Molecular-beam epitaxial growth and characterization of quaternary III-nitride compounds

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 5, 2003, Pages 3121-3127

  Monroy, E ^a   Gogneau, N ^a   Enjalbert, F ^b   Fossard, F ^a   Jalabert, D ^a   Bellet Amalric, E ^a   Dang, Le Si ^b   Daudin, B ^a  

^a CEA GRENOBLE   (France)

^b UNIV GRENOBLE ALPES   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; BINDING ENERGY; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MONOLAYERS; PHOTOLUMINESCENCE; PLASMA APPLICATIONS;

CARRIER LOCALIZATION;

ALUMINUM NITRIDE;

EID: 0141857481     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1598633     Document Type: Article

References (50)

1. T. Mukai, S. Nagahama, T. Yamamoto, and M. Sano, Phys. Status Solidi A 192, 261 (2002).
2. H. S. Kim, R. A. Mair, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 76, 1252 (2000).
3. J. Han and A. V. Nurmikko, IEEE J. Quantum Electron. 8, 289 (2002).
4. T. Nishida and N. Kobayashi, Phys. Status Solidi A 188, 113 (2001).
5. J. P. Zhang, A. Chitnis, V. Adivarahan, S. Wu, V. Mandavilli, R. Pachipulusu, M. Shatalov, G. Simin, J. W. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 81, 4910 (2002).
6. F. G. McIntosh, K. S. Boutros, J. C. Roberts, S. M. Bedair, E. L. Piner, and N. A. El-Masry, Appl. Phys. Lett. 68, 40 (1996).
7. G. Kipshidze, V. Kuryatkov, K. Zhu, B. Borisov, M. Holtz, S. Nikishin, and H. Temkin, J. Appl. Phys. 93, 1363 (2003).
8. A. Chitnis et al., Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L320 (2002)
9. S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 5 (2002).
10. J. Li, K. B. Nam, K. H. Kim, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 78, 61 (2001).
11. C. H. Chen, L. Y. Huang, Y. F. Chen, H. X. Jiang, and J. Y. Li, Appl. Phys. Lett. 80, 1397 (2002).
12. M. Shatalov, J. Zhang, A. S. Chitnis, V. Adivarahan, J. Yang, G. Simin, and M. A. Khan, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 302 (2002).
13. R. W. Martin, P. G. Middleton, K. P. O'Donnell, and W. Van der Stricht, Appl. Phys. Lett. 74, 263 (1999).
14. R. Zheng and T. Taguchi, Appl. Phys. Lett. 77, 3024 (2000).
15. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 2822 (1997).
16. T. Matsuoka, Appl. Phys. Lett. 71, 105 (1997).
17. S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Kato, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 195, 309 (1998).
18. J. Han, J. J. Figiel, G. A. Petersen, S. M. Meyers, M. H. Crawford, and M. A. Banas, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 2372 (2000).
19. M. A. Khan, V. Adivarahan, J. P. Zhang, C. Chen, E. Kuokstis, A. Chitnis, M. Shatalov, J. W. Yang, and G. Simin, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L1308 (2001).
20. C. Chen, J. Yang, M.-Y. Ryu, J. Zhang, E. Kuokstis, G. Simin, and M. A. Khan, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 1924 (2002).
21. A. P. Lima, C. R. Miskys, U. Karrer, O. Ambacher, A. Wenzel, B. Rauschenbach, and M. Stutzmann, J. Cryst. Growth 220, 341 (2000).
22. E. Monroy, N. Gogneau, D. Jalabert, E. Bellet-Amalric, Y. Hori, F. Enjalbert, L. S. Dang, and B. Daudin, Appl. Phys. Lett. 82, 2242 (2003).
23. E. Dimakis et al., J. Cryst. Growth 251, 476 (2003).
24. G. Mula, C. Adelmann, S. Moehl, J. Oullier, and B. Daudin, Phys. Rev. B 64, 195406 (2001).
25. E. Monroy, B. Daudin, E. Bellet-Amalric, N. Gogneau, D. Jalabert, F. Enjalbert, J. Brault, J. Barjon, and L. S. Dang, J. Appl. Phys. 93, 1550 (2003).
26. J. Neugebauer, T. K. Zywietz, M. Scheffler, J. E. Northrup, H. Chen, and R. M. Feenstra, Phys. Rev. Lett. 90, 056101 (2003)
27. H. Chen, R. M. Feenstra, J. Northrup, J. Neugebauer, and D. W. Greve, MRS Internet J. Nitride Semicond, Res. 6, 11 (2001).
28. T. Böttcher, S. Einfeldt, V. Kirchner, S. Figge, H. Heinke, D. Hommel, H. Selke, and P. L. Ryder, Appl. Phys. Lett. 73, 3232 (1998).
29. J. S. Huang, X. Dong, X. D. Luo, D. B. Li, X. L. Liu, Z. Y. Xu, and W. K. Ge, J. Cryst. Growth 247, 84 (2003).
30. H. Hirayama, A. Kinoshita, T. Yamabi, Y. Enomoto, A. Hirata, T. Araki, Y. Nanishi, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 80, 207 (2002).
31. J. M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, J. M. Gérard, B. Jusserand, J. Massies, and F. S. Sandroff, J. Cryst. Growth 111, 141 (1991).
32. J. M. Moison, C. Guille, F. Houzay, F. Barthe, and M. Van Rompay, Phys. Rev. B 40, 6149 (1989).
33. C. Stampfl and C. G. Van der Walle, Phys. Rev. B 59, 5521 (1999).
34. H. Heinke, V. Kirchner, S. Einfeldt, and D. Hommel, Appl. Phys. Lett. 77, 2145 (2000).
35. R. Chierchia, T. Böttcher, H. Heinke, S. Einfeldt, S. Frigge, and D. Hommel, J. Appl. Phys. 93, 8918 (2003).
36. Y. J. Sun, O. Brandt, T. Y. Liu, A. Trampert, K. H. Ploog, J. Bläsing, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 81, 4928 (2002).
37. M. E. Aumer, S. F. LeBoeuf, F. G. McIntosh, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 75, 3315 (1999).
38. M.-Y. Ryu, C. Q. Chen, E. Kuokstis, J. W. Yang, G. Simin, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 80, 3730 (2002).
39. J. Neugebauer and C. G. Van der Walle, Appl. Phys. Lett. 69, 503 (1996).
40. T. Mattila and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 59, 13146 (1997).
41. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
42. F. Yun, M. A. Reshchikov, L. He, T. King, H. Morkoç, S. W. Novak, and L. Wei, Appl. Phys. Lett. 92, 4837 (2002).
43. V. Y. Davydov et al., Phys. Status Solidi B 229, R1 (2002).
44. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002).
45. M. D. McCluskey, C. G. Van der Walle, L. T. Romano, B. S. Krusor, and N. M. Johnson, J. Appl. Phys. 93, 4340 (2003).
46. S. F. Chichibu et al., Appl. Phys. Lett. 73, 2006 (1998).
47. M. Ferhat and F. Bechstedt, Phys. Rev. B 65, 075213 (2002).
48. M. Leroux, N. Grandjean, B. Beaumont, G. Nataf, F. Semond, J. Massies, and P. Gibart, J. Appl. Phys. 86, 3721 (1999).
49. J. Li, K. B. Nam, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 79, 3245 (2001).
50. Y.-H. Cho, G. H. Gainer, J. B. Lam, J. J. Song, W. Yang, and W. Jhe, Phys. Rev. B 61, 7203 (2000).