Incorporation of oxygen and nitrogen in ultrathin films of SiO2 annealed in NO

Applied Physics Letters

Volumn 72, Issue 23, 1998, Pages 2999-3001

  Baumvol, I J R ^a   Ganem, J J ^b   Gosset, L G ^b   Trimaille, I ^b   Rigo, S ^b  

^a FEDERAL UNIVERSITY OF RIO GRANDE DO SUL   (Brazil)

^b CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000267761     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.121520     Document Type: Article

References (22)

1. K. Kumar, A. I. Chou, P. Choudhury, J. C. Lee, and J. K. Lowell, Appl. Phys. Lett. 70, 384 (1997).
2. L. K. Han, D. Wristers, J. Yan, M. Bhat, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 16, 319 (1995).
3. B. Maiti, P. J. Tobin, Y. Okada, K. G. Reid, S. A Ajuria, R. I. Hedge, and V. Kaushik, IEEE Electron Device Lett. 17, 279 (1996).
4. D. Wristers, L. K. Han, T. Chen, H. H. Wang, D. L. Kwong, M. Allen, and J. Fulford, Appl. Phys. Lett. 68, 209 (1996).
5. H. Fukuda, N. Koyama, T. Endoh, and S. Nomura, Appl. Surf. Sci. 113/114, 595 (1997).
6. A. Kamath, D. L. Kwong, Y. M. Sun, P. M. Blass, S. Whaley, and J. M. White, Appl. Phys. Lett. 70, 6 (1997).
7. Z.-Q. Yao, J. Appl. Phys. 78, 2906 (1995).
8. R. I. Hedge, P. J. Tobin, K. G. Reid, B. Maiti, and S. A Ajuria, Appl. Phys. Lett. 66, 2882 (1995).
9. M. Bhat, L. K. Han, D. Wristers, J. Yan, D. L. Kwong, and J. Fulford, Appl. Phys. Lett. 66, 1225 (1995).
10. P. J. Tobin, Y. Okada, S. A Ajuria, V. Lakothia, W. A. Feil, and R. I. Hedge, J. Appl. Phys. 75, 1811 (1994).
11. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J.-J. Ganem, S. Rigo, and I. Trimaille, Appl. Phys. Lett. 69, 2385 (1996).
12. H-T. Tang, W. N. Lennard, M. Zinke-Allmang, I. V. Mitchell, L. C. Feldman, M. L. Green, and D. Brasen, Appl. Phys. Lett. 64, 3473 (1994).
13. See also Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 108, 347 (1996).
14. E. C. Carr, K. A. Ellis, and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 66, 1492 (1995).
15. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J.-J. Ganem, S. Rigo, and I. Trimaille, J. Electrochem. Soc. 142, 1205 (1995).
16. I. Vickridge and G. Amsel, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 45, 6 (1990).
17. G. Battistig, G. Amsel, E. D'Artemare, and I. Vickridge, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 61, 369 (1991).
18. 2 Interface, edited by C. R. Helms and B. E. Deal (Plenum, New York, 1986), p. 75.
19. E. P Gusev, H. C. Lu, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, and D. Brasen, Appl. Phys. Lett. 82, 896 (1997).
20. I. Trimaille and S. Rigo, Appl. Surf. Sci. 39, 65 (1989)
21. I. Trimaille, J.-J. Ganem, L.G. Gosset, S. Rigo, I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, F. Rochet, G. Dufour, and F. Jolly, in Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectris on Si-Based Devices: Towards an Atomic Scale Understanding, edited by E. Garfunkel, E. Gusev, and A. Vul (Kluwer, Amsterdam, 1998), p. 165.
22. J.-J. Ganem, I. Trimaille, P. André, S. Rigo, F. C. Stedile, and I. J. R. Baumvol, J. Appl. Phys. 81, 8109 (1997).