High optical quality AlInGaN by metalorganic chemical vapor deposition

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 21, 1999, Pages 3315-3317

  Aumer, M E ^a   LeBoeuf, S F ^a   McIntosh, F G ^a   Bedair, S M ^a  

^a North Carolina State University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000107368     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.125336     Document Type: Article

References (11)

1. Z. Yu, M. A. L. Johnson, J. D. Brown, N. A. El-Masry, J. F. Muth, J. W. Cook, Jr., J. F. Schetzina, K. W. Haberern, H. S. Kong, and J. A. Edmond, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G4.3 (1999).
2. S. Nakamura, Mater. Sci. Eng., B 50, 277 (1997).
3. L. Eastman, K. Chu, W. Schaff, M. Murphy, N. G. Weismann, and T. Eustis, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 17 (1997).
4. F. G. McIntosh, K. S. Boutros, J. C. Roberts, S. M. Bedair, E. L. Piner, and N. A. El-Masry, Appl. Phys. Lett. 68, 40 (1996).
5. E. L. Piner, M. K. Behbehani, N. A. El-Masry, F. G. McIntosh, J. C. Roberts, K. S. Boutros, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 70, 461 (1997).
6. K. S. Boutros, F. G. McIntosh, J. C. Roberts, S. M. Bedair, E. L. Piner, and N. A. El-Masry, Appl. Phys. Lett. 67, 1856 (1995).
7. C. K. Williams, T. H. Glisson, J. R. Hauser, and M. A. Littlejohn, J. Electron. Mater. 7, 639 (1978).
8. S. Ruffenach-Clur, O. Briot, B. Gil, R-L. Aulombard, and J. L. Rouviere, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 27 (1997).
9. S. N. Mohammad, A. A. Salvador, and H. Morkoc, Proc. IEEE 83, 1306 (1995).
10. C. Wetzel, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, H. Katoh, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 73, 1994 (1998).
11. M. D. McCluskey, C. G. Van de Walle, C. P. Master, L. T. Romano, and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 72, 2725 (1998).