Realization of atomically controlled dopant devices in silicon

Small

Volumn 3, Issue 4, 2007, Pages 563-567

  Rueß, Frank J ^a   Pok, Wilson ^a   Reusch, Thilo C G ^a   Butcher, Matthew J ^a   Goh, Kuan Eng J ^a   Oberbeck, Lars ^a   Scappucci, Giordano ^a   Hamilton, Alex R ^a   Simmons, Michelle Y ^a  

^a UNIVERSITY OF NEW SOUTH WALES   (Australia)

Author keywords

Doping; Molecular beam epitaxy; Nanostructures; Scanning probe microscopy; Silicon

Indexed keywords

CHEMISORPTION; DOPING (ADDITIVES); MOLECULAR BEAM EPITAXY; NANOSTRUCTURES; SCANNING PROBE MICROSCOPY; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SILICON;

CONTROLLED DOPANT DEVICES; INTEGRITY STRUCTURE; SELF TERMINATING CHEMISORPTION;

SEMICONDUCTOR DEVICES;

CARBON; HYDROGEN; METAL NANOPARTICLE; NANOMATERIAL; SILICON; UNCLASSIFIED DRUG;

ARTICLE; CHEMISTRY; CRYSTALLIZATION; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRON; METHODOLOGY; NANOTECHNOLOGY; SCANNING PROBE MICROSCOPY; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; TEMPERATURE; TIME;

CARBON; CRYSTALLIZATION; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRONS; HYDROGEN; METAL NANOPARTICLES; MICROSCOPY, SCANNING PROBE; MICROSCOPY, SCANNING TUNNELING; NANOSTRUCTURES; NANOTECHNOLOGY; SILICON; TEMPERATURE; TIME FACTORS;

EID: 34247252497     PISSN: 16136810     EISSN: 16136829     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/smll.200600680     Document Type: Article

References (43)

1. D. M. Eigler, E. K. Schweizer, Nature 1990, 344, 524.
2. C. T. Salling, M. G. Lagally, Science 1994, 265, 502.
3. J. W. Lyding, T.-C. Shen, J. S. Hubacek J. R. Tucker, G. C. Abeln, Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 2010.
4. T.-C. Shen, C. Wang, J. R. Tucker, Phys. Rev. Lett. 1997, 78, 1271.
5. M. Sakurai, C. Thirstrup, M. Aono, Phys. Rev. B 2000, 62, 16167.
6. G. Palasantzas, B. Illge, L. D. Nijs, L. J. Geerligs, J. Appl. Phys. 1999, 85, 1907.
7. J. L. O'Brien, S. R. Schofield, M. Y. Simmons, R. G. Clark, A. S. Dzurak, N. J. Curson, B. E. Kane, N. S. McAlpine, M. E. Hawley, G. W. Brown, Phys. Rev. B 2001, 64, 161 401.
8. G. P. Lopinski, D. D. M. Wayner, R. A. Wolkow, Nature 2000, 406, 48.
9. R. Basu, N. P. Guisinger, M. E. Greene, M. C. Hersam, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 2619.
10. P. Kruse, E. R. Johnson, G. A. DiLabio, R. A. Wolkow, Nano Lett. 2002, 2, 807.
11. P. M. Albrecht, J. W. Lyding, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 5029.
12. a) Y. Wada, Surf. Sci. 1997, 386, 265;
13. b) J. R. Tucker, T.-C. Shen, J. Solid State Electrochem. 1998, 2, 1061;
14. c) R. A. Wolkow, Jpn. J. Appl. Phys. 2001, 40, 4378.
15. F.). Rueß, L. Oberbeck, M.Y. Simmons, K. E. J. Goh, A. R. Hamilton, T. Hallam, S. R. Schofield, N. J. Curson, R. G. Clark, Nano Lett. 2004, 4, 1969.
16. a) S. Rubel, M. Trochet, E. E. Ehrichs, W. F. Smith, A. L. de Lozanne, J. Vac. Sci. Technol. A 1994, 12, 1894;
17. b) M. Fujimori, S. Heike, Y. Terada, T. Hashizume, Nanotechnology 2004, 15, S333;
18. T.-C. Shen, J. Vac. Sci. Technol. B 2004, 22, 3182.
19. F. J. Rueß, L. Oberbeck, K. E. J. Goh, M. J. Butcher, E. Gauja, A. R. Hamilton, M. Y. Simmons, Nanotechnology 2005, 16, 2446.
20. T. Shinada, S. Okamoto, T. Kobayashi, I. Ohdomari, Nature 2005, 437, 1128.
21. D. J. Frank, R. H. Denard, E. Nowak, P. M. Solomon, Y. Taur, H.-S. Wong, Proc. IEEE 2001, 89, 259.
22. V. V. Zhirnov, R. K. Cavin, D. J. C. Herr, T. A. Woolridge, IEEE TSM 2002, 15, 157.
23. S. R. Schofield, N. J. Curson, M.Y. Simmons, F.J. Rueß, T. Hallam, L. Oberbeck, R. G. Clark, Phys. Rev. Lett. 2003, 91, 136104.
24. H. F. Wilson, O. Warschkow, N. A. Marks, S. R. Schofield, N. J. Curson, P.V. Smith, M. W. Radny, D. R. McKenzie, M. Y. Simmons, Phys. Rev. Lett. 2004, 93, 226102.
25. P. M. Fahey, P. B. Griffin, J. D. Plummer, Rev. Mod. Phys. 1989, 61, 289.
26. J. F. Nutzet, G. Abstreiter, Phys. Rev. B 1996, 53, 13551.
27. K. E. J. Goh, L. Oberbeck, M.Y. Simmons, A. R. Hamilton, R. G. Clark, Appl. Phys. Lett. 2004, 55, 4953.
28. J. A. Stroscio, R. M. Feenstra, A. P. Fein, Phys. Rev. Lett. 1986, 57, 2579.
29. L. Liu, J.Yu, J.W. Lydig, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 386.
30. L. Oberbeck, N. J. Curson, T. Hallam, M.Y. Simmons, R. G. Clark, Thin Solid Films 2004, 464, 23.
31. L. Oberbeck, N.J. Curson, T. Hallam, M.Y. Simmons, R. G. Clark, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 1359.
32. P. H. Citrin, D. A. Muller, H.-J. Gossmann, R. Vanfleet, P. A. Northrup, Phys. Rev. Lett. 1999, 83, 3234.
33. B. Kalkofen, M. Lisker, E. P. Burte, Mater. Sci. Eng. B 2004, 114, 362.
34. L. Venkataraman, J. E. Klare, C. Nuckolls, M. S. Hybertsen, M. L. Steigerwald, Nature 2006, 442, 904.
35. a) R. A. Smith, H. Ahmed, J. Appl. Phys. 1997, 81, 2699;
36. b) S.-J. Park, J. A. Liddle, A. Persaud, F. I. Allen, T. Schenkel, J. Vac. Sci. Technol. B 2004, 22, 3115.
37. R. A. Beckman, E. Johnston-Halperin, N. A. Melosh, Y. Luo, J. E. Green, J. R. Heath, J. Appl. Phys. 2004, 96, 5921.
38. a) G. Zheng, W. Lu, S. Jin, C. M. Lieber, Adv. Mater. 2004, 16, 1890;
39. b) Y. Wang, K.-K. Lew, T.-T. Ho, L. Pan, S.W. Novak, E. C. Dickey, J. M. Redwing, T. S. Mayer, Nano Lett. 2005, 5, 2139.
40. D. V. Averin, K. K. Likharev, J. Low Temp. Phys. 1986, 62, 345.
41. M.W. Dellow, P. H. Beton, C.J. G. M. Langerak, T.J. Foster, P.C. Main, L. Eaves, M. Henini, S. P. Beaumont, C.D.W. Wilkinson, Phys. Rev. Lett. 1992, 68, 1754.
42. T. Fujisawa, T. Hayahi, S. Sasaki, Rep. Prog. Phys. 2006, 69, 759.
43. B. E. Kane, Nature 1998, 393, 133.