Nitrous oxide gas phase chemistry during silicon oxynitride film growth

Progress in Surface Science

Volumn 59, Issue 1-4, 1998, Pages 103-115

  Gupta, A ^a   Toby, S ^a   Gusev, E P ^a   Lu, H C ^a   Li, Y ^a   Green, M L ^b   Gustafsson, T ^a   Garfunkel, E ^a  

^a RUTGERS UNIVERSITY   (United States)

^b NOKIA RESEARCH CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; COMPOSITION EFFECTS; DECOMPOSITION; FILM GROWTH; MOLECULAR STRUCTURE; NITROGEN OXIDES; REACTION KINETICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON NITRIDE; SURFACE CHEMISTRY; ULTRATHIN FILMS;

GAS PHASE CHEMISTRY; SILICON OXYNITRIDE;

SEMICONDUCTOR GROWTH;

EID: 0032157803     PISSN: 00796816     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0079-6816(98)00039-2     Document Type: Article

References (41)

1. H. Hwang, W. Ting, B. Maiti, D. L. Kwong, and J. Lee, Appl. Phys. Lett. 57, 1010 (1990).
2. H. Fukuda, T. Arakawa, and S. Ohno, Jpn. J. Appl. Phys. 29, L2333 (1990).
3. M. Bhat, G. W. Yoon, J. Kim, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 64, 2116 (1994).
4. E. C. Carr and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 63, 54 (1993).
5. E. C. Carr, K. A. Ellis, and R A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 66, 1492 (1995)
6. D. M. Fleetwood and N. M. Saks, J. Appl. Phys. 79, 1583 (1996).
7. M. L. Green, D. Brasen, K. W. Evans-Lutterodt, L. C. Feldman, K. Krisch, W. Lennard, H. T. Tang, L. Manchanda, and M. T. Tang, Appl. Phys. Lett. 65, 848 (1994).
8. E. P. Gusev, H. C. Lu, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, and D. Brasen, J. Appl. Phys. 82, 896 (1997).
9. S. V. Hattangady, H. Niimi, and G. Lucovsky, Appl. Phys. Lett. 66, 3495 (1995).
10. R. I. Hedge, P. J. Tobin, K. G. Reid, B. Maiti, and S. A. Ajuria, Appl. Phys. Lett. 66, 2882 (1995).
11. W. L. Hill, E. M. Vogel, V. Misra, P. K. McLarty, and J. J. Wortman, IEEE Trans. Electron Devices 43, 15 (1996).
12. D. Landheer, Y. Tao, D. X. Xu, G. I. Sproule, and D. A. Buchanan, J. Appl. Phys. 78, 1818 (1995).
13. K. Kumar, A. I. Chou, C. Lin, P. Choudhury, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 70, 384 (1997).
14. H. C. Lu, E. P. Gusev, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, D. Brasen, and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett. 69, 2713 (1996).
15. T. Matsuoka, S. Taguchi, H. Ohtsuka, K. Taniguchi, C. Hamaguchi, S. Kakimoto, and K. Uda, IEEE Trans. Electron. Dev. 43, 1364 (1996).
16. D. Wristers, L. K. Han, T. Chen, H. H. Wang, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 68, 2094 (1996).
17. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J. J. Ganem, I. Trimaille, and S. Rigo, Appl. Phys. Lett. 69, 2385 (1996).
18. S. Dimitrijev, D. Sweatman, and H. B. Harrison, Appl. Phys. Lett. 62, 1539 (1993).
19. K. A. Ellis and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 68, 1696 (1996).
20. J. J. Ganem, S. Rigo, I. Trimaille, I. J. R. Baumvol, and F. C. Stedile, Appl. Phys. Lett. 68, 2366 (1996).
21. M. L. Green, D. Brasen, L. C. Feldman, W. Lennard, and H. T. Tang, Appl. Phys. Lett. 67, 1600 (1995).
22. E. P. Gusev, H. C. Lu, T. Gustafsson, and E. Garfunkel, Brazil. J. Phys. 27, 302 (1997).
23. N. S. Saks, D. I. Ma, and W. B. Fowler, Appl. Phys. Lett. 67, 374 (1995).
24. H. T. Tang, W. N. Lennard, M. Zinke-Allmang, I. V Mitchell, L. C. Feldman, M. L. Green, and D. Brasen, Appl. Phys. Lett. 64, 64 (1994).
25. P. J. Tobin, Y. Okada, S. A. Ajuria, V. Lakhotia, W. A. Feil, and R. I. Hedge, J. Appl. Phys. 75, 1811 (1994).
26. Z. Q. Yao, J. Appl. Phys. 78, 2906 (1995).
27. S. Singhvi and C. G. Takoudis, J. Appl. Phys. 82, 442 (1997).
28. E. Briner, C. Meiner, and A. Rothen, J. Chim. Phys. 23, 609 (1926).
29. M. Hartig and P. J. Tobin, J. Electrochem. Soc. 143, 1753 (1996).
30. H. C. Lu, E. P. Gusev, T. Gustafsson, M. L. Green, D. Brasen, and E. Garfunkel, Microelectronic Engineering 36, 29 (1997).
31. H. Du, R. E. Tressler, and K. E. Spear, J. Electrochem. Soc. 136, 3210 (1989).
32. H. C. Lu, E. P. Gusev, T. Gustafsson, and E. Garfunkel, J. Appl. Phys. 81, 6992 (1997).
33. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J. J. Ganem, I. Trimaille, and S. Rigo, J. Electrochem. Soc. 143, 2938 (1996); G. Gosset, J. J. Ganem, I. Trimaille, S. Rigo, F. Rochet, G. Dufour, F. Jolly, F. C. Stedile, and I. J. R. Baumvol, Nuc.. Instr. and Meth. in Phys. Res. B, 136-138, 521 (1998); I. J. R. Baumvol, J. J. Ganem, L. G. Gosset, I. Trimaille, and S. Rigo, Appl. Phys. Lett., 72 (1998); I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J. J. Ganem, I. Trimaille, and S. Rigo, Appl. Phys. Lett., 70, 2007 (1997).
34. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J. J. Ganem, I. Trimaille, and S. Rigo, J. Electrochem. Soc. 143, 2938 (1996); G. Gosset, J. J. Ganem, I. Trimaille, S. Rigo, F. Rochet, G. Dufour, F. Jolly, F. C. Stedile, and I. J. R. Baumvol, Nuc.. Instr. and Meth. in Phys. Res. B, 136-138, 521 (1998); I. J. R. Baumvol, J. J. Ganem, L. G. Gosset, I. Trimaille, and S. Rigo, Appl. Phys. Lett., 72 (1998); I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J. J. Ganem, I. Trimaille, and S. Rigo, Appl. Phys. Lett., 70, 2007 (1997).
35. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J. J. Ganem, I. Trimaille, and S. Rigo, J. Electrochem. Soc. 143, 2938 (1996); G. Gosset, J. J. Ganem, I. Trimaille, S. Rigo, F. Rochet, G. Dufour, F. Jolly, F. C. Stedile, and I. J. R. Baumvol, Nuc.. Instr. and Meth. in Phys. Res. B, 136-138, 521 (1998); I. J. R. Baumvol, J. J. Ganem, L. G. Gosset, I. Trimaille, and S. Rigo, Appl. Phys. Lett., 72 (1998); I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J. J. Ganem, I. Trimaille, and S. Rigo, Appl. Phys. Lett., 70, 2007 (1997).
36. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J. J. Ganem, I. Trimaille, and S. Rigo, J. Electrochem. Soc. 143, 2938 (1996); G. Gosset, J. J. Ganem, I. Trimaille, S. Rigo, F. Rochet, G. Dufour, F. Jolly, F. C. Stedile, and I. J. R. Baumvol, Nuc.. Instr. and Meth. in Phys. Res. B, 136-138, 521 (1998); I. J. R. Baumvol, J. J. Ganem, L. G. Gosset, I. Trimaille, and S. Rigo, Appl. Phys. Lett., 72 (1998); I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J. J. Ganem, I. Trimaille, and S. Rigo, Appl. Phys. Lett., 70, 2007 (1997).
37. M. L. Green, in Advances in Rapid Thermal and Integrated Processing, edited by F. Roozeboom (Plenum Press, New York - London, 1995), p. 193.
38. D. G. J. Sutherland, H. Akatsu, M. Copel, F. J. Himpsel, T. Callcott, J. A. Carlisle, D. Ederer, J. J. Jia, I. Jimenez, R. Perera, D. K. Shuh, L. J. Terminello, and W. M. Tong, J. Appl.Phys. 78, 6761 (1995).
39. NIST Chemical Kinetics Database, version 6.01 ed. (1994).
40. R. L. Brown, Inst. of Material Research, N.S.B. Washington D.C., Doc. Number NSBIR 76 -1055. (1976); W. Braun, J.T. Herron, D.K. Kahaner, Int. J. Chem. Kinet. 1988, 20, 51.
41. R. L. Brown, Inst. of Material Research, N.S.B. Washington D.C., Doc. Number NSBIR 76 -1055. (1976); W. Braun, J.T. Herron, D.K. Kahaner, Int. J. Chem. Kinet. 1988, 20, 51.