메뉴 건너뛰기




Volumn 72, Issue 21, 1998, Pages 2736-2738

The fraction of substitutional boron in silicon during ion implantation and thermal annealing

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords


EID: 0000569193     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.121075     Document Type: Article
Times cited : (63)

References (21)
  • 15
    • 21944446236 scopus 로고    scopus 로고
    • private communication
    • J. Zhu (private communication).
    • Zhu, J.1
  • 18
    • 21944439509 scopus 로고    scopus 로고
    • S. Tian, S. J. Morris, B. Obradovic, M. F. Morris, G. Wang, G. Balamurugan, A. F. Tasch, C. Snell, U. T. Marlowe Version 4.0 (1996)
    • S. Tian, S. J. Morris, B. Obradovic, M. F. Morris, G. Wang, G. Balamurugan, A. F. Tasch, C. Snell, U. T. Marlowe Version 4.0 (1996).


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.