Fabrication of Co/Si nanowires by ultrahigh-vacuum scanning tunneling microscopy on hydrogen-passivated Si(100) surfaces

Journal of Applied Physics

Volumn 85, Issue 3, 1999, Pages 1907-1910

  Palasantzas, G ^a,b   Ilge, B ^a   De Nijs, J ^a   Geerligs, L J ^a  

^a DELFT UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Netherlands)

^b UNIVERSITY OF GRONINGEN   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; COBALT; ELECTRIC VARIABLES MEASUREMENT; LITHOGRAPHY; METALLIZING; NANOSTRUCTURED MATERIALS; PASSIVATION; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SEMICONDUCTING SILICON; VACUUM APPLICATIONS; WIRE;

ELECTRICAL TRANSPORT MEASUREMENT; MACROSCOPIC CONTACTS; NANOSCALE METALLIZATION; SILICIDATION; ULTRAHIGH-VACUUM SCANNING TUNNELING MICROSCOPY;

NANOTECHNOLOGY;

EID: 0033074255     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.369171     Document Type: Article

References (25)

1. E. S. Snow, P. M. Campbell, and F. K. Perkins, Nav. Res. Rev. XLIX, 15 (1997).
2. J. W. Lyding, Nav. Res. Rev. XLIX, 25 (1997); J. W. Lyding, T.-C. Shen, J. S. Hubacek, J. R. Tucker, and G. C. Abeln, Appl. Phys. Lett. 64, 2010 (1994); T.-C. Shen, C. Wang, G. C. Abeln, J. R. Tucker, J. W. Lyding, Ph. Avouris, and R. E. Walkup, Science 268, 1590 (1995); E. T. Foley, A. F. Kam, J. W. Lyding, and Ph. Avouris, Phys. Rev. Lett. 80, 1336 (1998).
3. J. W. Lyding, Nav. Res. Rev. XLIX, 25 (1997); J. W. Lyding, T.-C. Shen, J. S. Hubacek, J. R. Tucker, and G. C. Abeln, Appl. Phys. Lett. 64, 2010 (1994); T.-C. Shen, C. Wang, G. C. Abeln, J. R. Tucker, J. W. Lyding, Ph. Avouris, and R. E. Walkup, Science 268, 1590 (1995); E. T. Foley, A. F. Kam, J. W. Lyding, and Ph. Avouris, Phys. Rev. Lett. 80, 1336 (1998).
4. J. W. Lyding, Nav. Res. Rev. XLIX, 25 (1997); J. W. Lyding, T.-C. Shen, J. S. Hubacek, J. R. Tucker, and G. C. Abeln, Appl. Phys. Lett. 64, 2010 (1994); T.-C. Shen, C. Wang, G. C. Abeln, J. R. Tucker, J. W. Lyding, Ph. Avouris, and R. E. Walkup, Science 268, 1590 (1995); E. T. Foley, A. F. Kam, J. W. Lyding, and Ph. Avouris, Phys. Rev. Lett. 80, 1336 (1998).
5. J. W. Lyding, Nav. Res. Rev. XLIX, 25 (1997); J. W. Lyding, T.-C. Shen, J. S. Hubacek, J. R. Tucker, and G. C. Abeln, Appl. Phys. Lett. 64, 2010 (1994); T.-C. Shen, C. Wang, G. C. Abeln, J. R. Tucker, J. W. Lyding, Ph. Avouris, and R. E. Walkup, Science 268, 1590 (1995); E. T. Foley, A. F. Kam, J. W. Lyding, and Ph. Avouris, Phys. Rev. Lett. 80, 1336 (1998).
6. D. P. Adams, T. M. Mayer, and B. S. Swartzentruber, Appl. Phys. Lett. 68, 2210 (1996).
7. T.-C. Shen, G. Wang, and J. R. Tucker, Phys. Rev. Lett. 78, 1271 (1997).
8. R. T. Tung, Mater. Chem. Phys. 32, 107 (1992); S. P. Murarka, Suicides for VLSI Applications (Academic, New York, 1983).
9. R. T. Tung, Mater. Chem. Phys. 32, 107 (1992); S. P. Murarka, Suicides for VLSI Applications (Academic, New York, 1983).
10. S. Mantl and H. L. Bay, Appl. Phys. Lett. 61, 267 (1992); C. W. T. Bulle-Lieuwma, A. H. van Ommen, J. Honstra, and C. N. A. M. Aussems, J. Appl. Phys. 71, 2211 (1992); J. R. Jiminez, L. M. Hsiung, K. Rajan, and L. J. Schowalter, Appl. Phys. Lett. 57, 2811 (1990).
11. S. Mantl and H. L. Bay, Appl. Phys. Lett. 61, 267 (1992); C. W. T. Bulle-Lieuwma, A. H. van Ommen, J. Honstra, and C. N. A. M. Aussems, J. Appl. Phys. 71, 2211 (1992); J. R. Jiminez, L. M. Hsiung, K. Rajan, and L. J. Schowalter, Appl. Phys. Lett. 57, 2811 (1990).
12. S. Mantl and H. L. Bay, Appl. Phys. Lett. 61, 267 (1992); C. W. T. Bulle-Lieuwma, A. H. van Ommen, J. Honstra, and C. N. A. M. Aussems, J. Appl. Phys. 71, 2211 (1992); J. R. Jiminez, L. M. Hsiung, K. Rajan, and L. J. Schowalter, Appl. Phys. Lett. 57, 2811 (1990).
13. V. Scheuch, B. Voigtlander, and H. P. Bonzel, Surf. Sci. 372, 71 (1996); R. E. Weber, Appl. Phys. A: Solids Surf. 30, 1 (1988); H. Meyerheim, U. Dobler, and A. Puschmann, Phys. Rev. B 44, 2211 (1991).
14. V. Scheuch, B. Voigtlander, and H. P. Bonzel, Surf. Sci. 372, 71 (1996); R. E. Weber, Appl. Phys. A: Solids Surf. 30, 1 (1988); H. Meyerheim, U. Dobler, and A. Puschmann, Phys. Rev. B 44, 2211 (1991).
15. V. Scheuch, B. Voigtlander, and H. P. Bonzel, Surf. Sci. 372, 71 (1996); R. E. Weber, Appl. Phys. A: Solids Surf. 30, 1 (1988); H. Meyerheim, U. Dobler, and A. Puschmann, Phys. Rev. B 44, 2211 (1991).
16. L. F. Matheiss and D. R. Hamann, Phys. Rev. B 37, 10623 (1988); H. von Känel, C. Schwarz, S. Gncalves-Conto, and E. Müller, Phys. Rev. Lett. 74, 1163 (1994).
17. L. F. Matheiss and D. R. Hamann, Phys. Rev. B 37, 10623 (1988); H. von Känel, C. Schwarz, S. Gncalves-Conto, and E. Müller, Phys. Rev. Lett. 74, 1163 (1994).
18. J. W. Mayer and S. S. Lau, Electronic Materials Science: For Integrated Circuits in Si and GaAs (Macmillan, New York, 1990).
19. K. Sinniah, M. G. Sherman, L. B. Lewis, W. H. Weinberg, J. T. Yates, and K. C. Janda, J. Chem. Phys. 92, 5700 (1990).
20. M. Copel and R. M. Tromp, Appl. Phys. Lett. 65, 3102 (1994).
21. G. Palasantzas, B. Ilge, J. de Nijs, and L. J. Geerligs, Surf. Sci. 412/413, 509 (1998).
22. D. P. Adams, T. M. Mayer, and B. S. Swartzentruber, J. Appl. Phys. 83, 4690 (1998).
23. B. Ilge, G. Palasantzas, J. De Nijs, and L. J. Geerligs (unpublished).
24. Y. W. Mo, J. Kleiner, M. B. Webb, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 66, 1998 (1991).
25. J. Derrien, J. Chevrier, Le Thanh, I. Berbezier, C. Giannini, S. Lagomarsino, and M. G. Grimaldi, Appl. Surf. Sci. 73, 90 (1993).