rev. A140, 1726 (1965).
26. K. A. Dhese, P. Devine, D. E. Ashenford, J. E. Nicholls, C. G. Scott, D. Sands, and B. Lunn, J. Appl. Phys. 76, 5423 (1994).
27. Q. X. Zhao, M. Willander, R. E. Morjan, Q.-H. Hu, and E. E. B. Campbell, Appl. Phys. Lett. 83, 165 (2003).
28. B. P. Zhang, N. T. Binh, Y. Segawa, K. Wakatsuki, and N. Usami, Appl. Phys. Lett. 83, 1635 (2003).
29. J. I. Pankove, Optical Processes in Semiconductors (Dover, New York, 1971).
30. F. Reuss, G. Kirchner, Th. Gruber, R. Kling, S. Maschek, W. Limmer, A. Waag, and P. Ziemann, J. Appl. Phys. 95, 3385 (2004).