Simulation of the dc plasma in carbon nanotube growth

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 10 1, 2003, Pages 6284-6290

  Hash, David ^a   Bose, Deepak ^a,b   Govindan, T R ^a   Meyyappan, M ^a  

^a NASA AMES RESEARCH CENTER   (United States)

^b ELORET CORPORATION   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACETYLENE; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; COMPUTER SIMULATION; ELECTRONS; GROWTH (MATERIALS); TUNGSTEN;

ONE-DIMENSIONAL SIMULATION;

CARBON NANOTUBES;

EID: 0037945458     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1568155     Document Type: Article

References (66)

1. Y. Chen, Z. L. Wang, J. S. Yin, D. J. Johnson, and R. H. Prince, Chem. Phys. Lett. 272, 178 (1997).
2. Y. Chen, L. P. Guo, D. J. Johnson, and R. H. Prince, J. Cryst. Growth 193, 342 (1998).
3. L. C. Qin, D. Zhou, A. R. Krauss, and D. M. Gruen, Appl. Phys. Lett. 72, 3437 (1998).
4. Z. F. Ren, Z. P. Huang, J. W. Xu, J. H. Wang, P. Bush, M. P. Siegel, and P. N. Provencio, Science 282, 1105 (1998).
5. S. H. Tsai, C. W. Chao, C. L. Lee, and H. C. Shin, Appl. Phys. Lett. 74, 3462 (1999).
6. Q. Zhang, S. F. Yoon, J. Ahn, B. Gan, Rusli, and M.-B. Yu, J. Phys. Chem. Solids 61, 1179 (2000).
7. Y. C. Choi, Y. H. Lee, B. S. Lee, G. Park, W. B. Choi, N. S. Lee, and J. M. Kim, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 1864 (2000).
8. Y. C. Choi, Y. M. Shin, S. C. Lim, D. J. Bae, Y. H. Lee, B. S. Lee, and D. Chung, J. Appl. Phys. 88, 4898 (2000).
9. M. Okai, T. Muneyoshi, T. Yaguchi, and S. Sasaki, Appl. Phys. Lett. 77, 3465 (2000).
10. C. Bower, W. Zhu, S. Jin, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 77, 830 (2000).
11. C. Bower, O. Zhou, W. Zhu, D. J. Werder, and S. Jin, Appl. Phys. Lett. 77, 2767 (2000).
12. H. Cui, O. Zhou, and B. R. Stoner, J. Appl. Phys. 88, 6072 (2000).
13. V. I. Merkulov, D. H. Lowndes, Y. Y. Wei, G. Eres, and E. Voelkl, Appl. Phys. Lett. 76, 3555 (2000).
14. Y. Y. Wei, G. Eres, V. I. Merkulov, and D. H. Lowndes, Appl. Phys. Lett. 78, 1394 (2001).
15. V. I. Merkulov, M. A. Guillorn, D. H. Lowndes, M. L. Simpson, and E. Voelkl, Appl. Phys. Lett. 79, 1178 (2001).
16. V. I. Merkulov, A. V. Melechko, M. A. Guillorn, D. H. Lowndes, and M. L. Simpson, Appl. Phys. Lett. 79, 2970 (2001).
17. G. W. Ho, A. T. S. Wee, J. Lin, and W. C. Tjiu, Thin Solid Films 388, 73 (2001).
18. K. B. K. Teo, M. Chhowalla, G. A. J. Amaratunga, W. I. Milne, D. G. Hasko, G. Pirio, P. Legagneux, F. Wyczisk, and D. Pribat, Appl. Phys. Lett. 79, 1534 (2001).
19. M. Chhowalla, K. B. K. Teo, C. Ducati, N. L. Rupersinghe, G. A. J. Amaratunga, A. C. Ferrari, D. Roy, J. Robertson, and W. I. Milne, J. Appl. Phys. 90, 5308 (2001).
20. K. B. K. Teo, M. Chhowalla, G. A. J. Amaratunga, W. T. Milne, G. Pirio, P. Legagneux, F. Wyczisk, J. Olivier, and D. Pribat, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 116 (2002).
21. M. Tanemura, K. Iwata, K. Takahashi, Y. Fujimoto, F. Okuyama, H. Sugie, and V. Filip, J. Appl. Phys. 90, 1529 (2001).
22. C. L. Tsai, C. F. Chen, and L. K. Wu, Appl. Phys. Lett. 81, 721 (2002).
23. L. Delzeit, I. McAninch, B. A. Cruden, D. Hash, B. Chen, J. Han, and M. Meyyappan, J. Appl. Phys. 91, 6027 (2002).
24. L. Delzeit, C. V. Nguyen, R. M. Stevens, J. Han, and M. Meyyappan, Nanotechnology 13, 280 (2002).
25. K. Matthews, B. Cruden, B. Chen, M. Meyyappan, and L. Delzeit, J. Nanosci. Nanotech. 2, 475 (2002).
26. O. M. Kuttel, O. Groening, C. Emmenbegger, and L. Schlapbach, Appl. Phys. Lett. 73, 2113 (1998).
27. J. Han, W. S. Yang, J. B. Yoo, and C. Y. Park, J. Appl. Phys. 88, 7363 (2000).
28. J. Han, J. B. Yoo, C. Y. Park, H. J. Kim, G. S. Park, M. Yang, I. T. Han, N. Lee, W. Yi, S. G. Yu, and J. M. Kim, J. Appl. Phys. 91, 483 (2002).
29. D. Nolan, D. C. Lynch, and A. H. Cutler, J. Phys. Chem. B 102, 4165 (1998).
30. D. Hash and M. Meyyappan, J. Appl. Phys. 93, 750 (2003).
31. C. Dateo, T. Gökçen, and M. Meyyappan, J. Nanosci. Nanotech. 2, 523 (2002).
32. T. Gökçen, C. Dateo, and M. Meyyappan, J. Nanosci. Nanotech. 2, 535 (2002).
33. S. J. Harris, A. W. Weiner, and T. A. Perry, Appl. Phys. Lett. 53, 1605 (1988).
34. M. Frenklach, J. Appl. Phys. 65, 5142 (1989).
35. T. DebRoy, K. Tankala, W. A. Yarbrough, and R. Messier, J. Appl. Phys. 68, 2424 (1990).
36. D. G. Goodwin and G. G. Gavillet, J. Appl. Phys. 68, 6393 (1990).
37. M. Frenklach and H. Wang, Phys. Rev. B 43, 1520 (1991).
38. D. S. Dandy and M. E. Coltrin, J. Appl. Phys. 76, 3102 (1994).
39. M. C. McMaster, W. L. Hsu, M. E. Coltrin, and D. S. Dandy, J. Appl. Phys. 76, 7567 (1994).
40. L. L. Connell, J. W. Fleming, H.-N. Chu, D. J. Vestyck, E. Jensen, and J. E. Butler, J. Appl, Phys. 78, 3622 (1995).
41. B. Ruf, F. Behrendt, O. Deutschmann, and J. Warnatz, J. Appl. Phys. 79, 7256 (1996).
42. Y. A. Mankelevich, A. T. Rakhimov, and N. V. Suetin, Diamond Relat. Mater. 5, 888 (1996).
43. Y. A. Mankelevich, A. T. Rakhimov, and N. V. Suetin, Diamond Relat. Mater. 7, 1133 (1998).
44. Y. A. Mankelevich, N. V. Suetin, M. N. R. Ashfold, J. A. Smith, and E. Cameron, Diamond Relat. Mater. 10, 364 (2001).
45. Y. A. Mankelevich, N. V. Suetin, J. A. Smith, and M. N. R. Ashfold, Diamond Relat. Mater. 11, 567 (2002).
46. J. A. Smith, J. B. Wills, H. S. Moores, A. J. Orr-Ewing, and M. N. R. Ashfold, J. Appl. Phys. 92, 672 (2002).
47. CRC Handbook of Chemistry and Physics, 83rd ed. edited by D. R. Lide (CRC Press, Boca Raton, FL, 2002).
48. T. Durakiewicz and S. Halas, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 194 (1998).
49. E. Zeiler, S. Schwarz, S. M. Rosiwal, and R. F. Singer, Mater. Sci. Eng., A 335, 236 (2002).
50. H. F. Winters, H. Seki, R. R. Rye, and M. E. Coltrin, J. Appl. Phys. 76, 1228 (1994).
51. E. Lassner and W.-D. Schubert, Tungsten (Kluwer Academic, New York, 1999).
52. Thermophsyical Properties of High Temperature Solid Materials, edited by Y. S. Touloukian (Macmillan, New York, 1967).
53. J. R. Welty, C. E. Wicks, and R. E. Wilson, Fundamentals of Momentum, Heat, and Mass Transfer (Wiley, New York, 1969).
54. L. Stobiński and R. Duś, Vacuum 46, 433 (1995).
55. Yu. P. Raizer, Gas Discharge Physics (Springer, Berlin, 1997).
56. P. M. Chung, Phys. Fluids 12, 1623 (1969).
57. D. B. Graves and K. F. Jensen, IEEE Trans. Plasma Sci. PS-14, 78 (1986).
58. D. Bose, T. R. Govindan, and M. Meyyappan, J. Electrochem. Soc. 146, 2705 (1999).
59. D. Bose, T. R. Govindan, and M. Meyyappan, IEEE Trans. Plasma Sci. 30, 653 (2002).
60. M. Meyyappan and J. P. Kreskovsky, J. Appl. Phys. 68, 1506 (1990).
61. The reaction set can be obtained by sending a request to david.b.hash@nasa.gov
62. J. H. Han, C. H. Lee, D. Y. Jung, C. W. Yang, J. B. Yoo, C. Y. Park, H. J. Kim, S. G. Yu, W. Yi, G. S. Park, I. T. Han, N. S. Lee, and J. M. Kim Thin Solid Films 409, 120 (2002).
63. V. G. Anicich, J. Phys. Chem. Ref. Data 22, 1469 (1993).
64. Y. Hayashi, T. Negishi, and S. Nishino, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 1796 (2001).
65. V. G. Anicich and M. J. McEwan, Planet. Space Sci. 45, 897 (1997).
66. M. Tsuji, H. Kouno, K. Matsumura, T. Funatsu, Y. Nishimura, H. Obase, H. Kugishima, and K. Yoshida, J. Chem. Phys. 98, 2011 (1993).