Effect of carrier confinement on photoluminescence from modulation-doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 6, 2000, Pages 679-681

  Shen, B ^a,b   Someya, T ^a   Moriwaki, O ^a   Arakawa, Y ^a  

^a INSTITUTE OF INDUSTRIAL SCIENCE   (Japan)

^b NANJING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000912096     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.125859     Document Type: Article

References (11)

1. Y. R. Yuan, K. Mohammed, M. A. A. Pudensi, and J. L. Merz, Appl. Phys. Lett. 45, 739 (1984).
2. Y. R. Yuan, M. A. A. Pudensi, G. A. Vawter, and J. L. Merz, J. Appl. Phys. 58, 397 (1985).
3. J. P. Bergman, Q. X. Zhao, P. O. Holtz, B. Monemar, M. Sundaram, J. L. Merz, and A. C. Gossard, Phys. Rev. B 43, 4771 (1991).
4. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
5. P. M. Asbeck, E. T. Yu, S. S. Lau, G. J. Sullivan, J. Van, Hove, and J. Redwing, Electron. Lett. 33, 1230 (1997).
6. J. P. Bergman, T. Lundstrom, B. Monemar, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 69, 3456 (1996).
7. E. T. Yu, G. J. Sullivan, P. M. Asbeck, C. D. Wang, D. Qiao, and S. S. Lau, Appl. Phys. Lett. 71, 2794 (1997).
8. P. Ramvall, Y. Aoyagi, A. Kuramata, P. Hacke, and K. Horino, Appl. Phys. Lett. 74, 3866 (1999).
9. D. Kovalev, B. Averboukh, D. Valm, B. K. Meyer, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Rev. B 54, 2518 (1996).
10. K. Ploog, and G. H. Dohler, Adv. Phys. 32, 285 (1983).
11. R. Gaska, J. W. Yang, A. D. Bykhovski, M. S. Shur, V. V. Kaminski, and S. W. Soloviov, Appl. Phys. Lett. 72, 64 (1998).