Localization of carriers and polarization effects in quaternary AlInGaN multiple quantum wells

Applied Physics Letters

Volumn 79, Issue 26, 2001, Pages 4375-4377

  Kuokstis, E ^a   Zhang, J ^a   Ryu, M Y ^a   Yang, J W ^a   Simin, G ^a   Khan, M Asif ^a   Gaska, R ^b   Shur, M S ^b,c  

^a UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA   (United States)

^b SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY INC   (United States)

^c RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035945185     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1429753     Document Type: Article

References (24)

1. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
2. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
3. M. A. Khan, J. W. Yang, G. Simin, R. Gaska, M. S. Shur, G. Tamulaitis, A. Zukauskas, D. J. Smith, D. Chandrasekhar, and R. Bicknell-Tassius, Appl. Phys. Lett. 76, 1161 (2000).
4. G. Tamulaitis, K. Kazlauskas, S. Jursenas, A. Zukauskas, M. A. Khan, T. W. Yang, J. Zhang, G. Simin, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 77, 2136 (2000).
5. J. Zhang, J. W. Yang, G. Simin, M. Shatalov, M. A. Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 77, 2668 (2000).
6. E. Kuokstis, J. Zhang, J. W. Yang, G. Simin, M. A. Khan, R. Gaska and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. (to be published).
7. T. Matsuoka, N. Yoshimoto, T. Sasaki, and A. Katsui, J. Electron. Mater. 21, 157 (1992).
8. J. Han, J. J. Figiel, G. A. Petersen, S. M. Myers, M. H. Crawford, and M. A. Banas, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 2372 (2000).
9. J. Li, K. B. Nam, K. H. Kim, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 78, 61 (2001).
10. A. Zaroddu, F. Bernardini, and P. Ruggerone, Phys. Rev. B 64, 045208 (2001).
11. M. A. Khan, R. A. Skogman, J. M. Van Hove, D. T. Olson, and N. Kuzina, Appl. Phys. Lett. 60, 1366 (1992).
12. M. A. Khan, N. Kuzina, R. A. Skogman, D. T. Olson, M. MacMillan, and W. J. Choyke, Appl. Phys. Lett. 61, 2539 (1992).
13. M. A. Khan, J. N. Kuzina, D. T. Olson, T. George, and W. T. Pike, Appl. Phys. Lett. 63, 3470 (1993).
14. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L382 (1997).
15. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
16. A. Klochikin, A. Reznitsky, S. Permogorov, T. Breitkopf, M. Grü, M. Hetterich, C. Klingshirn, V. Lysenko, W. Langbein, and J. M. Hvam, Phys. Rev. B 59, 12947 (1999).
17. T. Takahara, Phys. Rev. B 32, 7013 (1985).
18. A. Klochikhin, A. Reznitskiǐ, L. Tanishev, S. Permogorov, S. Ivanov, S. Sorokin, Kh. Mumanis, R. Seisyan, and C. Klingshirn, JETP Lett. 71, 242 (2000).
19. S. Chichibu, T. Sota, K. Wada, and S. Nakamura, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2204 (1998).
20. C. Weisbuch and B. Vinter, Quantum Semiconductor Structures (Academic, London, 1991).
21. R. Cingolani, A. Botcharev, H. Tang, H. Markoç, G. Traetta, G. Coli, M. Lomascolo, A. Di Carlo, F. Della Sala, and P. Lugli, Phys. Rev. B 61, 2711 (2000).
22. A. Dmitriev and A. Oruzheinikov, J. Appl. Phys. 86, 3241 (1999).
23. S. Juršenas, G. Kurilčik, and A. Žukauskas, Phys. Rev. B 54, 16706 (1996).
24. R. Klann, O. Brandt, H. Yang, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 70, 1076 (1997).