Annealing temperature dependence of Raman scattering in Ge+-implanted SiO2 films

Journal of Applied Physics

Volumn 82, Issue 5, 1997, Pages 2704-2706

  Wu, X L ^a   Gao, T ^a   Bao, X M ^a   Yan, F ^a   Jiang, S S ^a   Feng, D ^a  

^a NANJING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0013357264     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.366089     Document Type: Article

References (27)

1. V. B. Neustruev, J. Phys. Condens. Matter 6, 6901 (1994).
2. M. Gallagher and U. Osterberg, Appl. Phys. Lett. 63, 2987 (1993); J. Appl. Phys. 74, 2771 (1993).
3. M. Gallagher and U. Osterberg, Appl. Phys. Lett. 63, 2987 (1993); J. Appl. Phys. 74, 2771 (1993).
4. L. S. Liao, X. M. Bao, X. Q. Zheng, N. S. Li, and N. B. Min, Appl. Phys. Lett. 68, 850 (1996).
5. S. Hayashi, M. Fujii, and K. Yamamoto, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L1464 (1989); Appl. Phys. Lett. 57, 2692 (1990); Jpn. J. Appl. Phys. 30, 687 (1991).
6. S. Hayashi, M. Fujii, and K. Yamamoto, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L1464 (1989); Appl. Phys. Lett. 57, 2692 (1990); Jpn. J. Appl. Phys. 30, 687 (1991).
7. S. Hayashi, M. Fujii, and K. Yamamoto, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L1464 (1989); Appl. Phys. Lett. 57, 2692 (1990); Jpn. J. Appl. Phys. 30, 687 (1991).
8. Y. Kanemitsu, H. Uto, Y. Masumoto, and Y. Maeda, Appl. Phys. Lett. 61, 2187 (1992); Y. Maeda, N. Tsukamoto, Y. Yazawa, Y. Kanemitsu, and Y. Masumoto, ibid. 59, 3168 (1991).
9. Y. Kanemitsu, H. Uto, Y. Masumoto, and Y. Maeda, Appl. Phys. Lett. 61, 2187 (1992); Y. Maeda, N. Tsukamoto, Y. Yazawa, Y. Kanemitsu, and Y. Masumoto, ibid. 59, 3168 (1991).
10. J. G. Jiang, K. J. Chen, X. F. Huang, and D. Feng, Appl. Phys. Lett. 65, 1799 (1994).
11. S. Hayashi, H. Wakayama, T. Okada, S. S. Kim, and K. Yamamoto, J. Phys. Soc. Jpn. 56, 243 (1987); S. Hayashi and K. Yamamoto, Superlattices Microstruct. 2, 581 (1986).
12. S. Hayashi, H. Wakayama, T. Okada, S. S. Kim, and K. Yamamoto, J. Phys. Soc. Jpn. 56, 243 (1987); S. Hayashi and K. Yamamoto, Superlattices Microstruct. 2, 581 (1986).
13. K. V. Shcheglov, C. M. Yang, K. J. Vahala, and H. A. Atwater, Appl. Phys. Lett. 66, 745 (1995).
14. T. Gao, X. M. Bao, F. Yan, and S. Tong, Phys. Lett. A (accepted).
15. P. A. Temple and C. E. Hathaway, Phys. Rev. B 7, 3685 (1973).
16. C. Serre, A. P. Rodriquez, A. R. Rodriquez, J. R. Morante, R. Klogler, and W. Skorupa, J. Appl. Phys. 77, 2978 (1995).
17. T. Gao, X. L. Wu, and X. M. Bao (unpublished).
18. H. Richter, Z. P. Wang, and L. Ley, Solid State Commun. 39, 625 (1981); I. H. Campbell and P. M. Fauchet, ibid. 58, 739 (1986).
19. H. Richter, Z. P. Wang, and L. Ley, Solid State Commun. 39, 625 (1981); I. H. Campbell and P. M. Fauchet, ibid. 58, 739 (1986).
20. R. Tubino, L. Piseri, and G. Zerbi, J. Chem. Phys. 56, 102 (1972).
21. M. Fujii, S. Hayashi, and K. Yamamoto, Appl. Phys. Lett. 57, 2692 (1990).
22. S. Sato, S. Nozaki, H. Morisaki, and M. Iwase, Appl. Phys. Lett. 66, 3176 (1995).
23. X. L. Wu, S. Tong, X. N. Liu, X. M. Bao, S. S. Jiang, and D. Feng, Appl. Phys. Lett. 70, 838 (1997).
24. B. Y. Miao and G. H. Wang (unpublished).
25. P. D. Persans, A. F. Rupper, B. Abeles, and T. Tiedje, Phys. Rev. B 32, 5558 (1985); H. H. Burke and I. P. Herman, ibid. 48, 15 016 (1993).
26. P. D. Persans, A. F. Rupper, B. Abeles, and T. Tiedje, Phys. Rev. B 32, 5558 (1985); H. H. Burke and I. P. Herman, ibid. 48, 15 016 (1993).
27. M. I. Alonso and K. Winer, Phys. Rev. B 39, 10056 (1989).