Optical characterization of AlN/GaN heterostructures

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 8, 2003, Pages 4813-4818

  Ursaki, V V ^a   Tiginyanu, I M ^a   Zalamai, V V ^a   Hubbard, S M ^b   Pavlidis, D ^b  

^a INSTITUTE OF APPLIED PHYSICS   (Moldova)

^b University of Michigan   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM NITRIDE; ELECTRON GAS; GALLIUM NITRIDE; HALL EFFECT; PHOTOLUMINESCENCE;

GATE FILM THICKNESS;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 0242317269     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1609048     Document Type: Article

References (44)

1. Y. F. Wu, B. P. Keller, D. Kozodoy, S. P. Den-baar, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 69, 1438 (1996).
2. O. Aktas, Z. F. Fun, S. N. Mohammad, A. Botchkarev, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 69, 3872 (1996).
3. T. Wang, Y. Ohno, M. Lachab, D. Nakagawa, T. Shirahama, S. Sakai, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 76, 2737 (2000).
4. H. Kawai, M. Hara, F. Nakamura, and S. Imanaga, Electron. Lett. 34, 592 (1998).
5. E. Alekseev, A. Eisenbach, and D. Pavlidis, Electron. Lett. 35, 2145 (1999).
6. I. P. Smorchkova et al., J. Appl. Phys. 90, 5196 (2001).
7. S. M. Hubbard, D. Pavlidis, V. Valiaev, and A. Eisenbach, J. Electron. Mater. 31, 395 (2002).
8. J. P. Bergman, T. Lundstrom, B. Monemar, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 69, 3456 (1996).
9. S. Shen, T. Someya, O. Moriwaki, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 76, 679 (2000).
10. T. Wang, J. Bai, and S. Sakai, Phys. Rev. B 63, 205320 (2001).
11. K. B. Nam, J. Li, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 81, 1809 (2002).
12. Y. R. Yuan, K. Mohammed, M. A. A. Pudensi, and J. L. Merz, Appl. Phys. Lett. 45, 739 (1984).
13. Y. R. Yuan, M. A. A. Pudensi, G. A. Vawter, and J. L. Merz, J. Appl. Phys. 58, 397 (1985).
14. J. P. Bergman, Q. X. Zhao, P. O. Holtz, B. Monemar, M. Sundaram, J. L. Merz, and A. C. Gossard, Phys. Rev. B 43, 4771 (1991).
15. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
16. P. M. Asbeck, E. T. Yu, S. S. Lau, G. J. Sullivan, J. Van Hove, and J. Redwing, Electron. Lett. 33, 1230 (1997).
17. S. M. Hubbarad, D. Pavlidis, V. Valiaev, M. A. Stevens-Kalceff, and I. M. Tiginyanu, Mater. Sci. Eng., B 91/92, 336 (2002).
18. A. Eisenbach, D. Pavlidis, C. Bru-Chevallier, C. Dubois, and G. Guillot, Proceedings of the 24th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS '97), San Diego, CA, 7-11 September 1997 (IEEE/LEOS, Piscataway, 1998), pp. 219-222.
19. See, for instance, B. Gil, in Gallium Nitride (GaN) II, Semicond. Semi-metals 57, edited by J. P. Pankove and T. D. Moustakas (Academic 1999), p. 209, and references therein.
20. S. Fischer et al., J. Cryst. Growth 189-190, 556 (1998).
21. Y. G. Shreter et al., Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 683 (1997).
22. Y. T. Rebane, Y. G. Shreter, and M. Albrecht, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 179 (1997).
23. Y. T. Rebane, Y. G. Shreter, and M. Albrecht, Phys. Status Solidi A 164, 141 (1997).
24. N. Grandjean, J. Massies, and M. Leroux, Appl. Phys. Lett. 69, 2071 (1996).
25. M. Leroux, N. Grandjean, B. Beaumont, G. Nataf, F. Semond, J. Massies, and P. Gibard, J. Appl. Phys. 86, 3721 (1999).
26. E. Calleja, M. A. Sanchez-Garcia, F. J. Sanchez, F. Calle, F. B. Naranjo, E. Munoz, U. Jahn, and K. Ploog, Phys. Rev. B 62, 16826 (2000).
27. M. Benyoucef, M. Kuball, B. Beaumont, and P. Gibart, Appl. Phys. Lett. 80, 2275 (2002).
28. M. A. Reshchikov, D. Huang, F. Yun, H. Morkoc, R. J. Molnar, and C. W. Litton, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 693, 16.28.1 (2002).
29. B. C. Chung and M. Gershenzon, J. Appl. Phys. 72, 651 (1992).
30. M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, B. N. Sverdlov, A. Botchkarev, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 66, 3474 (1995).
31. G. D. Chen, M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Savvador, B. N. Sverdlov, A. Botchkarev, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 79, 2675 (1996).
32. A. V. Andrianov, D. F. Lacklinson, J. W. Orton, D. J. Dewsnip, S. E. Hooper, and C. T. Foxon, Semicond, Sci. Technol. 11, 366 (1996).
33. K. Kornitzer, M. Mayer, M. Mundbrod, K. Thonke, A. Pelzmann, M. Kamp, and R. Sauer, Mater. Sci. Forum 258-263, 1113 (1997).
34. C. Ronning, E. P. Carison, D. B. Thomson, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 73, 1622 (1998).
35. P. W. Yu, C. S. Park, and S. T. Kim, J. Appl. Phys. 89, 1692 (2001).
36. B. G. Ren, J. W. Orton, T. S. Cheng, D. J. Dewsnip, D. E. Lacklison, C. T. Foxon, C. H. Malloy, and X. Chen, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 22 (1996).
37. E. Oh, B. Kim, H. Park, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 73, 1883 (1998).
38. A. Bell, I. Harrison, D. Korakakis, J. M. Hayes, M. Kuball, N. Granjean, and J. Massies, J. Appl. Phys. 89, 1070 (2001).
39. I. P. Smorchkova, S. Keller, S. Heinkman, C. R. Elsass, B. Heying, P. Fini, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 77, 3998 (2000).
40. A. D. Bykhovski, B. L. Gelmot, and M. S. Shur, J. Appl. Phys. 78, 3691 (1995).
41. A. D. Bykhovski, B. L. Gelmot, and M. S. Shur, J. Appl. Phys. 81, 6332 (1997).
42. S. Einfeldt, H. Heinke, V. Kirchner, and D. Hommel, J. Appl. Phys. 89, 2160 (2001).
43. B. Shen, T. Someya, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 76, 2746 (2000).
44. F. Bemardini, V. Fiorentini, and A. Bosin, Appl. Phys. Lett. 70, 2990 (1997).