Incorporation of indium during molecular beam epitaxy of InGaN

Applied Physics Letters

Volumn 73, Issue 22, 1998, Pages 3232-3234

  Bottcher T ^a   Einfeldt, S ^a   Kirchner, V ^a   Figge, S ^a   Heinke, H ^a   Hommel, D ^a   Selke, H ^a   Ryder, P L ^a  

^a UNIVERSITY OF BREMEN   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0039142806     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.122728     Document Type: Article

References (14)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L797 (1995).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoko, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L74 (1996).
3. S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
4. I-h Ho and G. B. Stringfellow, J. Cryst. Growth 178, 1 (1997).
5. A. Wakahara, T. Tokuda, X. Z. Dang, S. Noda, and A. Sasaki, Appl. Phys. Lett. 71, 906 (1997).
6. R. Singh, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, and L. T. Romano, Appl. Phys. Lett. 70, 1089 (1997).
7. M. D. McCluskey, L. T. Romano, B. S. Krusor, D. P. Bour, N. M. Johnson, and S. Brennan, Appl. Phys. Lett. 72, 1730 (1998).
8. Y. Kawaguchi, M. Shimizu, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 89 (1997).
9. O. Ambacher, M. S. Brandt, R. Dimitrov, T. Metzger, M. Stutzmann, R. A. Fisher, A. Miehr, A. Bergmaier, and G. Dollinger, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 3532 (1996).
10. M. A. L. Johnson, W. C. Hughes, W. H. Rowland, Jr., J. W. Cook, Jr., J. F. Schetzina, M. Leonard, H. S. Kong, J. A. Edmond, and J. Zavada, J. Cryst. Growth 175/6, 72 (1997).
11. H. Selke, P. L. Ryder, T. Böttcher, S. Einfeldt, V. Kirchner, D. Hommel, F. Bertram, T. Riemann, and J. Christen, Appl. Phys. Lett. (to be published).
12. H. Selke, M. Amirsawadkouhi, P. L. Ryder, T. Böttcher, S. Einfeldt, D. Hommel, F. Bertram, and J. Christen, Mater. Sci. Eng. B (to be published).
13. A. Fischer, A. Kühne, and H. Richter, Phys. Rev. Lett. 73, 2712 (1994).
14. C. Kim, I. K. Robinson, J. Myoung, K. Shim, M. Yoo, and K. Kim, Appl. Phys. Lett. 69, 2358 (1996).