Recombination dynamics of excitons in III-nitride layers and quantum wells

Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology

Volumn 59, Issue 1-3, 1999, Pages 307-314

  Lefebvre, P ^a   Allegre J ^a   Mathieu, H ^a  

^a UNIVERSITÉ MONTPELLIER 2   (France)

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BINDING ENERGY; ELECTRON ENERGY LEVELS; EXCITONS; HIGH ENERGY PHYSICS; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EPITAXIAL LAYER; EXCITON DYNAMICS; RADIATIVE RECOMBINATION;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 0344671648     PISSN: 09215107     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0921-5107(98)00360-2     Document Type: Article

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