Si-doped GaN/AlN quantum dot superlattices for optoelectronics at telecommunication wavelengths

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 4, 2006, Pages

  Guillot, F ^a   Bellet Amalric, E ^a   Monroy, E ^a   Tchernycheva, M ^b   Nevou, L ^b   Doyennette, L ^b   Julien, F H ^b   Dang, Le Si ^c   Remmele, T ^d   Albrecht, M ^d   Shibata, T ^e   Tanaka, M ^e  

^a CEA GRENOBLE   (France)

^b UNIV PARIS SUD   (France)

^c LIPHY   (France)

^d LEIBNIZ INSTITUTE FOR CRYSTAL GROWTH   (Germany)

^e NGK INSULATORS LTD   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DOPING (ADDITIVES); GALLIUM NITRIDE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; OPTOELECTRONIC DEVICES; PERTURBATION TECHNIQUES; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; SILICON;

INTRABAND ABSORPTION; QUANTUM DOT SUPERLATTICES; TELECOMMUNICATION WAVELENGTHS;

SUPERLATTICES;

EID: 33748318137     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2335400     Document Type: Article

References (75)

1. J. Faist, F. Capasso, D. L. Sivco, C. Sirtori, A. L. Hutchinson, and A. Y. Cho, Science 264, 553 (1994).
2. B. F. Levine, J. Appl. Phys. 74, R1 (1993).
3. G. Martin, S. Strite, A. Botchkarev, A. Agarwal, A. Rockett, W. R. L. Lambrecht, B. Segall, and H. Morkoç, J. Electron. Mater. 225, 24 (1995).
4. S. Wei and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 69, 2719 (1996).
5. G. Martin, A. Botchkarev, A. Rockett, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 68, 2541 (1996).
6. C. G. Van de Valle and J. Neugebauer, Appl. Phys. Lett. 70, 2577 (1997).
7. M. Buogiorno, K. Rapcewicz, and J. Bernholc, Phys. Rev. B 55, R7323 (1997).
8. A. Helman et al., Appl. Phys. Lett. 83, 5196 (2003).
9. N. Iizuka, K. Kaneko, N. Suzuki, T. Asano, S. Noda, and O. Wada, Appl. Phys. Lett. 77, 648 (2000).
10. J. D. Heber, C. Gmachl, H. M. Ng, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 81, 1237 (2002).
11. N. Iizuka, K. Kaneko, and N. Suzuki, Appl. Phys. Lett. 81, 1803 (2002).
12. C. Gmachl, H. M. Ng, S.-N. G. Chu, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 77, 3722 (2000).
13. C. Gmachl, H. M. Ng, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 79, 1590 (2001).
14. K. Kishino, A. Kikuchi, H. Kanazawa, and T. Tachibana, Appl. Phys. Lett. 81, 1234 (2002).
15. M. Tchernycheva et al., Phys. Rev. B 73, 125347 (2006).
16. D. Hofstetter, S.-S. Schad, H. Wu, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 83, 572 (2003).
17. E. Baumann et al., Appl. Phys. Lett. 87, 191102 (2005).
18. D. Hofstetter, E. Baumann, F. R. Giorgetta, M. Graf, M. Maier, F. Guillot, E. Bellet-Amalric, and E. Monroy, Appl. Phys. Lett. 88, 121112 (2006).
19. M. Tchernycheva, L. Nevou, L. Doyennette, F. H. Julien, F. Guillot, E. Monroy, T. Remmele, and M. Albrecht, Appl. Phys. Lett. 88, 153113 (2006).
20. K. W. Berryman, S. A. Lyon, and M. Segev, Appl. Phys. Lett. 70, 1861 (1997).
21. J. Phillips, K. Kamath, and P. Bhattacharya, Appl. Phys. Lett. 72, 2020 (1998).
22. D. Pan, E. Towe, and S. Kennerly, Appl. Phys. Lett. 73, 1937 (1998).
23. Z. Chen, O. Baklenov, E. T. Kim, I. Mukhametzhanov, J. Tie, A. Madhukar, Z. Ye, and J. C. Campbell, J. Appl. Phys. 89, 4558 (2001).
24. J. Phillips, P. Bhattacharya, S. W. Kennerly, D. W. Beekman, and M. Dutta, IEEE J. Quantum Electron. 35, 936 (1999).
25. S.-W. Lee, K. Hirakawa, and Y. Shimada, Appl. Phys. Lett. 75, 1428 (1999).
26. J.-W. Kim, J.-E. Oh, S.-C. Hong, C.-H. Park, and T.-K. Yoo, IEEE Electron Device Lett. 21, 329 (2000).
27. L. Chu, A. Zrenner, M. Bicher, and G. Abstreiter, Appl. Phys. Lett. 79, 2249 (2001).
28. S. J. Xu et al., Appl. Phys. Lett. 73, 3153 (1998).
29. Q. D. Zhuang, J. M. Li, H. X. Li, Y. P. Zeng, L. Pan, Y. H. Chen, M. Y. Kong, and L. Y. Lin, Appl. Phys. Lett. 73, 3706 (1998).
30. E. Finkman et al., Physica E (Amsterdam) 7, 139 (2000).
31. E. Finkman et al., Phys. Rev. B 63, 045323 (2001).
32. V. Ryzhii, Semicond. Sci. Technol. 11, 759 (1996).
33. A. D. Andreev and E. P. O'Reilly, Phys. Rev. B 62, 15851 (2000).
34. A. D. Andreev and E. P. O'Reilly, Appl. Phys. Lett. 79, 521 (2001).
35. V. Ranjan, G. Allan, C. Priester, and C. Delerue, Phys. Rev. B 68, 115305 (2003).
36. Kh. Moumanis et al., Appl. Phys. Lett. 82, 868 (2003).
37. M. Tchernycheva et al., Appl. Phys. Lett. 87, 101912 (2005).
38. L. Doyennette, L. Nevou, M. Tchernycheva, A. Lupu, F. Guillot, E. Monroy, R. Colombelli, and F. H. Julien, Electron. Lett. 41, 1077 (2005).
39. A. Vardi et al., Appl. Phys. Lett. 88, 143101 (2006).
40. B. Daudin, F. Widmann, G. Feuillet, Y. Samson, M. Arlery, and J. L. Rouvière, Phys. Rev. B 56, R7069 (1997).
41. V. Chamard et al., Phys. Rev. B 69, 125327 (2004).
42. E. Sarigiannidou, E. Monroy, B. Daudin, J. L. Rouvière, and A. D. Andreev, Appl. Phys. Lett. 87, 203112 (2005).
43. N. Gogneau et al., J. Appl. Phys. 96, 1104 (2004).
44. N. Gogneau, F. Fossard, E. Monroy, S. Monnoye, H. Mank, and B. Daudin, Appl. Phys. Lett. 84, 4224 (2004).
45. F. Widmann, B. Daudin, G. Feuillet, Y. Samson, J. L. Rouvière, and N. Pelekanos, J. Appl. Phys. 83, 7618 (1998).
46. J. Tersoff, C. Teichert, and M. G. Lagally. Phys. Rev. Lett. 76, 1675 (1996).
47. K. Hoshino, S. Kako, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 85, 1262 (2004).
48. N. Gogneau, D. Jalabert, E. Monroy, T. Shibata, M. Tanaka, and B. Daudin, J. Appl. Phys. 94, 2254 (2003).
49. S. Kalliakos et al., J. Appl. Phys. 96, 180 (2004).
50. D. I. Lubyshev, P. P. Gonzalez-Borrero, E. Marega, Jr., E. Petitprez, N. La Scala, Jr., and P. Basmaji, Appl. Phys. Lett. 68, 205 (1995).
51. C. Adelmann, J. Simon, G. Feuillet, N. T. Pelekanos, B. Daudin, and G. Fishman, Appl. Phys. Lett. 76, 1570 (2000).
52. G. A. Slack, L. J. Schowalter, D. Morelli, and J. A. Freitas, Jr., J. Cryst. Growth 246, 287 (2002).
53. E. Monroy, J. Zenneck, G. Cherkashinin, O. Ambacher, M. Hermann, M. Stutzmann, and M. Eickhoff, Appl. Phys. Lett. 88, 071906 (2006).
54. X.-Q. Shen, S. Tanaka, S. Iwai, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 80, 2008 (1998).
55. S. Tanaka, M. Takeuchi, and Y. Aoyagi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L831 (2000).
56. A. Cremades, L. Görgens, O. Ambacher, M. Stutzmann, and F. Scholz, Phys. Rev. B 61, 2812 (2000).
57. L. T. Romano, C. G. Van de Walle, J. W. Ager III, W. Götz, and R. S. Kern, J. Appl. Phys. 87, 7745 (2000).
58. A. Munkholm et al., Appl. Phys. Lett. 77, 1626 (2000).
59. A. L. Rosa, J. Neugebauer, J. E. Northrup, C.-D. Lee, and R. M. Feenstra, Appl. Phys. Lett. 80, 2008 (2002).
60. E. Monroy, T. Andreev, P. Holliger, E. Bellet-Amalric, T. Shibata, M. Tanaka, and B. Daudin, Appl. Phys. Lett. 84, 2554 (2004).
61. C. D. Lee, R. M. Feenstra, A. L. Rosa, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1619 (2001).
62. C. Adelmann, N. Gogneau, E. Sarigiannidou, J. L. Rouvière, and B. Daudin, Appl. Phys. Lett. 81, 3064 (2002).
63. W. Ostwald, Z. Phys. Chem. (Leipzig) 34, 495 (1990);
64. for a review, see M. Zinge-Allmang et al., Surf. Sci. Rep. 16, 377 (1992).
65. J. Drucker, Phys. Rev. B 48, 18203 (1993).
66. T. I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D. A. A. Ohlberg, and R. S. Williams, J. Appl. Phys. 85, 1159 (1999).
67. A. Raab and G. Springhold, Appl. Phys. Lett. 77, 2991 (2000).
68. F. M. Ross, J. Tersorff, and R. M. Tromp, Phys. Rev. Lett. 80, 984 (1998).
69. S. Lee, I. Daruka, C. S. Kim, A.-L. Barabási, J. L. Merz, and J. K. Furdyna, Phys. Rev. Lett. 81, 3479 (1998).
70. K. B. Nam, M. L. Nakarmi, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L229 (2003).
71. Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto, Appl. Phys. Lett. 85, 4672 (2004).
72. T. Ive, O. Brandt, H. Kostial, K. J. Friedland, L. Däweritz, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 86, 024106 (2005).
73. M. Hermann, F. Furtmayr, A. Bergmaier, G. Dollinger, M. Stutzmann, and M. Eickhoff, Appl. Phys. Lett. 86, 192108 (2005).
74. E. Monroy et al., J. Appl. Phys. 93, 1550 (2003).
75. E. Monroy et al., J. Appl. Phys. 99, 093513 (2006).