Ge nanostructures: Average and local structure

Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Volumn 15, Issue 4, 2004, Pages 195-203

  Kolobov, A V ^a  

^a NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY AIST   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL STRUCTURE; EPITAXIAL GROWTH; LIGHT ABSORPTION; NANOSTRUCTURED MATERIALS; RAMAN SCATTERING; SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; X RAY ANALYSIS; X RAY DIFFRACTION;

ELECTRONIC MATERIALS; LONG RANGE ORDERING; X RAY ABSORPTION FINE STRUCTURE;

SEMICONDUCTING GERMANIUM;

EID: 1542607578     PISSN: 09574522     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1023/B:JMSE.0000012455.87480.9b     Document Type: Review

References (119)

1. B. A. Joyce and R. R Bradley, Philos. Mag. 14 (1966) 289.
2. D. D. Vvedensky, "Epitaxial Growth of Semiconductors, in Low-dimensional Semiconductor Structures", edited by K. Barnham and D. Vvedensky (Cambridge University Press, Cambridge, 2001) p. 1.
3. A. I. Ekimov, A. L. Efros and A. A Onushchenko, Solid State Commun. 5 (1985) 921.
4. S. Hayashi, M. Fujii and K. Yamamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28 (1989) L1464.
5. Y. Kanemitsu, H. Uto, Y. Matsumoto and Y. Maeda, Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 2187.
6. Y. Maeda, N. Tsukamoto, Y. Yazawa, Y. Kanemitsu and Y. Matsumoto, ibid. 59 (1992) 3168.
7. Y. Maeda, Phys. Rev. B 51 (1995) 1658.
8. M. Zacharias, J. Blasing, J. Christen, P. Veit, B. Dietrich and D. Bimberg, Superlatt. Microstruct. 18 (1995) 139.
9. A. Kolobov, H. Oyanagi, N. Usami, S. Tokumitsu, T. Hattori, S. Yamasaki, K. Tanaka, S. Ohtake and Y. Shiraki, Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 488.
10. W. K. Choi, Y. W. Ho, S. P. Ng and V. Ng, J. Appl. Phys. 89 (2001) 2168.
11. M. Nagomi and Y. Abe, Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 2545.
12. A. Saito and T. Suemoto, Phys. Rev. B 56 (1997) R1688.
13. X. L. Wu, T. Gao, X. M. Bao, F. Yan, S. S. Jiang and D. Feng, J. Appl. Phys. 82 (1997) 2704.
14. J. G. Zhu, C. W. White, J. D. Budai, S. P. Withrow and Y. Chen, ibid. 78 (1995) 4386.
15. K. L. Teo, S. H. Kwok, P. Y. Yu and S. Guha, Phys. Rev. B 62 (2000) 1584.
16. A. Dowd, R. G. Ellimann and B. Luther-Davies, Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 2327.
17. S. T. Ngiam, K. F. Jensen, and K. D. Kolenbrander, J. Appl. Phys. 76 (1994) 8201.
18. K. M. Hassan, A. K. Sharma, J. Narayan, J. F. Muth, C. W. Teng and R. M. Kolbas, Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 1222.
19. C. Shubert, U. Kaiser, A. Hedler, W. Wesch, T. Gorelik, U. Glatzel, J. Krausslich, B. Wunderlich, G. Hess and K. Goetz, J. Appl. Phys. 91 (2002) 1520.
20. O. Dag, A. Kuperman and G. A. Ozin, Adv. Mater. 6, (1994) 147.
21. A. Zunger, S. Wagner and P. M. Petroff, J. Electron. Mater. 22 (1993) 3.
22. A. Aparisi, V. Fornes, F. Marquez, R. Moreno, C. Lopez and F. Meseguer, Solid State Electron. 40 (1996).
23. C. L. Bowes, A. Malek and G. A. Ozin, Chem. Vapor. Deposit 2 (1996) 97.
24. H. Muguez, V. Fornes, F. Meseguer, F. Marquez and C. Lopez, Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 2347.
25. H. Miguez, C. E. F. Garcia-Santamaria, M. Ibisate, S. John, C. Lopez, F. Meseguer, J. P. Mondia, G. A. Ozin, O. Toader and H. M. Van Driel, Adv. Mater. 13 (2001) 1634.
26. S. John and K. Busch, J. Lightwave Technol. 17 (1999) 1931.
27. K. Brunner, Rep. Prog. Phys. 65 (2002) 27.
28. A. A. Williams, J. M. C. Thornton, J. E. MacDonald, R. G. Van Silfhout, J. F. Van Der Veen, M. S. Finney, R. G. Johnson and C. Norris, Phys. Rev. B 43 (1991) 5001.
29. A. J. Steinfort, P. M. L. O. Schilte, A. Ettema, F. Tuinstra, M. Nielsen, E. Landmark, D. M. Smiglies, R. Feidenhans, G. Falkenberg, L. Seehofer and R. G. Johnson, Phys. Rev. Lett. 77 (1996) 2009.
30. J. Stangl, A. Daniel, V. Holy, T. Roch, G. Bauer, I. Kegel, H. Metzger, T. Wiebach, O. G. Schmidt and K. Eberl, Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 1474.
31. T. Wiebach, M. Schmidbauer, M. Hanke, H. Raidt and R. Koeler, Phys. Rev. B 61 (2000) 5571.
32. T. U. Schulli, J. Stangl, Z. Zhong, R. T. Lechner, M. Sztucki, H. Metzger and G. Bauer, Phys. Rev. Lett. 90 (2003) 066105.
33. X. B. Liao, J. Zou, D. J. H. Cockayne, L. Qin, Z. M. Jiang, X. Wang and R. Leon, Phys. Rev. B 60 (1999) 15605.
34. A. V. Kolobov, H. Oyanagi, S. Wei, K. Brunner, G. Abstreiter and K. Tanaka, ibid. 66 (2002) 075319.
35. J. Tersoff and R. M. Tromp, Phys. Rev. Lett. 70 (1993) 2782.
36. R. Magalhaes-Paniago, G. Medeiros-Ribeiro, A. Malachias, S. Kycia, T. I. Kamins and R. S. Williams, Phys. Rev. B 66 (2002) 245312.
37. X. Wang, Z. Jiang, H. Zhu, F. Lu, D. Huang, X. Liu, C. Hi, Y. Chen, Z. Zhu and T. Yao, Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 3543.
38. Y. Zhang, M. Floyd, J. Drucker and G. L. Kellogg, J. Appl. Phys. 90 (2001) 4748.
39. A. A. Shklyaev, M. Shibata and M. Ichikawa, Phys. Rev. B 58 (1998) 15647.
40. N. Motta, A. Sgarlata, R. Calarco, J. Castro Cal, Q. Nguyen, P. Prosposito, A. Balzarotti and M. De Crescenzi, J. Vac. Sci. Technol. B 16 (1998) 1555.
41. P. W. Deelman, L. J. Schowalter and T. Thundat, J. Vac. Sci. Technol. A 15 (1997) 930.
42. H. Omi and T. Ogino, Phys. Rev. B 59 (1999) 7524.
43. J. Zhu, C. Miesner, K. Brunner and G. Abstreiter, Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 2398.
44. K. Sakamoto, H. Matsuhata, M. O. Tanner, D. Wang and K. L. Wang, Thin Solid Films 321 (1998) 55.
45. J. H. Zhu, K. Brunner and G. Abstreiter, Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 620.
46. C. Lee and A. L. Barabasi, ibid. 73 (1998) 2651.
47. Y. H. Xie, S. B. Samavedam, M. Bulsara, T. A. Langdo and E. A. Fitzgerald, ibid. 71 (1997) 3567.
48. E. S. Kim, N. Usami and Y. Shiraki, ibid. 72 (1998) 1617.
49. T. I. Kamins, D. A. A. Ohlberg, R. S. Williams, W. Zhang and S. Y. Chou, ibid. 74 (1999) 1773.
50. G. Jin, J. L. Liu and K. L. Wang, ibid. 76 (2000) 3591.
51. T. Kitajima B. Liu and S. R. Leone, ibid. 80 (2002) 497.
52. G. Jin, J. L. Liu, S. G. Thomas, Y. H. Luo and K. L. Wang, ibid. 75 (1999) 2752.
53. Z. Zhong, A. Halilovoc, M. Muhlberger, F. Schaffler and G. Bauer, ibid. 82 (2003) 445.
54. A. A. Shklyaeve, M. Shibata and M. Ichikawa, ibid. 72 (1998) 320.
55. Y. P. Zhang, L. Yan, S. S. Xie, S. J. Pang and H. J. Gao, ibid. 79 (2001) 3317.
56. V. Le Thanh, V. Vam, P. Boucaud, F. Fortuna, C. Ulysse, D. Bouchier, L. Vervoort and J. M. Lourtioz, Phys. Rev. B 60 (1999) 5851.
57. G. Medeiros-Ribeiro, A. M. Bratkovski, T. I. Kamins, D. A. A. Ohlberg and R. S. Williams, Science 279 (1998) 353.
58. T. I. Kamins, E. C. Carr, R. S. Williams and S. J. Rosner, J. Appl. Phys. 81 (1997) 211.
59. R. S. Williams, G. Medeiros-Ribeiro, T. I. Kamins and D. A. A. Ohlberg, J. Phys. Chem. B 102 (1998) 9605.
60. Y. Wakayama, G. Gerth, P. Werner and U. Gosele, Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 2328.
61. H. J. Kim and Y. H. Xie, ibid. 79 (2001) 263.
62. C. S. Peng, Q. Huang, W. Q. Cheng, J. M. Zhou, Y. H. Zhang, T. T. Sheng and C. H. Tung, ibid. 72 (1998) 2541.
63. O. G. Schmnidt, C. Lange, K. Eberl, O. Kienzle and F. Ernst, ibid. 71 (1997) 2340.
64. Y. Wakayama, L. V. Sokolov, N. Zakharov and G. P. Werner, U. ibid. 93 (2003) 765.
65. M. W. Dashiell, U. Denker, C. Muler, G. Gosstantini, C. Manzono, K. Kern and O. G. Schmidt, ibid. 80 (2002) 1279.
66. A. Shklyaev and M. Ichikawa, ibid. 80 (2002) 1432.
67. A. Kolobov, S. Wei, W. S. Yan, H. Oyanagi, Y. Maeda and K. Tanaka, Phys. Rev. B 67 (2003) 075319.
68. V. Craciun, W. Boyd, A. H. Reader and D. E. W. Vanderhoudt, Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 3233.
69. M. Fujii, S. Hayashi and K. Yamamoto, ibid. 57 (1990) 2692.
70. Y. Saito, J. Cryst. Growth 47 (1979) 61.
71. S. Sato, S. Nozaki, H. Morisaki and M. Iwase, Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 3176.
72. S. Nozaki, S. Sato, H. Ono, H. Morisaki and M. Iwase, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 405 (1996) 223.
73. S. Sato, S. Nozaki and H. Morisaki, Appl. Phys. Lett. (1998).
74. F. P. Bundy and J. S. Kasper, Science 139 (1963) 340.
75. J. D. Joannopoulos and M. L. Cohen, Phys. Rev. B 7 (1973) 2644.
76. T. P. Martin, T. Bergmann, H. Gohlich and T. Lange, J. Chem. Phys. 95 (1991) 6421.
77. L. Pizzagalli, G. Gali, J. E. Klepeis and F. Gygi, Phys. Rev. B 63 (2001) 165324.
78. Z. F. Krasil'nik, P. Lytvyn, D. N. Lobanov, N. Mestres, A. V. Novikov, J. Pascual, M. Y. Valakh and V. A. Yakhumchuk, Nanotechnol. 13 (2002) 81.
79. J. M. Zhang, M. Gieler, A Goebel, M. Cardona, E. E. Haller, and K. Itoh, Phys. Rev. B 57 (1998) 1348.
80. P. A. Temple and C. E. Hathaway, ibid. 7 (1973) 3685.
81. K. Uchinokura, T. Sekine and E. Matsuura, J. Phys. Chem. Solids 35 (1974) 171.
82. A. Kolobov and K. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 3572.
83. A. V. Kolobov, J. Vac. Sci. Technol. A 20 (2002) 1116.
84. A. V. Kolobov, J. Appl. Phys. 87 (2000) 2926.
85. A. Kolobov and K. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 3550.
86. K. L. Teo, L. Qin, Z. X. Shen and O. G. Schmidt, ibid. 80 (2002) 2919.
87. A. Kolobov, K. Morita, K. M. Itoh and E. E. Haller, ibid. 81 (2002) 3855.
88. S. Hayashi and H. Abe, Jpn. J. Appl. Phys. 23 (1984) L824.
89. V. Madigson, D. V. Regelman, R. Beserman and K. Dettmer, Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 1044.
90. A. Kolobov, Y. Maeda and K. Tanaka, J. Appl. Phys. 88 (2000) 3285.
91. F. K. Legoues, R. Rosenberg, T. Nyugen, F. Himpsel and B. S. Meyerson, J. Appl. Phys. 65 (1989) 1724.
92. A. L. Ankudinov, B. Ravel, J. J. Rehr and S. Conradson, Phys. Rev. B 58 (1998) 7565.
93. A. V. Kolobov, H. Oyanagi, K. Brunner, P. Schittenhelm, G. Abstreiter and K. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 86 (2001) 451.
94. F. Boscherini, G. Capellini, L. Di Gaspare, F. Rosei, N. Motta and S. Mobilio, ibid. 76 (2000) 682.
95. F. Boscherini, G. Capellini, L. Di Gaspare, M. De Seta, F. Rosei, A. Sgarlata, N. Motta and S. Mobilio, Thin Solid Films 380 (2000) 173.
96. F. Rosei, N. Motta, A. Sgarlata, G. Capellini and F. Boscherini, ibid. 369 (2000) 29.
97. A. Kolobov, H. Oyanagi, A. Frenkel, J. Robinson, J. Cross, S. Wei, K. Brunner, G. Abstreiter, A. Shklyaev, M. Ichikawa, Y. Maeda, S. Yamasaki and K. Tanaka, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. 199 (2003) 174.
98. N. Motta, F. Rosei, A. Sgarlata, G. Gapellini, S. Mobilio and F. Boscherini, Mater. Sci. Eng. B 88 (2002) 264.
99. Y. L. Soo, G. Kioseoglou, S. Huang, S. Kim and Y. H. Kao, Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 3685.
100. Z. Kovats, M. Rauscher, H. Metzger, J. Peisl, R. Paniago, H. D. Pfannes, F. Boscherini and S. Ferrer, Phys. Rev. B 62 (2000) 8223.
101. A. Kolobov, A. Shklyaev, H. Oyanagi, P. Fons, S. Yamasaki and M. Ichikawa, Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 2563.
102. M. Ishii, Jpn. J. Appl. Phys. Part I 41 (2002) 4415.
103. S. J. Kahng, Y. H. Ha, D. W. Moon and Y. Kuk, J. Vac. Sci. Technol. A 18 (2000).
104. A. Ikeda, K. Sumitomo, T. Nishioka, T. Yasue, T. Koshikawa and Y. Kido, Surf. Sci. 385 (1997) 200.
105. K. Nakajima, A. Konishi and K. Kimura, Phys. Rev. Lett. 83 (1999) 1802.
106. A. Frenkel, A. Kolobov, I. K. Robinson, J. O. Cross, Y. Maeda and C. E. Bouldin, ibid. 89 (2002) 285503.
107. K. L. Wang, J. L. Liu and G. Jin, J. Cryst Growth 237-239 (2002) 1892.
108. Y. Q. Wang, G. L. Kong, W. D. Chen, H. W. Diao, C. Y. Chen, S. B. Zhang and X. B. Liao, Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 4174.
109. C. S. Lent, P. D. Tougaw, W. Porod and G. H. Bernstein, Nanotechnol. 4 (1993) 19.
110. V. N. Tondare, B. I. Birajdar, N. Pradeep, D. S. Joag, A. Lobo and S. K. Kulkami, Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 2394.
111. D. V. Averin and K. K. Likharev, J. Low-Temp. Phys. 62 (1986) 345.
112. S. Banerjee, S. Nozaki and H. Morisaki, Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 445.
113. S. Banerjee, S. Nozaki and H. Morisaki, J. Appl. Phys. 91 (2002) 4307.
114. W. K. Choi, W. K. Chim, C. L. Heng, L. W. Teo, V. Ho, V. Ng, D. A. Antoniadis and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 2014.
115. F. Meseguer, A. Blanco, H. Miguez, F. Garcia-Santamaria, M. Ibisate and C. Lopez, Coll. Surf. 202 (2002) 281.
116. Y. E. Jie, Y. N. Xiong, A. T. S. Wee, C. H. A. Huan and W. Ji, Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 3926.
117. J. Nishii, K. Kintaka, H. Hosono, H. Kawazoe, M. Kato and K. Muta, Phys. Rev. B 60 (1999) 7166.
118. I. Shlimak, I. Vagner and V. I. Safarov, in Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, Springer, Osaka, 2000.
119. I. Kegel, T. H. Metzger4, J. Peisl, P. Schittenhelm and G. Abstreiter, Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 2978.