Effects of well thickness and Si doping on the optical properties of GaN/AlGaN multiple quantum wells

Applied Physics Letters

Volumn 71, Issue 10, 1997, Pages 1368-1370

  Zeng, K C ^a   Lin, J Y ^a   Jiang, H X ^a   Salvador, A ^b   Popovici, G ^b   Tang, H ^b   Kim, W ^b   Morkoc H ^b  

^a KANSAS STATE UNIVERSITY   (United States)

^b University of Illinois at Urbana Champaign   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000308769     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.119896     Document Type: Article

References (15)

1. H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1993).
2. S. N. Mohammad and H. Morkoç, Prog. Quantum Electron. 20, 361 (1996).
3. M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, A. Botchkarev, W. Kim, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 69, 2453 (1996); M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. Asif Khan, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 69, 2837 (1996).
4. M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, A. Botchkarev, W. Kim, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 69, 2453 (1996); M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. Asif Khan, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 69, 2837 (1996).
5. G. D. Chen, M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, S.-H. Wei, M. Asif Khan, and C. J. Sun, Appl. Phys. Lett. 68, 2784 (1996); M. Smith, G. D. Chen, J. Z. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, W. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 67, 3387 (1995).
6. G. D. Chen, M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, S.-H. Wei, M. Asif Khan, and C. J. Sun, Appl. Phys. Lett. 68, 2784 (1996); M. Smith, G. D. Chen, J. Z. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, W. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 67, 3387 (1995).
7. D. C. Reynolds, D. C. Look, W. Kim, A. Özgür, A. Botchkarev, A. Salvador, H. Morkoç, and D. N. Talwar, J. Appl. Phys. 80, 594 (1996).
8. W. Shan, T. J. Schmidt, R. J. Haustein, J. J. Song, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 66, 3492 (1995).
9. A. Salvador, G. Liu, W. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 67, 3322 (1995).
10. C. Kim, I. K. Robinson, J. Myoung, K. Shim, M. C. Yoo, and K. Kim, Appl. Phys. Lett. 69, 2358 (1996).
11. S. Keller, B. P. Keller, D. Kapolnek, A. C. Abare, H. Masui, L. A. Coldren, U. K. Mishra, and S. P. Den Baars, Appl. Phys. Lett. 68, 3147 (1996).
12. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
13. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoko, Appl. Phys. Lett. 70, 1417 (1997).
14. S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, T. Suski, J. W. Ager III, J. Washburn, J. Krueger, C. Kisielowski, E. R. Weber, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 69, 990 (1996).
15. M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. Asif Khan, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 71, 635 (1997).