Kinetics of NO nitridation in SiO2/4H-SiC

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 4, 2003, Pages 2257-2261

  McDonald, K ^a,c   Feldman, L C ^a   Weller, R A ^a   Chung, G Y ^b,d   Tin, C C ^b   Williams, J R ^b  

^a VANDERBILT UNIVERSITY   (United States)

^b AUBURN UNIVERSITY   (United States)

^c SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

^d Sterling Semiconductor   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

INTERFACES (MATERIALS); MOSFET DEVICES; NITROGEN; OXIDATION; REACTION KINETICS; SILICA;

INTERFACE DEFECTS; NITRIDATION;

SILICON CARBIDE;

EID: 0037442436     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1539541     Document Type: Article

References (39)

1. R. Schörner, P. Friedrichs, D. Peters, and D. Stephani, IEEE Electron Device Lett. 20, 241 (1999).
2. H. Yano, T. Kimoto, H. Matsunami, M. Bassler, and G. Pensl, Mater. Sci. Forum 338, 1109 (2000).
3. M. K. Das, B. S. Um, and J. A. Cooper, Jr., Mater. Sci. Forum 338, 1069 (2000).
4. N. S. Saks, S. S. Mani, and A. K. Agarwal, Appl. Phys. Lett. 76, 2250 (2000).
5. B. Hornetz, H.-J. Michel, and J. Halbritter, J. Mater. Res. 9, 3088 (1994).
6. K. C. Chang, N. T. Nuhfer, L. M. Porter, and Q. A. Wahab, Appl. Phys. Lett. 77, 2186 (2000).
7. G. G. Jernigan, R. E. Stahlbush, M. K. Das, J. A. Cooper, Jr., and L. A. Lipkin, Appl. Phys. Lett. 74, 1448 (1999).
8. G. Y. Chung, C. C. Tin, J. R. Williams, K. McDonald, M. Di Ventra, S. T. Pantelides, L. C. Feldman, and R. A. Weller, Appl. Phys. Lett. 76, 1713 (2000).
9. A. Franceschetti and S. T. Pantelides (unpublished).
10. M. Di Ventra and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 83, 1624 (1999).
11. R. Buczko, S. J. Pennycook, and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 84, 943 (2000).
12. H. -F. Li, S. Dimitrijev, H. B. Harrison, and D. Sweatman, Appl. Phys. Lett. 70, 2028 (1997).
13. G. Chung, C. C. Tin, J. R. Williams, K. McDonald, M. Di Ventra, R. K. Chanana, S. T. Pantelides, and R. A. Weller, Appl. Phys. Lett. 77, 3601 (2000).
14. G. Y. Chung, C. C. Tin, J. R. Williams, K. McDonald, R. K. Chanana, R. A. Weller, S. T. Pantelides, L. C. Feldman, O. W. Holland, M. K. Das, and J. W. Palmour, IEEE Electron Device Lett. 22, 176 (2001).
15. K. McDonald, Ph.D. dissertation, Vanderbilt University, 2001.
16. P. Tanner, S. Dimitrijev, H.-F. Li, D. Sweatman, K. E. Prince, and H. B. Harrison, J. Electron. Mater. 28, 109 (1999).
17. K. McDonald, M. B. Huang, R. A. Weller, L. C. Feldman, J. R. Williams, F. C. Stedile, I. J. R. Baumvol, and C. Radtke, Appl. Phys. Lett. 76, 568 (2000).
18. R. Tromp, G. W. Rubloff, P. Balk, F. K. LeGoues, and E. J. van Loenen, Phys. Rev. Lett. 55, 2332 (1985).
19. G. W. Rubloff, K. Hofmann, M. Liehr, and D. R. Young, Phys. Rev. Lett. 58, 2379 (1987)
20. D. C. Streit and F. G. Allen, J. Appl. Phys. 61, 2894 (1987).
21. R. J. Wu and C. T. Yeh, Int. J. Chem. Kinet. 28, 89 (1996).
22. N. M. Laurendeau, Combust. Sci. Technol. 11, 89 (1975).
23. I. J. R. Baumvol, J.-J. Ganem, L. G. Gosset, I. Trimaille, and S. Rigo, Appl. Phys. Lett. 72, 2999 (1998).
24. R. I. Hegde, P. J. Tobin, K. G. Reid, B. Maiti, and S. A. Ajuria, Appl. Phys. Lett. 66, 2882 (1995).
25. H. C. Lu, E. P. Gusev, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, D. Brasen, and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett. 69, 2713 (1996).
26. R. I. Hegde, B. Maiti, and P. J. Tobin, J. Electrochem. Soc. 144, 1081 (1997).
27. H. C. Lu, E. P. Gusev, T. Gustafsson, and E. Garfunkel, J. Appl. Phys. 81, 6992 (1997).
28. P. J. Tobin, Y. Okada, S. A. Ajuria, V. Lakhotia, W. A. Feil, and R. I. Hedge, J. Appl. Phys. 75, 1811 (1994).
29. A. Gupta, S. Toby, E. P. Gusev, H. C. Lu, Y. Li, M. L. Green, T. Gustafsson, and E. Garfunkel, Prog. Surf. Sci. 59, 103 (1998).
30. W. Ting, H. Hwang, J. Lee, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 57, 2808 (1990).
31. H. T. Tang, W. N. Lennard, M. Zinke-Allmang, I. V. Mitchell, L. C. Feldman, M. L. Green, and D. Brasen, Appl. Phys. Lett. 64, 3473 (1994).
32. N. S. Saks, D. I. Ma, and W. B. Fowler, Appl. Phys. Lett. 67, 374 (1995).
33. S. Singhvi and C. G. Takoudis, J. Appl. Phys. 82, 442 (1997).
34. E. C. Carr, K. A. Ellis, and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 66, 1492 (1995).
35. K. A. Ellis and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 68, 1696 (1996).
36. Z.-Q. Yao, J. Appl. Phys. 78, 2906 (1995).
37. E. P. Gusev, H. C. Lu, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, and D. Brasen, J. Appl. Phys. 82, 896 (1997).
38. E. P. Gusev, H. C. Lu, E. Garfunkel, T. Gustafsson, M. L. Green, D. Brasen, and W. N. Lennard, J. Appl. Phys. 84, 2980 (1998).
39. K. Chatty, V. Khemka, T. P. Chow, and R. J. Gutmann, J. Electron. Mater. 28, 161 (1999).